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公开(公告)号:CN104157595A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201410326888.8
申请日:2014-07-10
Applicant: 中南大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L21/76838 , H01L22/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种基于电化学生长的微电子封装引线互连方法与装置,该装置包括用于电化学反应的电解槽(6)及电解液、具有多通道输出的电沉积电源(5)、用于为芯片焊盘通电的芯片微电极阵列、用于为基板焊盘通电的基板微电极阵列、用于对准微电极与芯片/基板焊盘的机器视觉系统和整机控制系统(12);芯片微电极阵列分别接电沉积电源的阴极;基板微电极阵列分别接电沉积电源的阳极;微电极阵列的底座位于最低位时,所有的探针与所有的焊盘接触,从而为焊盘通电,在通电的焊盘之间基于电解沉积模式生长出引线。本发明采用简单的机构和控制,能并行实现微电子芯片与基板的引线互连。
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公开(公告)号:CN103500714A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201310461505.3
申请日:2013-09-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2924/12042 , H01L24/43 , B21D11/20 , B23K26/0093 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种利用激光制造折点的引线成弧方法,包括以下步骤:步骤1:在芯片焊盘(6)的中心点位置O点形成第一焊点;步骤2:劈刀垂直上升至E点,同时释放引线;步骤3:在引线的O点与E点之间,至少选择一个点A;引入激光能量对所选点制造局部热塑性变形点形成折点;步骤4:O点与F点之间的距离|OF|作为为椭圆短轴,椭圆长轴为4000-8000微米,劈刀从E点沿着椭圆轨迹运动至F点,通过热及施加在劈刀上的超声的共同作用,在框架焊盘(5)的中点位置F点形成第二焊点,形成所需的大跨度低弧引线。运用本发明方法大大简化劈刀的运动轨迹,并形成大跨度低弧引线。
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公开(公告)号:CN102350409B
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201110194283.4
申请日:2011-07-12
Applicant: 中南大学
IPC: B06B1/02
Abstract: 本发明提供一种多频同时驱动式的超声发生器及其实现方法,所述的多频同时驱动式的超声发生器包括控制器、驱动电路、双频换能器以及至少2套结构相同的超声发生电路;驱动电路包括依次相连的数字信号合成器、D/A转换器和功率放大器;功率放大器的输出作为驱动电路的输出;功率放大器的输出端接双频换能器;超声发生电路包括带通滤波器、鉴相器、频率控制器、幅值控制器、数字信号发生器以及A/D转换器。多频超声发生器的多种频率、功率及功率曲线可单独控制、调整,以适应不同的应用需求。
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公开(公告)号:CN103233998A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201310165249.3
申请日:2013-05-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明针对小于100N软着陆阻尼加载的需要,设计了一种外磁式微型磁流变阻尼器,这种磁流变阻尼器包括位于端面的金属底座以及线圈绕组,所述线圈绕组为线圈外绕式线圈绕组,而金属底座包括两个,分别卡装在线圈绕组的两端,且在两个金属底座的面上均开有注液孔用以灌装磁流变液,同时,在所述线圈绕组中还插装有一根活塞杆,此活塞杆为硅钢材料一体成型制成,且在上、下端面上分别穿过金属底座。本发明线圈外绕取代线圈内绕减小缸体尺寸,同时采用硅钢磁芯取代碳钢磁芯,响应快,可有效满足精密软着陆加载及其微小型场合应用的要求。
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公开(公告)号:CN102768348A
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN201210237310.6
申请日:2012-07-10
Applicant: 中南大学
IPC: G01R35/02
Abstract: 本发明公开了一种探针寿命自动测试系统,包括触力传感器、探针、探针夹具、探针电极引出线、上下运动装置、四线式测试仪和对测试数据进行自动保存和实时数据分析的数据处理系统,其特征在于:所述上下运动装置的运动端上安装有所述探针夹具,所述探针夹具下方安装有探针,所述探针夹具上方安装有将所述探针的电极引出的电路板,所述电路板通过所述探针电极引出线与四线式测试仪的输入端连接,所述触力传感器固定在所述探针的正下方,所述触力传感器通过导线与所述数据处理系统连接,所述四线式测试仪的输出端与所述数据处理系统连接。本发明结构简单,测试数据精确,能实现探针使用寿命的自动评估。
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公开(公告)号:CN101764069B
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201010005521.8
申请日:2010-01-16
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/607
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种用于微电子系统级封装的堆叠芯片悬臂柔性层键合的方法,底层芯片(2)粘接在基板(1)上,上层芯片(3)通过银胶或合金工艺粘接在底层芯片(2),叠加的上层芯片(3)形成悬臂,上层芯片(3)的I/O焊盘(4)通过微小引线(8)与基板的引脚连接,实现IC封装互连,在键合过程中通过施加高频超声能(5)和键合压力(6)将互连焊球焊接到芯片焊盘(4)上,超声能和键合压力是通过微小焊接劈刀(9)传递能量,在所述的焊盘(4)底层与所述的上层芯片(3)之间设置一层柔性聚合物(7)。本发明减小键合过程冲击,使得多形态能量在键合界面平稳响应、界面结合充分,从而有效地提高悬臂键合的键合强度和SiP封装可靠性。
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公开(公告)号:CN101086951A
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:CN200610031768.0
申请日:2006-06-05
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/607 , B23K20/10 , B29C65/08
Abstract: 一种超声键合过程的键合力监测系统,本发明用动态压电传感器作为键合力传感器,传感器外接线采用防干扰低噪音连接线,传感器与键合台之间通过螺纹紧固连接,力传感器和工作台之间不能发生相对移动,传感器信号接出后放大,再输入数据采集卡,由数据采集系统完成键合力的处理,再送到显示器,或将放大的信号直接送到示波器。本发明能实现超声键合过程中键合力的实时在线监测,获取键合力变化的详细细节,也不影响键合系统的性能。
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公开(公告)号:CN119859830A
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202411923555.3
申请日:2024-12-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种T型热电偶及其电化学喷射沉积制造方法,该方法包括沉积铜康斜柱、更换电镀液、沉积铜斜柱和合并斜柱几个步骤。本发明利用电化学喷射沉积工艺完成对T型热电偶中康铜电极和铜电极的增材制造,可实现丝径为百微米以内的热电偶的制造,有效地解决了目前技术中该尺度热电偶难以加工的技术难题,便于推广使用。
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公开(公告)号:CN109628968B
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201910091137.5
申请日:2019-01-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置,TSV快速填充方法包括如下步骤:预处理:将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上;取出所述硅片,在200‑500℃下加热15‑60min;电镀铜:将加热后的硅片进行电镀铜,至TSV盲孔被完全填充。TSV快速填充装置,包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。预处理后TSV孔中预先沉积有金属纳米粒子,再用上述TSV快速填充装置进行电镀铜,加快了铜的沉积速度,提高了生产效率。
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公开(公告)号:CN109502648A
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201811505321.1
申请日:2018-12-10
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C01G39/06 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种超声辅助的二硫化钼纳米片物理剥离装置,包括底座、三维微动台、载物片以及超声变幅杆,三维微动台设置于所述底座上;载物片设置于所述三维微动台上;超声变幅杆设置在所述载物片的上方且与底座上的支撑架固定连接,所述超声变幅杆的输出端对准所述载物片,所述三维微动台与所述载物片之间设有通过压力传感变送器与示波器电性连接的压电传感器,所述超声变幅杆与超声电源电性连接。本发明还公开了一种使用上述装置的剥离方法。本发明利用变幅杆末端的超声提供切向力,通过酒精液滴的介质将剪切力均匀地传递到二硫化钼表面,并使得厚度3nm-30nm的纳米片脱离块体材料,完成直接物理剥离,具有简单、高效且剥离效率高等优点。
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