基于卷积神经网络的帧同步方法、设备及介质

    公开(公告)号:CN114157544B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202111487260.2

    申请日:2021-12-07

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于卷积神经网络的帧同步方法、设备及介质,应用于无线通信系统,方法为:Step1:准备无线通信系统的通信数据集,对接收端数据进行预处理,并根据发送端数据确定接收端数据中的数据包起始位置;Step2:构建卷积神经网络模型,以接收端预处理后的数据为输入,以接收端数据中的数据包起始位置为输出,对构建的卷积神经网络模型进行训练;Step3:将训练好的卷积神经网络模型嵌入到接收端的帧同步系统之中;Step4:对接收端数据进行预处理,再输入至训练好的卷积神经网络,输出即为接收端数据中的数据包起始位置。本发明能充分解决发送端和接收端之间信息漏同步和假同步的问题,提高同步系统的同步性能。

    一种多功能柔性应变-压力传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN110595647B

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN201910864794.9

    申请日:2019-09-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种多功能柔性应变‑压力传感器及制备方法,包括第一基板、第二基板以及夹设并贴合于第一基板和第二基板之间的介电质层;第一基板与介电质层之间设有第一电阻传感器组,所述介电质层与所述第二基板之间设有第二电阻传感器组,所述第一电阻传感器组与第二电阻传感器组在任一基板平面内的投影呈角度相交;使得所述第一电阻传感器组、介电质层以及第二电阻传感器在每个相交点处的垂向空间内形成电容传感器单元以感应所述相交点处所受的压力,使得所述第一电阻传感器组以及第二电阻传感器用于感应电阻传感器单元处所受的拉伸应力。相比现有技术而言,能在不同载荷环境中同时采集到不同的荷载信号,大大拓展柔性压力传感器应用范围。

    一种功率电子焊料层中可控空洞的制作方法

    公开(公告)号:CN112928034A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110112070.6

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明提供了一种功率电子焊料层中可控空洞的制作方法,包括以下步骤:S1:在衬板与芯片背面涂覆阻焊层;S2:将设定好空洞图案的遮光板分别与衬板和芯片贴合,并进行曝光,形成阻焊区域;S3:进行烧烤固化,然后依次用稀盐酸和无水乙醇清洗;S4:贴附焊片后进行回流焊,完成焊接。本发明通过在衬板上表面和芯片背部设定所需的阻焊区域,实现该区域无焊锡填充而出现空洞图案,能够保证准确调控焊料层空洞的多种特征参数如空洞率、空洞尺寸、空洞位置分布等,工艺流程简单,与现有工艺融合度高,方便量化研究空洞缺陷的各个参量对焊料层服役可靠性的影响规律,有利于进一步指导并优化焊料层缺陷检测的评估标准。

    超声烧结封装装置
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109540374A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201910024633.9

    申请日:2019-01-10

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种超声烧结封装装置,应用于耐高温的压力传感器,所述压力传感器包括一不锈钢外壳,所述不锈钢外壳的底部设置有一管座,所述管座的顶端由下至上依次设置有下玻璃层、绝缘层和上玻璃层;所述超声烧结封装装置包括:加热平台,设置在所述不锈钢外壳的底端,用于给所述压力传感器的烧结封装提供热能;超声发生装置,设置在所述不锈钢外壳的顶端,用于给所述压力传感器的烧结封装提供超声能。本发明提供的超声烧结封装装置,能降低压力传感器的封装温度,保护压力传感器的芯片和封装体,同时利用超声能的强机械效应和清洁效应,改善了压力传感器封装的整体质量。

    一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置

    公开(公告)号:CN106206339B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201610546341.8

    申请日:2016-07-12

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置,将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准,将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃~220℃;将上芯片压在下芯片上,当施加在芯片上的压力达到预期的压力10MPa~30MPa时,开启超声电源并输出大功率1W~6W,并持续时间10ms~200ms;之后再将压力增大到20MPa~80MPa,超声输出功率降低到1W~3W,并保持时间100ms~2000ms,完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合。本发明是一种能保证键合界面微结构的形成以及键合后的强度和可靠性的微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置。

    一种纳米银/石墨烯复合墨水的热超声烧结方法及其装置

    公开(公告)号:CN106211606B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201610576017.0

    申请日:2016-07-20

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米银/石墨烯复合墨水的热超声烧结方法及其装置,将纳米银粉末和石墨烯分散在混合有机溶剂中,配置质量百分比为0.01%~90%的纳米银/石墨烯复合墨水;通过气压将高粘度的纳米银/石墨烯复合墨水从胶筒中挤出来,通过点胶头涂写在柔性基板上形成带导电电路的柔性基板;将烘干的带导电电路的柔性基板放在两层PDMS保护塑料之间,施加压力达到所需值3~30MPa;加热温度为60~160℃;然后,在3~30MPa、60‑160℃的条件下,进行热压预烧结,烧结时间为1‑10分钟,在3‑30MPa、60‑160℃的条件下进行热超声烧结,烧结时间为1‑10分钟,通过超声、压力和温度的作用,实现纳米银/石墨烯之间的固态扩散,制备出具有良好导电性能和机械弯折性能的柔性电路。

    细节距单IC芯片封装件及其制备方法

    公开(公告)号:CN107492534A

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201710656820.X

    申请日:2017-08-03

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种细节距单IC芯片封装件及其制备方法,其中,封装件包括塑封体,塑封体内设有引线框架载体和多个框架引线内引脚,引线框架载体的上表面固接有IC芯片,IC芯片的上表面设有多个焊盘,多个焊盘呈两排平行布置,形成第一焊盘组和第二焊盘组,每个焊盘通过铜键合线分别对应连接一框架引线内引脚,每一焊盘组中的多个焊盘的上表面间隔设置有铝电镀层,一个焊盘组中设置有铝电镀层的焊盘与另一焊盘组中未设置铝电镀层的焊盘相对应。该封装件中相邻焊点不易短路,产品良率高、质量好,本发明的制备方法成本低、生产效率高。

    一种基于图像分析的TSV结构的三维应力表征方法

    公开(公告)号:CN105067421B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201510585488.3

    申请日:2015-09-15

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于图像分析的TSV结构的三维应力表征方法,包括如下步骤:步骤一、利用高分率X射线显微镜,从不同角度对TSV结构进行成像,然后通过图像重构技术获得TSV结构的三维结构点云数据;步骤二、计算TSV结构在外载荷作用前后,上述点云数据中每一个点的空间三维变形量;步骤三、根据步骤二得到的三维变形量,采用拉格朗日应变张量来计算TSV结构中每个点的三维应力状态。本发明基于图像信号分析来表征TSV结构三维应力,能弥补传统应力表征的成本昂贵、效率较低的不足,对含TSV结构的器件在外载荷作用下的失效分析和可靠性设计意义重大。

    一种纳米银导电墨水的热超声低温烧结方法及装置

    公开(公告)号:CN105101658B

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201510566877.1

    申请日:2015-09-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米银导电墨水的热超声低温烧结方法,包括如下步骤:将纳米银导电墨水涂布在柔性基板上形成所需互连线路,然后在基板的上下分别包裹上一层聚酰亚胺薄膜,放置于底板上,以防止互连线路受污染;将底板预热到100‑150℃,形成温度烧结环境;施加5‑20Mpa的压力以及频率为10‑50KHz的超声对线路进行热超声烧结;在热超声烧结3‑10分钟后取出完成烧结。本发明通过热超声烧结的方式对柔性基板上的纳米银导电墨水轨迹线进行烧结,烧结温度降低到了120℃,大大缩短了烧结时间,将烧结时间降到5分钟以下,且经过热超声烧结后的纳米银导电线路在超声的作用下增大了纳米银颗粒分布的致密度,纳米银互连线路的电阻率降低到4.25×10‑8(Ω.m)。

    TSV转接板等效热导率预测方法及系统

    公开(公告)号:CN106570211A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610886947.6

    申请日:2016-10-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及微电子封装与热管理计算领域,公开了一种TSV转接板等效热导率预测方法及系统,为解决3D集成封装芯片热管理问题提供基础支持。该方法包括:构建考虑有介电层的TSV转接板垂直方向上的二维等效模型;根据组分在模型中的体积占比不变的原则,分别计算TSV孔中填充物及介电层在垂直方向二维等效模型中的等效参数;根据所述二维等效模型中的等效参数及硅、介电层及填充物的热导率仿真得出与垂直方向热流相垂直的两平行截面之间的平均温度差;根据所述平均温度差、两平行截面的距离及热流参数计算得出TSV转接板垂直方向的等效热导率。

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