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公开(公告)号:CN101484776A
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200780024822.1
申请日:2007-06-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01C19/5663
Abstract: 本发明公开了一种振动型陀螺仪传感器,包括检测角速度的振动元件(1X,1Y)、电连接至振动元件(1X,1Y)并且支撑振动元件(1X,1Y)的支撑基板(2)、电连接至支撑基板(2)并且包括外部连接端子(3)的中继基板(4)、以及被配置在支撑基板(2)与中继基板(4)之间并且抑制了应变和振动在支撑基板(2)与中继基板(4)之间的传递的缓冲部件(5)。该振动型陀螺仪传感器能够稳定振动特性,而不受应变和振动的影响。
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公开(公告)号:CN1848473A
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200610082066.5
申请日:2006-03-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/18 , H01L41/22
Abstract: 需要一种能够提高生产率和产量而不降低压电特性的压电元件及其制造方法。压电元件提供有衬底、设置在衬底上的第一电极膜、设置在第一电极膜上的压电膜和设置在压电膜上的第二电极膜。该压电膜具有由多个结晶化的压电薄膜构成的叠置结构。通过形成压电薄膜的膜形成步骤和热处理压电薄膜以影响结晶化的结晶化热处理步骤的重复循环来形成具有预定厚度的压电薄膜。以这种方式,可制造在膜厚度方向上显示出均匀结晶度的压电膜。
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公开(公告)号:CN1337672A
公开(公告)日:2002-02-27
申请号:CN01121756.1
申请日:2001-07-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/40 , G11B2005/3996
Abstract: 在具有与导电间隙层25和27一起夹在一对磁屏蔽层24和28之间的磁隧道连接元件26的磁隧道效应型磁头20中,导电间隙层25和27由至少一层包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的非磁性金属层形成。所以,能改善磁头20的与磁记录介质相对的面。
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