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公开(公告)号：CN1086521C
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN98115410.7
申请日：1998-04-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03D3/24
CPC classification number: G06F5/06
Abstract: 一种半导体集成电路包括：减少时钟信号和数据信号之间第一相差的相差减少电路；和接收减少了时钟信号和数据信号之间的第一相差的数据信号的电路。
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公开(公告)号：CN1208931A
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN98119865.1
申请日：1998-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H03K19/01707
Abstract: 本发明之半导体集成电路包括:含MOS晶体管用于驱动负载的驱动器;及用于稳定因MOS晶体管栅—源寄生电容引起的MOS晶体管源极电压变化的稳定器。
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公开(公告)号：CN1979691A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610164099.4
申请日：2006-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C29/50 , G11C11/41 , G11C29/12005 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204
Abstract: 半导体存储器件包括：存储单元，具有其中提供给包括在锁存器部分中的负载晶体管108和111的源极的电位不同于提供给字线105的电位和提供给位线106和107的电位中的至少一个的电路结构；锁存器电位控制电路101用于根据施加到测试模式设定管脚102上的信号，对正常操作模式和测试模式进行相互切换；以及读出/写入控制电路103，用于在测试模式中的至少读出操作的任意时期，将提供给负载晶体管108和111的源极的电位控制为比提供给字线105的电位和提供给位线106和107的电位中的至少一个低。
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公开(公告)号：CN1181493C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN99805064.4
申请日：1999-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407
CPC classification number: G11C8/14 , G11C8/12 , G11C11/4087
Abstract: 一种半导体存储装置，设置各自带有分层型字线构成的4个存储组(10-13)。在各存储组中在固定了主字线的选择的情况下可以改变激活的副字线及列选择线，在上述控制分组(PKT)指定特定的模式时模式判定器(15)在固定了每个存储组的主字改变使能(MEN0-3)信号的逻辑电平的情况下生成每个存储组的副字改变使能(SEN0-3)信号及每个存储组的列改变使能(CEN0-3)信号的各自的上升沿。由此提高了各存储组的行存取速度。
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公开(公告)号：CN1499638A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310114832.8
申请日：2003-11-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L23/52 , G11C11/413
CPC classification number: H01L27/0203 , G11C5/025 , H01L27/105
Abstract: 本发明的目的在于：提供能够减少在高位层次中的布线的占有面积的存储器宏及半导体集成电路而又不损害其通用性。为此，设置存储器阵列部、成为存储器阵列部的接口的连接电路、以及连接存储器阵列部与连接电路的信号布线。在存储器阵列部上部设置由第1及第2布线层构成的网状布线。连接电路用由第2布线层构成的中间布线连接到由设置在存储器阵列部、连接电路或者信号布线的上部的第3布线层构成的多条信号线上。设置中间布线的区域被配置在存储器阵列部或者信号布线的上部，而且，在设置中间布线的区域不存在由第2布线层构成的网状布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1293495A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00129761.9
申请日：2000-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B3/02
CPC classification number: H04L25/028 , H04L25/0276
Abstract: 驱动分别通过终端电阻与终端偏压耦合的传输线路对。设有与上述传输线路对耦合的电流驱动器;用来监测上述传输线路对的共态电压(中间电位)和电流驱动器的电源电位之差的共态电压监测电路;与上述传输线路对耦合,而能根据该监测结果分段地修正电流驱动器的输出电流的电流修正电路。在因电流驱动器上的电源电位下降,传输线路对的共态电压变动而使该电流驱动器的电流驱动能力下降之时,将所降部分补回来,以进行恒流操作。
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公开(公告)号：CN1197294A
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN98107049.3
申请日：1998-02-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/3004 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括:包括多个电路块的阵列部分;漏电流切断部分,用于切断出现在阵列部分中多个电路块的至少一个中的漏电流;以及控制部分,用于根据漏电流切断信息控制漏电流切断部分。
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公开(公告)号：CN100472643C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410102196.1
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C7/1006 , G11C7/10 , G11C2207/104 , H01L27/10897
Abstract: 一种存储电路(10)，包括：馈通输入端子(13)，用于输入与当读取和写入存储单元时要输入的信号不同的信号；中间缓冲电路(14)，设置在其中布置存储单元的区域之间，用于转发通过馈通输入端子(13)输入的信号；和馈通输出端子(15)，用于输出被中间缓冲电路(14)转发的信号。通过馈通布线(16，17)，来分别建立馈通输入端子(13)与中间缓冲电路(14)之间的连接以及中间缓冲电路(14)与馈通输出端子(15)之间的连接。馈通布线(16，17)不连接于在读取和写入存储单元时所使用的布线，也不连接于所述存储单元。
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公开(公告)号：CN100354979C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200310118140.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/14 , G11C2207/065
Abstract: 提供一种能够提高产品的出产量的半导体存储装置。虚拟控制电路通过第一和第二虚拟字线而激活第一虚拟列和第二虚拟列，其中第一虚拟列包括在行方向上位于靠近行解码器的位置的多个虚拟单元，第二虚拟列包括在行方向上距离行解码器最远位置的多个虚拟单元，在第一虚拟列和第二虚拟列之间插入有多个存储单元。虚拟列选择器选择与第一虚拟列相连接的第一虚拟位线上的信号和与第二虚拟列相连接的第二虚拟位线上的信号中的一个，并将选择的信号输出到放大器控制电路。放大器控制电路根据来自虚拟列选择器的信号而产生关于放大器电路的放大器启动信号。
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公开(公告)号：CN1255817C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02151573.5
申请日：2002-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/4078
CPC classification number: G11C29/808 , G11C29/812
Abstract: 提供一种半导体集成电路，通过在多个SRAM宏中共享冗余存储器宏来提高面积效率和补救效率。多个存储器宏1A1、1A2分别具有连接于字线WL1-WL32和位线上的存储单元阵列1A-3、和将存储单元阵列的故障位线置换成相邻的正常位线和冗余位线BLA65并将故障信息输出给冗余信号线RA的冗余电路，冗余存储器宏2A具有连接于冗余字线和冗余位线上的冗余存储单元阵列；和接受冗余信号线的故障信息后，将对应于应补救存储器宏的字线连接到冗余字线上，并将对应于正常存储器宏的字线从冗余字线上断开的第一字线连接电路。
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