公开(公告)号：CN102163564B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110026480.5

申请日：2011-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村太一 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及接合结构体及接合结构体的制造方法。本发明非常希望实现功率半导体模块的高输出功率化，需要进一步提高接合部的耐热性，使得即使温度上升，用于将半导体元件与电极接合的接合部也不会熔融。本发明是一种接合结构体(1100)的制造方法，该方法是由半导体元件(1110)通过接合部(1130)与电极(1120)接合而成的接合结构体(1100)的制造方法，其特征在于，包括：焊锡球载放工序，该焊锡球载放工序中，将用Ni镀层(1231)覆盖Bi球(1232)的表面而成的焊锡球(1230)载放于已加热至Bi的熔点以上的温度的电极(1120)上；接合材料形成工序，该接合材料形成工序中，将焊锡球(1230)按压于经加热的电极(1120)上，使Ni镀层(1231)破碎，使熔融状态的Bi在经加热的电极(1120)的表面扩散，形成含有由Bi和Ni组成的Bi系金属互化物(1131)的接合材料(1130’)；以及半导体元件载放工序，该半导体元件载放工序中，将半导体元件(1110)载放于接合材料(1130’)上。

公开(公告)号：CN102047398B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201080001751.5

申请日：2010-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52 ,  C22C12/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/264 ,  B23K35/325 ,  B32B15/01 ,  C22C12/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在半导体元件(102)的表面(102b)配置晶格与以Bi为主要成分的接合材料(106)不同的金属的层(105)，并且在晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)和半导体元件(102)的表面(102b)之间配置与接合材料(106)的化合物生成热为正值的元素的层(104)，藉此防止晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)的成分向半导体元件(102)扩散。

公开(公告)号：CN102422403A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080021256.0

申请日：2010-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，包含以Bi为主要成分的接合材料，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。

公开(公告)号：CN1182283A

公开(公告)日：1998-05-20

申请号：CN97117421.0

申请日：1997-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东田隆亮 ,  熊谷浩一 ,  松尾隆广

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49158 ,  H01L2924/00014

Abstract: 整体模制导电部件(103)和底座部件(102),导电部件(103)由金属线构成,并在底座部件(102)的半导体元件安装面(104)与电路板安装面(105)之间直线延伸。为此,向其中预先线性设置有导电部件的模具中注入用来形成底座部件的树脂材料。