公开(公告)号：CN103492499A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019477.3

申请日：2012-03-23

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 冈田悠平 ,  吉川贵浩 ,  野部茂

IPC: C09D11/00 ,  C09D11/02 ,  B41M5/00 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1868 ,  C09D11/102 ,  C09D11/30 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种喷墨用二氧化硅系被膜形成组合物，其含有硅化合物、溶剂和表面调节剂，溶剂含有γ-丁内酯、沸点为80～100℃的第二溶剂以及沸点为180～230℃的第三溶剂，相对于溶剂的总质量，所述γ-丁内酯的质量比为0.2以上，相对于溶剂的总质量，第二溶剂的质量比为0.2～0.5。

公开(公告)号：CN101689494B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880023332.4

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: H01L21/321 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。

公开(公告)号：CN103097954A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180044326.9

申请日：2011-09-02

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 谷本明敏 ,  野部茂 ,  粕谷圭 ,  松谷宽 ,  上野巧 ,  青木优 ,  田原真吾

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  G03F7/023 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/40 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明的正型感光性树脂组合物含有：具有酚羟基的碱溶性树脂、通过光生成酸的化合物、热交联剂、以及具有选自环氧基和硫醚基的至少一种官能团的硅烷化合物。

公开(公告)号：CN105368397B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201510902635.5

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂、研磨剂组件及使用该研磨剂的基板研磨方法。所述研磨剂含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂，所述添加剂含有选自以下的(1)～(3)组成的组中的至少一种：(1)烯丙胺聚合物或其衍生物；(2)二烯丙基胺聚合物或其衍生物；(3)含有选自由下述通式(Ⅰ)～(Ⅳ)组成的组中的至少一种单体成分的聚合物。

公开(公告)号：CN102766407B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210212508.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  B24B37/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂，该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。

公开(公告)号：CN101611476B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200880005185.8

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。

公开(公告)号：CN104067395A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380005060.6

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  岩室光则 ,  野部茂 ,  冈田悠平

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L21/2255 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种掩模形成用组合物，其含有硅化合物、含碱土金属或碱金属的金属化合物、和分散介质。

公开(公告)号：CN102232242B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200980148395.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。