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公开(公告)号：CN1525900A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02813831.7
申请日：2002-07-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光机，该抛光机包括：抛光表面；基片托架，其保持基片并使其与抛光表面接触。基片托架包括：托架体；基片保持元件，其保持基片，使基片的被抛光表面直接朝向抛光表面。基片保持元件在托架体上的安装方式，使基片保持元件既可以趋向抛光表面运动也可以远离抛光表面运动。基片抛光机还包括基片保持元件定位装置，该装置设置在基片保持元件的侧面，该侧面与基片保持元件保持基片的侧面相反。基片保持元件定位装置具有一种柔性元件，此元件限定了一种室，此室一经引入不可压缩流体，便朝向抛光表面方向扩展。
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公开(公告)号：CN113001394B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202011504421.X
申请日：2020-12-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B27/00 , B24B47/20 , B24B49/04 , B24B49/12 , B24B53/017 , B24B55/06 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明为基板处理装置、基板处理方法及基板研磨方法，无论基板的直径的公差如何都提高基板的被研磨面的研磨的均匀性。基板处理装置包括：用于支承基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨垫(222)的垫保持件(226)，而该研磨垫用于对支承在工作台(100)上的基板(WF)进行研磨；用于使垫保持件摆动的摆动机构；用于支承通过摆动机构而向工作台(100)的外侧进行摆动的研磨垫的支承部件(300A、300B)；用于测量基板(WF)的直径的测量器(400)；以及根据由测量器(400)测量出的基板(WF)的直径来调整支承部件相对于支承在工作台(100)上的基板(WF)的位置的驱动机构(320)。
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公开(公告)号：CN113134785B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110042947.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够精密控制晶片、基板、面板等工件的膜厚轮廓的研磨头系统。研磨头系统具备：具有将多个按压力施加于工件(W)的多个压电元件(47)的研磨头(7)；及决定应施加于多个压电元件(47)的电压的多个指令值的动作控制部(10)。
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公开(公告)号：CN116745068A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180089767.4
申请日：2021-11-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/12
Abstract: 抑制基板的被研磨面损伤，且使研磨率提高。基板处理装置包含：用于支承基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨垫(222)的垫保持器(226)，该研磨垫(222)用于研磨被工作台(100)支承的基板(WF)；用于在垫保持器(226)的周围供给研磨液的喷嘴(228)；及用于使垫保持器(226)旋转的垫旋转机构，垫保持器(226)具有：形成于保持研磨垫(222)的保持面(221‑2c)的中央部的排出孔(221‑2a)；及从排出孔(221‑2a)连通至垫保持器(226)外部的排出路(221‑2b)。
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公开(公告)号：CN115139214A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210293413.8
申请日：2022-03-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/013 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种在测定研磨中的基板的膜厚时，能够不使光的透过率降低地以较高精度进行测定的基板研磨装置和基板研磨方法。基板研磨装置(1)具备载物台(10)、保持研磨垫(22)的研磨头(21)、研磨液供给喷嘴(28)、膜厚测定头(31)、光谱解析部(34)、安装有膜厚测定头(31)的测定头喷嘴(40)，测定头喷嘴(40)具备形成横穿光和反射光的光路的液体的流动的第一流路系统(71)和第二流路系统(72)，第一流路系统(71)具有位于光路上的开口部(154)，第二流路系统(72)具有液体喷出口(254)和液体吸入口(255)，液体喷出口(254)和液体吸入口(255)位于开口部(154)的两侧。
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公开(公告)号：CN115087517B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202180013002.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B41/06 , B24B49/02 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。基板处理装置包含：平台，用于支承基板；垫保持架，用于保持研磨垫，研磨垫用于研磨被支承在平台的基板；升降机构，用于使垫保持架相对于基板升降；及至少3个定心机构400A、400B、400C，用于向平台的中心方向按压被支承在平台的基板以进行对位，至少3个定心机构400A、400B、400C分别包含：被配置在平台的周围的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440，定心构件440包含：旋转轴430向第1方向旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴430向与第1方向相反的第2方向旋转时与基板WF接触的第2接触部440b。
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公开(公告)号：CN113134785A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110042947.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够精密控制晶片、基板、面板等工件的膜厚轮廓的研磨头系统。研磨头系统具备：具有将多个按压力施加于工件(W)的多个压电元件(47)的研磨头(7)；及决定应施加于多个压电元件(47)的电压的多个指令值的动作控制部(10)。
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公开(公告)号：CN111604809A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010106480.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B57/02 , B24B49/10 , H01L21/67 , H01L21/321
Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
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公开(公告)号：CN101230481A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710181850.6
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
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