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公开(公告)号：CN114162777A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110991705.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例针对包括引线键合阻尼器的微机电系统封装件。壳体结构位于支撑衬底上，并且微机电系统结构位于支撑衬底和壳体结构之间。微机电系统结构包括锚固件、弹簧和可移动块。弹簧从锚固件延伸到可移动块，以将可移动块悬挂在支撑衬底和壳体结构之间的腔体中并允许其移动。引线键合阻尼器位于可移动块上或可移动块周围的结构上。例如，引线键合阻尼器可以位于可移动块的顶面上。作为另一示例，引线键合阻尼器可以位于支撑衬底上，横向介于锚固件和可移动块之间。此外，引线键合阻尼器包括通过引线键合形成并且被配置为抑制对可移动块的冲击的引线。本发明的实施例还涉及用于形成微机电系统封装件的方法。
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公开(公告)号：CN112299362A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911175794.4
申请日：2019-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置。所述微机电系统装置包括介电结构，介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在介电结构之上。所述第二半导体衬底包括可移动体，其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间，其中防粘连结构是第一硅系半导体。
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公开(公告)号：CN110937568A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910890770.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种用于形成集成芯片的方法，集成芯片包含上覆于微机电系统(MEMS)衬底的外延层。方法包含将微机电系统衬底接合到载板衬底，微机电系统衬底包含单晶硅。在微机电系统衬底上方形成外延层，外延层具有比微机电系统衬底更高的掺杂浓度。在外延层上方形成多个接触件，多个接触件分别与外延层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103579114B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201310173218.2
申请日：2013-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张贵松 , 郑钧文 , 亚历克斯·卡尔尼茨基 , 朱家骅
IPC: H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/06
CPC classification number: H01L24/09 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/64 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/08145 , H01L2224/13022 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24145 , H01L2224/80896 , H01L2224/81 , H01L2224/821 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1205 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/4661 , H01L2224/05552 , H01L2224/8203 , H01L2224/80001
Abstract: 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层，第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合；和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。
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公开(公告)号：CN106467288A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610609220.3
申请日：2016-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B3/0005 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00293 , B81C2201/112 , B81C2203/0145 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , B81B7/0041 , B81C3/001
Abstract: 一种半导体结构包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；第二腔，环绕第二器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在第一覆盖结构上方并覆盖通孔，其中，通过第二覆盖结构密封第二腔和通孔。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106082104A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510800507.X
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张贵松
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B7/0032 , B81B7/0035 , B81B7/0061 , B81C1/00309
Abstract: 本发明涉及MEMS衬底。在一些实施例中，MEMS衬底包括具有微电子机械系统(MEMS)器件的器件衬底以及定位在邻近MEMS器件的位置处的器件衬底上方的接合材料的层。盖衬底具有设置在邻接接合材料的层的表面内的凹陷。盖衬底内的凹陷形成垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且邻接MEMS器件的室。一个或多个压力调节通道垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且从室的侧壁向外横向延伸。本发明的实施例还涉及用于双压MEMS器件的密封和屏蔽的方法。
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公开(公告)号：CN103224216A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210258786.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开包括具有衬底通孔的微电子机械系统(MEMS)结构及其形成方法。MEMS结构的衬底在高温下通过融熔接合而接合到一起，这能够在密封MEMS结构的空腔之前更加完全地去除来自衬底中的介电材料的化学物。MEMS结构融熔接合减少了化学物的脱气并与空腔形成工艺相兼容。与共晶接合相比，得益于更高的接合比，通过融熔接合而接合的MEMS结构更加坚固。此外，融熔接合能够在MEMS结构中形成衬底通孔(TSV)。
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公开(公告)号：CN102674233A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110308561.4
申请日：2011-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/096
Abstract: 一种封装系统，包括：第一衬底结构，包括设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；以及第二衬底结构，包括第二衬底，第二衬底结构与第一衬底结构相接合，其中，至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与第二衬底电连接。本发明还提供了一种封装系统及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113571458B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202011394615.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 公开一种真空吸盘及一种用于在半导体制造工艺期间稳固翘起的半导体衬底以在半导体制造工艺期间提高翘起的半导体衬底的平坦度的方法。举例来说，一种半导体制造系统包括真空吸盘，真空吸盘被配置成固持衬底，其中真空吸盘包括：多个真空凹槽以及多个柔性密封环，所述多个真空凹槽位于真空吸盘的顶表面上，其中顶表面被配置成面向衬底；所述多个柔性密封环设置在真空吸盘上且从顶表面向外延伸，其中所述多个柔性密封环被配置成直接接触衬底的底表面且与所述多个真空凹槽相邻，以在衬底与真空吸盘之间形成真空密封，且其中所述多个柔性密封环中的每一者具有锯齿形横截面。
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公开(公告)号：CN111115554B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201911036102.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种传感器。所述传感器包括：微机电系统(MEMS)衬底，设置在集成芯片(IC)之上，其中集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分，且其中第一空腔具有与第二空腔的操作压力不同的第一操作压力。顶盖衬底设置在微机电系统衬底之上，其中顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定第一空腔的上部部分，且顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定第二空腔的上部部分。传感器区域及虚设区域二者设置在第一空腔中，传感器区域包括微机电系统衬底的能够移动的部分，虚设区域包括微机电系统衬底的固定部分。压力增强结构设置在虚设区域中。
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