公开(公告)号：CN108431686A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680075886.3

申请日：2016-08-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  佐藤英次 ,  翁宇峰

IPC: G02F1/19 ,  G02B26/02

CPC classification number: G02B26/02 ,  G02F1/19

Abstract: 实现一种使用于调光装置时,可以稳定地切换光的透射及反射的光反射材料。光反射材料(10)包括基底(1)、层叠于基底的表面的导电膜(2)、层叠于导电膜的表面的绝缘膜(3),导电膜的层中,存在未形成导电膜的第一区域(2a),在绝缘膜的层中,存在未形成绝缘膜的第二区域(3a),第一区域与第二区域至少在一部分中重叠。

公开(公告)号：CN105849868A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN101924136B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010202798.X

申请日：2010-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  约翰·K·特怀南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在一个实施方式中，本发明的半导体装置具备：基板、层积在该基板上且构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上且划定沟道的划定沟道化合物半导体层，且具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象发生的位置的冲击离子控制层，所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成，所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成，所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN107735543B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201680034416.2

申请日：2016-05-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤英次 ,  伊藤伸之 ,  翁宇峰

IPC: E06B9/24 ,  E06B5/00

Abstract: 一种调光系统，例如调光窗户(1)，具备：窗户玻璃(11)、调光装置(40)、驱动装置(50)、以及框(20)，具有装入窗户玻璃(11)及驱动装置(50)的装入部(24)；在框(20)的一部分，设置收容驱动装置(50)的至少一部分的收容部(26)、与自由开闭地覆盖收容部(26)的开闭部(27)。

公开(公告)号：CN105849868B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN107735543A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680034416.2

申请日：2016-05-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤英次 ,  伊藤伸之 ,  翁宇峰

IPC: E06B9/24 ,  E06B5/00 ,  G02F1/17

Abstract: 一种调光系统，例如调光窗户(1)，具备：窗户玻璃(11)、调光装置(40)、驱动装置(50)、以及框(20)，具有装入窗户玻璃(11)及驱动装置(50)的装入部(24)；在框(20)的一部分，设置收容驱动装置(50)的至少一部分的收容部(26)、与自由开闭地覆盖收容部(26)的开闭部(27)。

公开(公告)号：CN106415802A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027209.X

申请日：2015-04-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  远崎学 ,  小河淳

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物类化合物半导体具有衬底(1)和设置在衬底(1)上的氮化物类化合物半导体叠层体层缓冲层(4)、叠层在该多层缓冲层(4)上的沟道层(5)和叠层在该沟道层(5)上的电子供给层(6)。设置有从电子供给层(6)的表面贯通沟道层(5)和多层缓冲层(4)的凹部(110)，在该凹部(110)内设置有与多层缓冲层(4)和沟道层(5)相邻、并且导热系数比多层缓冲层(4)高的散热层(210)。(11)。氮化物类化合物半导体叠层体(11)包括多

公开(公告)号：CN101924136A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202798.X

申请日：2010-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  约翰·K·特怀南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在一个实施方式中，本发明的半导体装置具备：基板、层积在该基板上且构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上且划定沟道的划定沟道化合物半导体层，且具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象发生的位置的冲击离子控制层，所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成，所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成，所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。