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公开(公告)号：CN1016519B
公开(公告)日：1992-05-06
申请号：CN89100618.4
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 金井正博
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/301 , Y10S148/045 , Y10S148/065
Abstract: 本发明提供一种形成含有周期表中族III和族V原子的功能沉积膜的工艺。将处于气体状态或受激状的膜形成原料和由于微波等离子体作用面形成的处于受激状态的氢原子引入膜形成区，从而在膜形成区内的基片上形成功能沉积膜。
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公开(公告)号：CN1049870A
公开(公告)日：1991-03-13
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN1038469A
公开(公告)日：1990-01-03
申请号：CN89100620.6
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/306 , C23C16/452 , C30B29/48 , H01L21/02422 , H01L21/02551 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , Y10S148/045 , Y10S148/064
Abstract: 形成主要含周期表的II和VI族原子的实用沉积膜工艺，沉积膜按如下方法制成：向用以在其内一衬底上形成沉积膜的成膜空间引入用作成膜原料的，分别由下列一般公式(I)和(II)表示的化合物(1)、(2)，如果需要，再引入含作为组分元素的，能控制沉积膜价电子的元素的化合物(3)，这些化合物要么都呈气态，要么至少有一个在分立于成膜空间的激发空间中被预先激发。
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公开(公告)号：CN1181222C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN97104502.X
申请日：1997-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/481 , C23C16/545
Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1156022C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1507011A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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公开(公告)号：CN1132962C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN99125440.6
申请日：1999-10-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/513 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32532
Abstract: 淀积膜形成系统具有：至少一个真空容器；向真空容器输送膜形成用原料气体的装置；使原料气体成为等离子体的放电电极；以及供电导体，将高频功率施加至放电电极，该系统包括：接地屏蔽，在真空容器内围绕供电导体设置；和多个电介质材料部件，它们的至少部分设置在供电导体和接地屏蔽之间。还公开了采用这种淀积膜形成系统的方法。可以长时间地维持大面积均匀放电，并且可以在连续移动的带状基片上形成非常均匀的高质量淀积膜。
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公开(公告)号：CN1039680A
公开(公告)日：1990-02-14
申请号：CN89100622.2
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/452 , C23C16/52
Abstract: 向成膜空间引入成膜材料化合物，如果需要引入含能控制沉积膜价电子的元素的化合物，形成半导体功能沉积膜，每一化合物处于气态或至少一种化合物是激活态，同时形成激发态氢原子。与成膜空间的气态的或激活空间中的激活态化合物发生化学反应，在基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中与两个阻抗匹配回路结合的共振腔中的等离子体产生室产生的微波等离子，从氢气或氢气与惰性气体的混合气体中形成激发态氢原子，并且其激发态受到控制。
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公开(公告)号：CN1037931A
公开(公告)日：1989-12-13
申请号：CN89100618.4
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 金井正博
IPC: C23C16/30 , C23C16/44 , C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/301 , Y10S148/045 , Y10S148/065
Abstract: 本发明提供一种形成含有周期表中族III和族V原子的功能沉积膜的工艺。将处于气体状态或受激状的膜形成原料和由于微波等离子体作用而形成的处于受激状态的氢原子引入膜形成区，从而在膜形成区内的基片上形成功能沉积膜。
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公开(公告)号：CN1160483C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN97102271.2
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/3277 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。
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