公开(公告)号：CN102484124B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN103003968B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201180033845.5

申请日：2011-06-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅野勉 ,  酒井章裕 ,  高桥宏平 ,  山田由佳 ,  表笃志 ,  上田大助

IPC: H01L35/32 ,  H02N11/00

CPC classification number: H01L35/325 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 一种管形状的热发电器件，其具有：沿器件的轴方向的内部贯通孔；由金属构成的多个第一杯状部件；由热电转换材料构成的多个第二杯状部件；第一电极；和第二电极。第一、第二部件沿上述轴方向交替反复配置。第一、第二电极各自设置于器件的一端和另一端。第一部件具有第一内表面和第一外表面，在下端具有第一贯通孔，其截面积在其下端的方向上减少。第二部件具有第二内表面和第二外表面，在下端具有第二贯通孔，其截面积在其下端的方向上减少。内部贯通孔包含多个第一、第二贯通孔。以第一部件的第一外表面与相邻的一个第二部件的第二内表面紧贴的方式，第一部件被插入到该第二部件。以第一部件的第一内表面与相邻的另一个第二部件的第二外表面紧贴的方式，该第二部件被插入到第一部件。

公开(公告)号：CN101523614A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038121.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101361240A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001710.4

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  油利正昭 ,  杉浦胜己 ,  松田贤一

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/042

Abstract: 半导体光源装置具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件101、和驱动发光元件101的驱动电路102。驱动电路102进行根据向发光元件供给顺向电流来使发光元件101发光的顺向驱动动作、和向发光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作。逆向偏压的大小由流过发光元件的逆向电流值限制。

公开(公告)号：CN100459141C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200580000820.X

申请日：2005-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  上田大助

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置，包括：形成在硅衬底上的摄像区域中的多个光电变换部、和填充在形成在硅衬底的光电变换部周围的至少一部分中的槽部即元件隔离槽中的填充层。填充层，由热膨胀系数超过氧化硅的热膨胀系数且小于等于硅的热膨胀系数的材料构成。

公开(公告)号：CN101296535A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810095713.5

申请日：2008-04-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八幡和宏 ,  外野高史 ,  酒井启之 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H05B6/68

CPC classification number: H03H7/40 ,  H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  Y02B40/146

Abstract: 提供一种不会破坏高频发射装置而使固体振荡器稳定地工作、同时提高加热效率和可靠性的高频发射装置的控制方法。此控制方法包括：步骤(a)，从固体振荡器通过天线发射高频；步骤(b)，检测从天线返回固体振荡器的高频；步骤(c)，根据在步骤(b)的检测结果调节从固体振荡器向天线传播的高频的发射/传播条件；和步骤(d)，在步骤(c)之后，从固体振荡器通过天线对对象物发射高频。在步骤(c)中，进行固体振荡器的振荡频率的变更、固体振荡器中高频输出的变更、向固体振荡器提供的电源电压的变更及固体振荡器的输出阻抗和天线的阻抗的阻抗匹配的变更等。

公开(公告)号：CN101185158A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018786.3

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  田中毅 ,  上本康裕 ,  上田哲三 ,  柳原学 ,  引田正洋 ,  上野弘明

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786

Abstract: 在蓝宝石衬底(101)上，按顺序形成了氮化铝缓冲层(102)，不掺杂氮化钙层(103)，不掺杂氮化钙铝层(104)，p型控制层(105)，p型接线柱层(106)。还有，晶体管包括：与p型接线柱层(106)欧姆连接的栅电极(110)，设置在不掺杂氮化钙铝(AlGaN)层(104)的源电极(108)及漏电极(109)。通过向p型控制层(105)施加正电压，沟道内注入空穴，能够增加流过沟道的电流。

公开(公告)号：CN101048016A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710005408.8

申请日：2007-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  上田大助

IPC: H04R19/01 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/016 ,  H01G7/021

Abstract: 本发明在于，提供一种制造率优良、小型高感度的驻极体电容式麦克风(驻极体电容式麦克风)。其构成为上部电极23和下部电极13在中空部16相向的空气隙电容构造，电极间形成有作为电荷保持材料的驻极体膜20。驻极体电容式麦克风10，和半导体衬底11一体形成，驻极体膜20，由全氟代非晶质氟素聚合体树脂构成。由这样的材料构成的驻极体膜20，由于能够在衬底11上通过旋转涂布法形成，因此容易薄膜化，而且，能够以在半导体制造工艺所使用的氟系气体容易地进行蚀刻法，因此，能够进行细微加工，缩小电容器面积。

公开(公告)号：CN1329992C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03148731.9

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嵨田恭博 ,  加藤刚久 ,  田中圭介 ,  上田大助

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 一种存储装置，具有包含由在硅构成的衬底(10)上依次形成的下部电极(21)、铁电体膜(22)以及上部电极(23)所构成的电容(20)的存储单元。铁电体膜(22)，在下部电极(21)上选择性生长后形成。这样，由于在具有所希望的下部电极(21)上选择性地形成铁电体膜(22)，在铁电体膜(22)中不会有损伤部，可以实现存储单元的微细化。

公开(公告)号：CN1707824A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076124.9

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/3043 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明的目的是提供一种衬底的分割方法，通过该方法，可在不会产生芯片缺陷的情况下，进行衬底分割，使芯片形状再现性良好且接近四边形，并且可以再现性良好地形成平坦的解理面，在衬底表面2上，照射使衬底的内部产生错位的强电子束(1)，产生以错位为起点的裂缝，从而形成解理面(5)，来分割衬底。