-
公开(公告)号：CN100539029C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200680010228.2
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32623 , H01J37/32633
Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口(11)将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。
-
公开(公告)号：CN100437912C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200480024667.X
申请日：2004-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基极等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。
-
公开(公告)号：CN101601138A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880002383.9
申请日：2008-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66803 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a－13d)。在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101258786A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032251.1
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备(2，16)引入真空容器(1)时，该真空容器(1)通过排气孔(11)藉由作为排气装置的涡轮分子泵(3)被排气，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)供应到置为与样品电极(6)对立的介质窗口(7)附近的线圈(8)，由此在真空容器(1)内产生感应耦合等离子体。介质窗口(7)是由多个介质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介质板内的气体排出口(15，19)被允许连通介质窗口内的槽。从气体排出口(15，19)引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
-
公开(公告)号：CN101151709A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010228.2
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32623 , H01J37/32633
Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口11将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。
-
公开(公告)号：CN101151707A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010324.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67167 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。
-
公开(公告)号：CN101053066A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037487.X
申请日：2005-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32642 , H01L21/2236 , H01L21/67069
Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。
-
公开(公告)号：CN1993818A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026461.5
申请日：2005-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/268 , H01L21/28061 , H01L29/66575
Abstract: 提供了一种用于制造高精度的精细晶体管的方法，该晶体管在其中引入杂质的区域中具有源极/漏极区(310、320)。该方法包括在半导体衬底的前面上形成栅电极(340)的步骤，引入杂质从而夹置栅电极(340)的步骤，和激活杂质的步骤。引入杂质的步骤包括等离子体辐射步骤，且在激活步骤之前，形成反射防止膜(400)的步骤被包括从而在其中引入杂质的区域具有小的光反射率。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.035 seconds)
