公开(公告)号：CN100394567C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN03809710.9

申请日：2003-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01S5/02236 ,  H01L23/488 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/83192 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种次载具，能以高结合强度将半导体发光器装在它上面；一种半导体组件与所述次载具相结合。所述次载具包括：(a)次载具衬底；(b)形成于次载具衬底的上表面的焊料层；以及(c)焊料紧密接触层，它形成于次载具衬底与焊料层之间，并且它的结构是使主要由至少一种过渡元素构成的过渡元素层和主要由至少一种贵金属构成的贵金属层叠置。上述结构中，使过渡元素层形成于次载具衬底的侧面。所述半导体组件设置有被安置在次载具的焊料层上的半导体发光器件。

公开(公告)号：CN1308259C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03819066.4

申请日：2003-07-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤靖 ,  石津定 ,  筑木保志

IPC: C04B35/581 ,  C04B41/88 ,  H05B3/02

CPC classification number: C04B35/638 ,  B32B2311/08 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  C04B2237/408 ,  H05B3/141

Abstract: 本发明提供一种与传统工艺相比具有较大面积和较小厚度的氮化铝烧结体，其中氮化铝烧结体具有受控的翘曲和/或波纹高度的平整度。本发明还提供制造这种烧结体的方法，并还提供使用这种烧结体的金属化基片和加热器。一种氮化铝烧结体(1)，其最大长度等于或大于320mm，厚度大于0mm并且等于或小于2mm，翘曲等于或大于0μm/mm并且小于2μm/mm，局部波纹高度等于或大于0μm并且等于或小于100μm。

公开(公告)号：CN1672251A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03818487.7

申请日：2003-07-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/52 ,  H01S5/022

CPC classification number: B23K35/0238 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K35/262 ,  B23K35/268 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01S5/02272 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供了一种副支架，其使得半导体发光元件以较高的粘合强度连接。一个副支架3装有基板3和在基板的初级表面4f上形成的焊接剂层8。焊接剂层8的密度至少为焊接剂层8所用材料的理论密度的50％且不大于99.9％。焊接剂层8含有至少一种下列组分：金—锡合金、银—锡合金和铅—锡合金。焊接剂层8在其熔化之前在基板4上形成，并含有Ag膜8b和在Ag膜8b上形成的Sn膜8a。副支架3还含有在基板4和焊接剂层8之间形成的Au膜6。

公开(公告)号：CN1633706A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN03803944.3

申请日：2003-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 天羽映夫 ,  石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02476 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具3包括(a)次载具衬底4；以及(b)形成在次载具衬底4上表面4f上的焊料层8。焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.18μm。优选焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.15μm，尤其优选为0.10μm。半导体组件1包括次载具3和安置在次载具3焊料层8上的激光二极管2。