公开(公告)号：CN107004718B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN111755507A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010213981.3

申请日：2020-03-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  大东彻 ,  菊池哲郎 ,  山中昌光 ,  原义仁 ,  川崎达也 ,  铃木正彦 ,  西宫节治

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/44 ,  H01L21/34

Abstract: 提供有源矩阵基板，其具备氧化物半导体TFT，能降低寄生电容。有源矩阵基板具备源极总线、下部绝缘层、包含氧化物半导体层的氧化物半导体TFT、栅极总线及多个配线连接部，氧化物半导体层在形成于下部绝缘层的源极用开口部内电连接到源极电极或源极总线，各配线连接部包含：下部导电部，其使用第1导电膜形成；下部绝缘层，其在下部导电部上延伸设置；氧化物连接层，其与氧化物半导体层使用相同氧化物膜形成，并在形成于下部绝缘层的下部开口部内电连接到下部导电部；绝缘层，其覆盖氧化物连接层；以及上部导电部，其在形成于绝缘层的上部开口部内电连接到氧化物连接层，氧化物连接层包含电阻率比氧化物半导体层的沟道区域的电阻率低的区域。

公开(公告)号：CN110783344A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910671345.2

申请日：2019-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法，抑制由第2金属膜的蚀刻引起的缺陷的发生。阵列基板具备：半导体膜；第1绝缘膜，其配置于半导体膜的上层侧；第1金属膜，其配置于第1绝缘膜的上层侧；第2绝缘膜，其配置于第1金属膜的上层侧；第2金属膜，其配置于第2绝缘膜的上层侧；源极配线，其包括第2金属膜；栅极电极，其包括第1金属膜；沟道区域，其包括半导体膜的一部分，以与栅极电极重叠的方式配置；源极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，通过至少在第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到源极配线；漏极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的；及像素电极，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，与漏极区域相连。

公开(公告)号：CN110246900A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910168669.4

申请日：2019-03-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  大东彻 ,  今井元 ,  原健吾

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24

Abstract: 提供具备能具有高迁移率和高可靠性的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备薄膜晶体管，薄膜晶体管的半导体层具有包括包含In、Ga、Zn及Sn的下部氧化物半导体层和配置于下部氧化物半导体层上且包含In、Ga及Zn的上部氧化物半导体层的层叠结构，下部氧化物半导体层的厚度是20nm以下，下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比是5％以上，上部氧化物半导体层不包含Sn，或者上部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比小于下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比，下部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第1角度小于上部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第2角度。

公开(公告)号：CN108780620A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016987.8

申请日：2017-03-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  大东彻 ,  今井元 ,  伊藤俊克 ,  越智久雄 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  郡司辽佑 ,  原健吾 ,  西宫节治

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 有源矩阵基板具备：基板(1)；周边电路，其包含第1氧化物半导体TFT(101)；多个第2氧化物半导体TFT(102)，其配置在显示区域内；以及第1无机绝缘层(11)，其覆盖多个第2氧化物半导体TFT(102)，第1氧化物半导体TFT(101)具有：下部栅极电极(3A)；栅极绝缘层(4)；氧化物半导体层(5A)，其配置为隔着栅极绝缘层与下部栅极电极相对；源极电极(7A)和漏极电极(8A)；以及上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1无机绝缘层(11)的绝缘层配置在氧化物半导体层(5A)之上，在上部栅极电极(BG)之上，还具有覆盖第1氧化物半导体TFT(101)的第2无机绝缘层(17)。

公开(公告)号：CN107004719A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064210.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  铃木正彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。

公开(公告)号：CN102473727B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。

公开(公告)号：CN102906804B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201180024993.0

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下彻也 ,  吉田德生 ,  近间义雅 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

Abstract: 各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。

公开(公告)号：CN109791949B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201780059506.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  北川英树 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  大东彻 ,  伊藤俊克

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

公开(公告)号：CN113257835A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110096761.1

申请日：2021-01-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  西宫节治 ,  原健吾 ,  高畑仁志 ,  大东彻

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备多个栅极总线、多个源极总线、下部绝缘层、层间绝缘层、多个氧化物半导体TFT、像素电极以及多个源极接触部，各氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极，其形成在基板与下部绝缘层之间，与源极总线由相同的导电膜形成，各源极接触部具有：源极接触孔，其形成于下部绝缘层和层间绝缘层，并且使1个氧化物半导体TFT中的氧化物半导体层的第1区域的一部分和源极电极的一部分露出；以及连接电极，其配置在层间绝缘层上和源极接触孔内，在源极接触孔内连接到第1区域的一部分和源极电极的一部分。