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公开(公告)号：CN1545698A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800858.0
申请日：2003-04-22
Applicant: 索尼株式会社 , 索尼磁碟科技股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B20/10 , G11B20/12
CPC classification number: G11B7/00455 , G11B7/00736 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B20/10
Abstract: 一种通过采用了一种结构可以低成本制造的光记录介质和一种相应于一再现专用光记录介质结构的制造方法。这种光记录介质能够附加地记录诸如密码、标记等之类其它新的信息，能够可靠地对它们加以记录，并且拥有令人满意的特性。光记录介质(S)包括有一信息层(2)，信息层(2)包括一反射膜(3)，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分。反射膜由具有不小于20μΩ.cm和不大于90μΩ.cm的电阻率的Al合金或Cu合金形成，能够通过热记录把信息附加地记录在反射膜(3)上。
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公开(公告)号：CN1092381C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN96107289.X
申请日：1996-04-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/242 , G11B7/005 , G11B7/08511 , G11B7/127 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/244 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明为一种多层光盘，具有一个使用通用重放装置，如CD唱机也能被重放的信息存储层并且使用一个专用重放装置能从其他信息存储层读取信息。根据本发明具有多个信息存储层的多层光盘包括多个信息存储层，其中多个信息存储层的其中之一对于重放光束的第一波长770nm至830nm的反射因数为70%或更高，而其他的信息存储层由具有与重放光束的第一波长不同的第二波长的重放光束重放。
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公开(公告)号：CN100502011C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580024194.8
申请日：2005-07-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/1675
Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。
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公开(公告)号：CN100468808C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410103790.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化-还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。
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公开(公告)号：CN100440349C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200380100300.7
申请日：2003-11-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , G11B7/1267
Abstract: 一种制作用于制造光盘的压模的方法包括：曝光步骤，用以与光盘上/中形成的信息凹出/凸入图案的信息信号对应的信息信号调制的记录激光束照射衬底(100)上形成的有机抗蚀层(101)，以形成与光盘上的信息凹出/凸入图案对应的曝光图案，和显影步骤，显影有机抗蚀层以形成与该有机抗蚀层的凹出/凸入图案对应的凹凸图案。在曝光步骤中，将估计激光束施加到该有机抗蚀层上预定区域，利用该估计激光束的反射光来估计该有机抗蚀层的曝光图案的记录信号特性，并根据估计结果来控制该记录激光束的功率。从而将信息可靠地记录在目标光盘上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101145600A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710163092.5
申请日：2004-03-18
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。
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公开(公告)号：CN1790540A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120135.2
申请日：2005-11-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C7/00 , G11C16/06 , H01L27/10 , H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器包括：以矩阵形式排列的存储元件，每个存储元件具有下述特性，当将电平等于或者高于第一阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从高值变为低值，以及当将电平等于或者高于第二阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从低值变为高值，所述第一和第二阈值信号的极性彼此不同；电路，用于施加电信号给存储元件；以及检测单元，每个用于测量从开始施加电信号时起流过对应存储元件的电流或者施加给对应存储元件的电压，以便检测电阻是高还是低。
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公开(公告)号：CN1722302A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510069790.X
申请日：2005-01-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种在高速条件下能记录多值数据和利用具有相对简单配置的驱动电路进行多值数据记录的存储器设备。存储器设备由包括根据电阻值状态保存信息的存储器元件和作为负载串联连接到存储器元件上的MIS晶体管的存储器单元构成；当分别把存储器单元由高阻值状态到低阻值状态的操作定义为写入和把存储器单元由低阻值状态改变到高阻值状态的操作定义为擦除时，通过控制在写入时施加到MIS晶体管上的栅极电压VG1、VG2和VG3等等，把写入之后的存储器元件的电阻值设置为多个不同的级别，以致分别把不同信息分配到多个级别的每一个中，并且在擦除之后分配到高阻值状态来分别存储三个值或更多值信息到每个存储器单元的存储器元件中。
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公开(公告)号：CN1698203A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000388.X
申请日：2004-03-18
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。
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公开(公告)号：CN1697195A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410094244.7
申请日：2004-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。
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