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公开(公告)号：CN112541620A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011381610.2
申请日：2017-06-20
IPC: G06Q10/04
Abstract: 本发明涉及风暴增水预测领域，尤其涉及一种预测精度及效率高的台风风暴增水预测方法及系统，本发明通过台风当前的经纬度坐标和当前台风信息，得到第一时间后台风中心所位于的圆区域，将圆区域细分为若干个网格子区域，并根据台风的经过衰减或增强后的预报台风信息，对所有网格子区域的顶点经纬度坐标，获取预设本地信息数据库中相应的风暴增水数据；本发明提高了各个网格子区域顶点经纬度坐标和预报台风信息对应的风暴增水数据的预测精度，并且能够满足风暴潮精细化预报和政府防灾决策的需求。
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公开(公告)号：CN111795927A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010509632.6
申请日：2020-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了基于图像自动计数的便携式赤潮藻类密度监测装置，可以直接在现场快速得出海水中藻类的密度。装置设有CMOS相机，显微镜头，透明垫片，防水套管，连接结构，水下光源，智能手机。连接结构所架空的区域可以自由通过水流，构成藻类成像室。其工作步骤为获取图像、图像传送、图像处理与计数。装置设有光线均匀的LED光源，便于图像的算法处理。连接结构架起的海水流通区域，使得海水中的藻类顺利流通，并且经过适当倍率的放大在相机中成像。对图像处理后方可输出数据，可以实现对赤潮密度现场监测。
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公开(公告)号：CN107341568A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710469384.5
申请日：2017-06-20
IPC: G06Q10/04
Abstract: 本发明涉及风暴增水预测领域，尤其涉及一种台风风暴增水预测方法及系统。本发明通过台风当前的经纬度坐标和当前台风信息，得到第一时间后台风中心所位于的圆区域，将圆区域细分为若干个网格子区域，并根据台风的经过衰减或增强后的预报台风信息，对所有网格子区域的顶点经纬度坐标，获取预设本地信息数据库中相应的风暴增水数据；本发明提高了各个网格子区域顶点经纬度坐标和预报台风信息对应的风暴增水数据的预测精度，并且能够满足风暴潮精细化预报和政府防灾决策的需求。
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公开(公告)号：CN119275092A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411405943.2
申请日：2024-10-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B33/02 , C30B33/00
Abstract: 一种提高SiC外延少数载流子寿命的方法，涉及半导体材料领域。S1、SiC衬底标准清洗后外延生长一层厚10μm以上的外延层；S2、再次标准清洗，在O2气氛下对4H‑SiC外延片高温氧化，在SiC表面形成SiO2氧化层和部分间隙碳原子和碳团簇，NO高温钝化退火；S3、对高温氧化和表面钝化处理的SiC外延片，利用BOE溶液去除其表面氧化层，再次标准清洗；S4、SiC外延片放入高温退火装置，升高温度，降低炉腔压强，在H2气氛下对SiC外延片低压氢气退火；S5、重复S2～S4。高温氧化和低压氢气退火相结合，降低高温氧化所需时间，得到更高少子寿命的外延片，且对N、P型SiC的少数载流子寿命均能有效提高。
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公开(公告)号：CN118866986A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410879317.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 一种具有电荷层场板终端结构的金刚石肖特基二极管器件，由多个元胞并联形成，单个元胞中自下而上依次包括欧姆接触金属层、P+型金刚石衬底层、P‑型金刚石外延层、氧封端金刚石表面层；所述氧封端金刚石表面层的上表面同时与电荷储存介质层以及正面有源区肖特基接触金属层接触，电荷储存介质层正上方为场氧介质层，电荷储存介质层与场氧介质层共同环绕在正面有源区肖特基接触金属层周围，金属场板位于场氧介质层上方及内侧侧壁，并与正面有源区肖特基接触金属层相接。本发明可避免传统场板终端的表面及介质提前击穿问题，提高器件的可靠性及反向耐压，以充分发挥金刚石半导体的极端材料特性与电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118213395A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410338980.X
申请日：2024-03-22
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 厦门大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 一种具有U形高掺JFET区的新型碳化硅平面型IGBT器件，可用于高压领域。通过在JFET区引入U形高掺的N型区域，降低JFET区的电阻。其由多个元胞并联而成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型漂移区、N型高掺杂的U状区域、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极；本发明能降低JFET区的电阻，增加IGBT内部寄生BJT的基极驱动电流，从而增强IGBT器件的电导调制，降低IGBT器件的导通电阻，提高器件的通态特性，获得更高的导通电流。另外，本发明IGBT器件还能够优化IGBT器件在通态的电流密度分布，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114242772B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111444358.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN117637851A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311810328.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 抗单粒子辐射SiC UMOSFET器件结构及其制造，在SiC衬底上生长漂移层和部分传输层，在传输层中用ICP刻蚀出周期性排列沟槽并通过外延回填形成四个等间距p型埋层，再通过多外延生长得到埋层上方传输层区域，在传输层表面外延生长p型基区层，通过高能离子注入形成n+源区和p+源区，然后采用ICP刻蚀栅极沟槽，在沟槽底部通过多次高能离子注入形成p屏蔽层，表面上利用物理或化学气相法生长形成栅介质Al2O3。由于p型埋层的存在，提高了器件抗单粒子烧毁能力，由于Al2O3介电常数大于传统的栅氧化物SiO2，单粒子轰击过程中有效降低栅极氧化物电场峰值，提高了器件抗单粒子栅穿能力。
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公开(公告)号：CN117219673A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311336619.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L23/552 , H01L21/336
Abstract: 一种抗总剂量辐射的双介质屏蔽栅MOSFET，在沟道区引入叠栅结构，即AlN沟道区与AlON耐压区；在SGT区引入与多晶硅屏蔽电极；在SGT区引入总剂量辐射抗性较大的AlON；采用高k介质提升器件栅阻断能力。本发明还公开了SGT‑MOSFET的制备方法，本发明将为航空航天用功率器件优化提供重要的参考意义。
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公开(公告)号：CN117059700A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311024171.3
申请日：2023-08-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0312 , H01L31/0224
Abstract: 石墨烯/4H‑SiC紫外‑红外光电探测器及制备方法，4H‑SiC通过刻蚀形成光栅结构。石墨烯电极覆盖于4H‑SiC光栅的顶部及侧壁。当紫外光入射时，由于石墨烯在紫外波段透明，可增加光敏面积，提高SiC对紫外光的吸收；当红外光入射时，石墨烯吸收光子形成电子空穴对，在电场的作用下分离。光栅结构增加紫外以及红外光在器件表面的反射与折射次数，起到陷光的作用，且光栅边缘处有电场增强，加速光生载流子的分离，提高电极捕获载流子的效率，提高光电流；石墨烯与SiC之间产生的界面态陷阱降低器件的暗电流。本发明能够增加光入射时产生的电子空穴对的数量，降低暗电流，使该器件在紫外与红外波段均具有较高的响应度和探测率。
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