半导体装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101794754A

    公开(公告)日:2010-08-04

    申请号:CN201010110421.1

    申请日:2010-02-03

    CPC classification number: H01L23/3735 H01L23/473 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一种半导体装置,包括:绝缘基底,所述绝缘基底具有陶瓷基底和位于所述陶瓷基底的相反表面上的金属涂层;半导体芯片,所述半导体芯片安装在所述绝缘基底的一个表面上;热沉,所述热沉直接或间接地固定至所述绝缘基底的另一表面,并经由所述绝缘基底与所述半导体芯片热连接;以及至少一个抗翘曲片,所述至少一个抗翘曲片设置在所述热沉的至少一个表面上。所述抗翘曲片由具有涂层的金属片制成并且具有介于所述绝缘基底的热膨胀系数与所述热沉的热膨胀系数之间的热膨胀系数。

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