公开(公告)号：CN101450797B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200710196650.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  李祥龙 ,  魏大程 ,  王钰 ,  石大川

IPC: C01B31/02 ,  C09C3/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN101683976A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810149298.7

申请日：2008-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  黄丽平 ,  刘云圻 ,  魏大程 ,  王钰 ,  张洪亮

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/36 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了碳纳米管及其制备方法以及使用碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括在催化剂和助催化剂存在下，通过电弧放电法由碳源生产碳纳米管，其中，所述助催化剂包括能降低在催化剂上碳纳米管生长位点的表面能的单质。本发明制备碳纳米管的方法可以制备出纯度非常高并且直径分布窄的碳纳米管。

公开(公告)号：CN101450798A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196652.7

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  付磊 ,  刘云圻 ,  李祥龙 ,  曹灵超 ,  魏大程 ,  王钰 ,  于贵

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/28 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、由此得到的碳纳米管以及使用该碳纳米管制备的元件。该处理碳纳米管的方法使用含羟基自由基(HO.)的水溶液对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN101450797A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196650.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  李祥龙 ,  魏大程 ,  王钰 ,  石大川

IPC: C01B31/02 ,  C09C3/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。