公开(公告)号：CN104081531A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007248.4

申请日：2013-02-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  傅新宇 ,  唐薇 ,  阿蒂夫·努里

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供采用掺杂Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的装置和方法。此类膜可用作高k介电帽层、PMOS功函数层、铝阻挡层和/或氟阻挡物。这些TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN膜可用于传统上使用TiN及/或TaN膜处，或者所述膜可结合TiN及/或TaN使用。

公开(公告)号：CN119497762A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380052481.8

申请日：2023-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  徐翼 ,  吴典晔 ,  张爱西 ,  贾勒帕里·拉维 ,  雷雨

IPC: C23C16/458

Abstract: 本文提供了在处理腔室中使用的冲洗环的实施例。在一些实施例中，冲洗环包括：环状主体，具有内部及外部，其中内部包括环状主体的内表面，内表面包含第一内侧壁、第二内侧壁及第三内侧壁，其中内部具有界定第一内侧壁的上部内凹口及界定第二内侧壁的下部内凹口，其中第三内侧壁在第一内侧壁与第二内侧壁之间设置，并且其中第一内侧壁及第二内侧壁从第三内侧壁径向向外地设置。

公开(公告)号：CN119404285A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380047957.9

申请日：2023-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  雷雨 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  维卡什·班西埃 ,  维克多·H·卡尔德隆 ,  杜诗薇 ,  李雍信 ,  阿尼迪塔·森

IPC: H01J37/32

Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施例中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以限定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。

公开(公告)号：CN119072768A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380034539.6

申请日：2023-03-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许智勋 ,  岳诗雨 ,  雷蔚 ,  徐翼 ,  吕疆 ,  雷雨 ,  熊子逸 ,  杨宗翰 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  张洁 ,  吴立其 ,  汪荣军 ,  陈世忠 ,  吴孟珊 ,  王俊杰 ,  安娜马莱·雷克什马南 ,  杨逸雄 ,  唐先敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。

公开(公告)号：CN115004329A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202080094059.5

申请日：2020-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  大东和也 ,  雷雨 ,  吴典晔 ,  贾勒帕里·拉维

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了用于预清洁具有金属及介电表面的基板的方法。在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理，以从该金属底部、所述介电侧壁、和/或该电介质的该场去除化学残留物和/或杂质，和/或修复所述介电侧壁和/或该电介质的该场中的表面缺陷。该双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体。

公开(公告)号：CN111587481A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201980008203.6

申请日：2019-01-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  雷雨 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  维卡什·班西埃 ,  维克多·H·卡尔德隆 ,  陶世伟 ,  李永新 ,  阿尼迪塔·森

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。

公开(公告)号：CN110709534A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN110066984A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910069988.X

申请日：2014-09-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  柳尚澔 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN110024132A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780071771.1

申请日：2017-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  马飞跃 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  詹·跃·王 ,  常梅

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324

Abstract: 形成触点线的方法包括清洁在沟槽中的钴膜的表面及在此钴的表面上形成保护层，此保护层包括硅化物或锗化物中的一或多种。也公开了具有触点线的半导体装置。

公开(公告)号：CN102959710B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201180029706.5

申请日：2011-05-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  哈阳成 ,  李维迪 ,  金勋 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷雨 ,  凯文·莫雷斯 ,  唐先民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍；以及在特征结构内，在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构，第三层包含金属，其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层，以形成供后续沉积层所用的成核层，其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层，且其中第三层形成栅极电极。