公开(公告)号：CN101226866A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810003169.7

申请日：2008-01-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前岛聪 ,  森田雅史 ,  斋藤光央 ,  冈崎浩司 ,  本间义康

IPC: H01J17/49 ,  H01J17/02 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 本发明提供一种PDP，其具有形成于基板(103)上的显示电极(106)、电介质层(107)和保护膜(108)，保护膜(108)为包含氧化镁的金属氧化膜，且保护膜(108)的任意点的膜厚、和任意点的通过阴极发光法测出的发光波长400nm到450nm之间的最大发光强度(A2)与发光波长330nm到370nm之间的最大发光强度(A1)的比率(A2/A1)之积，作为保护膜(108)的面内分布在±15％以内的偏差范围内。

公开(公告)号：CN101080797A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200680001400.8

申请日：2006-11-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前岛聪 ,  泷井谦昌 ,  森田雅史 ,  本间义康 ,  斋藤光央

IPC: H01J9/02 ,  H01J11/02 ,  C23C14/24

CPC classification number: H01J9/20 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/081 ,  C23C14/568 ,  H01J11/10 ,  H01J11/40

Abstract: 一种等离子显示面板的制造方法。其中的成膜装置具有：在形成有显示电极和电介质层的前面基板(3)的形成有电介质层的面上形成保护膜的蒸镀室(21)；在蒸镀室(21)内搬送前面基板(3)的传送部(25)；向蒸镀室(21)内导入含H2O的气体的气体导入部(29a、29b)；测量比蒸镀室(21)的成膜空间的中央更向所述前面基板(3)的传送方向的下游侧的蒸镀室(21)内的规定的气体的分压的分压检测部(29c)；以控制在分压检测部(29c)的气体的分压的方式从气体导入部(29a、29b)导入含H2O的气体。

公开(公告)号：CN102782817B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180012319.0

申请日：2011-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  斋藤光央

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H05H1/30

CPC classification number: H05H1/30 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/324

Abstract: 在基材载置台(1)的基材载置面(1a)上载置有基材(2)。感应耦合型等离子体喷枪单元(3)包括：筒状腔室(7)，其包括设有长方形的狭缝状的等离子体喷出口(4)且由绝缘体材料构成的圆筒(5)、及闭塞圆筒(5)的两端的盖(6)；气体喷出口(8)，其向筒状腔室(7)内供给气体；螺线管(9)，其使筒状腔室(7)内产生高频电磁场。通过从高频电源(41)向螺线管(9)供给高频电力，由此使筒状腔室(7)内产生等离子体(P)并将其从等离子体喷出口(4)向基材(2)照射。能够使等离子体喷枪单元(3)和基材载置台(1)相对地移动并同时对基材表面进行热处理。

公开(公告)号：CN103296095A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310019770.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宍田佳谦 ,  斋藤光央

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制造方法。在玻璃基板（201）上依次配置有作为多层电极的第1电极层（202）、光电转换层（206）、及作为透明电极层即第2电极层的ITO层（210），从玻璃基板（201）来进行观察时，第1电极层（202）中依次层叠有Cr层（203）、以Cr及ZnO为构成材料的混合层（204）、及ZnO（205）层，由于混合层（204）中的Cr的含量向着Cr层（203）的方向逐渐增大，因此能够长时间地防止Cr层（203）与ZnO层（205）产生剥离。

公开(公告)号：CN1617656B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200410085941.6

申请日：2004-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  末次宪一郎 ,  川添启司 ,  斋藤光央 ,  古泽彰男

IPC: H05K3/34

CPC classification number: H05K3/3489 ,  H05K3/288 ,  H05K3/3447 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/095

Abstract: 本发明提供一种电子部件的处理方法，其是将具有端子部的电子部件的树脂包覆剥离的电子部件的处理方法，其特征在于，包含将等离子照射到以铜为主要成分且表面由树脂包覆的包覆线上的步骤。

公开(公告)号：CN101312106A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810098550.6

申请日：2008-05-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤光央 ,  森田雅史 ,  前岛聪 ,  山下英毅 ,  藤井努 ,  上木原伸幸

IPC: H01J17/02 ,  H01J9/00 ,  H01J17/49 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J11/42 ,  H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 本发明提供一种等离子显示面板用前面板及其制造方法和等离子显示面板，可以抑制PDP用背面板的隔壁的欠缺的产生率，增大电介质层的初期电子放出的稳定性并且减小保持壁电荷所需的电压。该PDP用前面板包括基板(11)、在基板上形成的多个电极(12)、按照覆盖各个电极和基板的方式形成的电介质层(13)、按照覆盖电介质层的方式形成的电介质保护层(14)、和在电介质保护层上分散的粉体部件(15)。在粉体部件的至少与电介质保护层未接触的露出表面，形成有厚度为10nm～300nm的退火层(15a，15c)。

公开(公告)号：CN1585069A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410057670.3

申请日：2004-08-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  森田雅史 ,  大熊崇文 ,  寺内正治 ,  朝山纯子

IPC: H01J9/20 ,  H01J17/04 ,  H01J17/49 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J11/12 ,  C09K11/025 ,  C09K11/7734 ,  H01J11/42

Abstract: 本发明提供一种新型的PDP及其制造方法，利用例如氟化物的物理蒸镀，按照包覆荧光体微粒(7)的方式形成含氟预涂层，并向该预涂层供给氟，从而形成包覆荧光体微粒(7)的包覆层(8)。将所得到的带包覆层(8)的荧光体微粒(7)形成糊剂状，并涂布在位于基板(1)上的邻接的棱(4)之间，形成荧光体层(5)，制造PDP。根据本发明的PDP制造方法，能够实现对湿气、氧、等离子体等周围环境具有高的耐受性、特别是耐水性、和高的紫外线透射性的含氟包覆层。能够得到亮度高且亮度劣化小PDP。

公开(公告)号：CN1519392A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001299.9

申请日：2004-01-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  斋藤光央

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05H1/48

Abstract: 一种用于通过将电功率提供给设置在等离子源或待加工物体处的电极以产生直线等离子，同时将气体提供给设置在待加工物体附近的等离子源，并通过使等离子产生的活化粒子作用在待加工物体上，由此加工待加工物体的直线部分的等离子加工方法，所述方法包括步骤：当X－轴在待加工物体直线部分的直线方向时，检测等离子源在X－轴方向的倾斜度；并通过沿X－轴方向移动等离子源，同时保持等离子源和待加工物体的相对位置，以便检测的等离子源的倾斜度变得近似为零，由此通过产生的直线等离子加工待加工物体的直线部分。

公开(公告)号：CN103125016B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280003093.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  野村刚 ,  奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  田边浩 ,  臼井幸也

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。

公开(公告)号：CN103178149A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210560048.9

申请日：2012-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤光央 ,  山西齐 ,  永井久雄 ,  奥村智洋 ,  中山一郎

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提高利用pin结型薄膜层构成的薄膜太阳能电池的转换效率。具体而言，提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法，该薄膜太阳能电池的内部包括层叠体，该层叠体包括：第一扩散层，其由具有p型或n型的导电性的半导体构成；成膜层，其由具有比第一扩散层低的导电性的半导体构成；和第二扩散层，其由具有与成膜层不同的极性的半导体构成，第一扩散层和第二扩散层的杂质浓度沿各自的膜厚方向梯度性地分布。第一扩散层的表面附近的杂质浓度比第一扩散层的与成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。第二扩散层的表面附近的杂质浓度比第二扩散层的与所述成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。