公开(公告)号：CN1168153C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN00108556.5

申请日：2000-05-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  片山浩二 ,  三枝明彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光器件(1)包括LED芯片(3)。LED芯片(3)经In或In合金的导电层(9)安装到电极座上。导电层(9)与LED芯片(3)的n型ZnSe晶体基底(7)是欧姆型接触。

公开(公告)号：CN1148811C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN00106758.3

申请日：2000-04-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  松原秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/42 ,  Y10S438/94

Abstract: 一发光层提供在一基底上，一p-型半导体层(24)提供在发光层上。一上电极提供在p型半导体层(24)上。一上电极包括一与p型半导体层接触的Au薄膜(10a)和一形成于其上的n型透明导体层(10b)。n型透明导体膜(10b)是通过激光烧蚀来形成的。

公开(公告)号：CN1274177A

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：CN00108556.5

申请日：2000-05-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  片山浩二 ,  三枝明彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光器件(1)包括LED芯片(3)。LED芯片(3)经In或In合金的导电层(9)安装到电极座上。导电层(9)与LED芯片(3)的n型ZnSe晶体基底(7)是欧姆型接触。

公开(公告)号：CN102959677B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180030507.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN101821915B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200980100642.6

申请日：2009-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田村充章 ,  樱井涉 ,  松原秀树 ,  年冈英昭 ,  中次恭一郎 ,  足立真宽 ,  奥田泰弘

IPC: H01S5/022 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4249 ,  G02B6/4253 ,  G02B6/4255 ,  G02B6/4292 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01S5/02284 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是获得一种可以在将插芯安装到电路基板上之后插入光纤的组件。本发明提供一种光电转换组件(100)，其中，至少插芯(33)和电气部件(57)安装到已经安装有外部电极(63)的电路基板(35)上；在所述插芯(33)中在安装光电转换器件(31)的一个端面上的与光电转换器件(31)的活性层对应的位置形成光纤插孔；以及将插芯(33)的光电转换器件(31)电连接至电气部件(57)。在插芯(33)中，光纤插孔的面对光电转换器件(31)的一个端面的开口被透明物质(61)堵塞，并且光纤插孔的除了另一端面的部分被成型树脂(55)一体地覆盖。

公开(公告)号：CN103180494A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180028976.4

申请日：2011-12-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C03C10/0018 ,  C04B35/106 ,  C04B35/16 ,  C04B35/185 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/9607 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种GaN基膜的制造方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底(10)包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍；在布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的所述单晶膜(13)的主表面(13m)上形成GaN基膜(20)；以及通过将支持衬底(11)溶解在氢氟酸中来除去所述支持衬底(11)。因此，本发明提供能够有效地获得主表面面积大、翘曲较小且结晶性良好的GaN基膜的GaN基膜的制造方法以及为此使用的复合衬底。

公开(公告)号：CN103003622A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035383.0

申请日：2011-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  松原秀树 ,  赤羽良启

IPC: F21S2/00 ,  F21V19/00 ,  F21V29/00 ,  G02F1/13357 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  F21Y101/02

CPC classification number: F21S2/00 ,  F21V21/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133601 ,  G02F2001/133628 ,  H01L33/64

Abstract: 一种光源单元（100）对一个至多个光源组（P、Q、R）中的各光源组或各光源组所包括的一个至多个光源（110）的各光源进行开关切换。光源单元（100）设置有：柔性印刷配线板（120）；一个至多个光源组（P、Q、R），其安装在柔性印刷配线板（120）的第一面上；以及金属支撑板（130），其利用粘合剂层（140）附接在柔性印刷配线板（120）的位于第一面的相反侧的第二面上。将粘合剂层（140）在竖直方向上的导热系数设置成比柔性印刷配线板（120）的基材层（121）在竖直方向上的导热系数低。

公开(公告)号：CN101501946B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200780029934.6

申请日：2007-05-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  中西文毅 ,  松川真治

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤，所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c)；在衬底上形成多个包括发射层(200)的III-V族化合物半导体层堆叠体(20)的半导体层堆叠体形成步骤；以及形成半导体侧电极(15)和衬底侧电极(11)的电极形成步骤。半导体层和电极被形成为使得发射层(200)中载流子流入的发射区(200a)位于低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。因此，能以良好的成品率得到在发射区中具有均匀的发光的表面发射激光元件。

公开(公告)号：CN101981712A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111411.5

申请日：2009-11-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 北林弘之 ,  松原秀树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件(100)，其包括：半导体层(2)，其包括有源层；支撑基底(11)，其用于支撑半导体层(2)；以及附着层(15)，其用于将半导体层(2)的主表面结合到支撑基底(11)的主表面上。在附着层和与附着层(15)相对的半导体层(2)的主表面以及与附着层(15)相对的支撑基底(11)的主表面中的至少一者之间的结合界面区域中，形成二维衍射光栅，该二维衍射光栅包含具有不同折射率并且被周期性布置的至少两种类型的材料。

公开(公告)号：CN101641847A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009498.0

申请日：2008-01-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  松原秀树

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种光子晶体激光器(100)，包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间，并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上，并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。