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公开(公告)号：CN103098252B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180044244.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L21/768 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
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公开(公告)号：CN103098252A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180044244.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L21/768 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
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公开(公告)号：CN101861649B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200880116054.7
申请日：2008-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：形成于第一配线(11)与第二配线(14)的交叉部的导通孔(12)、和电流控制层(13b)被第一电极层(13a)和第二电极层(13c)夹着的电流控制元件(13)，在导通孔(12)内形成有电阻变化元件(15)，第一电极层(13a)以覆盖导通孔(12)的方式配置，电流控制层(13b)以覆盖第一电极层(13a)的方式配置，第二电极层(13c)配置于电流控制层(13b)之上，第二配线的配线层(14a)配置于第二电极层(13c)之上，第二配线(14)具有由电流控制层(13b)、第二电极层(13c)和第二配线的配线层(14a)构成的结构。
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公开(公告)号：CN101911295B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880122873.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供非易失性半导体存储装置和其制造方法。在该非易失性半导体存储装置中，包含第一存储器配线(12)的第一配线层(19)，利用贯通第一层间绝缘层(13)而形成的第一接触部(21)，与包含第二存储器配线(17)的第二配线层(20)连接。进一步，利用与该第二配线层(20)连接、贯通第二层间绝缘层(18)而形成的第二接触部(26)，与上层配线(22)连接并引出。这里，第一接触部(21)贯通第二配线层(20)的半导体层(17b)或绝缘体层(17c)而形成。
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公开(公告)号：CN1914786B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200580003618.2
申请日：2005-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M1/08 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/095
CPC classification number: H02M7/538 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L24/73 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M7/003 , H03K17/063 , H03K17/6871 , Y02B70/1483 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体装置(29)包括：两个电平移动开关(28A、28B)，具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于所述第一电极与所述信号输出电极之间、根据向所述控制电极的输入信号导通或者非导通的晶体管元件部(28a、28b)；介于所述信号输出电极与所述第二电极之间的电阻元件部(Ra、Rb)，所述第一半导体区域由宽禁带半导体构成；和二极管(23)，具有阴极侧电极、阳极侧电极和第二半导体区域，所述第二半导体区域由宽禁带半导体构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981695A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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公开(公告)号：CN101911295A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122873.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供非易失性半导体存储装置和其制造方法。在该非易失性半导体存储装置中，包含第一存储器配线(12)的第一配线层(19)，利用贯通第一层间绝缘层(13)而形成的第一接触部(21)，与包含第二存储器配线(17)的第二配线层(20)连接。进一步，利用与该第二配线层(20)连接、贯通第二层间绝缘层(18)而形成的第二接触部(26)，与上层配线(22)连接并引出。这里，第一接触部(21)贯通第二配线层(20)的半导体层(17b)或绝缘体层(17c)而形成。
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公开(公告)号：CN1260776C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02148065.6
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L29/365 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/0445 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐耐压高、移动度大的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1606140A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410083545.X
申请日：2004-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/518 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/513 , H01L29/66068 , H01L29/7827 , H01L29/7828
Abstract: 一种碳化硅－氧化物层叠体的制造方法，通过热氧化处理，在SiC基板(10)上形成作为主要由SiO2构成的氧化物层即栅极绝缘膜(7’)之后，在腔室(20)内的惰性气体气氛中进行退火。此后，在设置有真空泵(31)的腔室(30)内设置SiC基板(10)，并在超过1100℃且不足1250℃的高温下，将碳化硅－氧化物层叠体A暴露于被减压的NO气体气氛中，则氮会扩散到栅极绝缘膜(7’)内，从而可获得在下部具有氮浓度高的区域且相对介电常数在3.0以上的、作为含V族元素氧化物层的栅极绝缘膜(7)。也可以降低含V族元素氧化物层－碳化硅层之间的界面区域的界面能级密度。本发明提供一种用于制作低损耗且高可靠性的MISFET等的碳化硅－氧化物层叠体，及其制造方法以及半导体装置。
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公开(公告)号：CN1233824A
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN99105732.5
申请日：1999-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/005 , G11B7/128 , G11B7/135 , G11B7/1369 , G11B11/10515 , G11B11/10543
Abstract: 本发明为一种光盘的记录再生方法及光盘记录再生装置。在半导体激光元件12和光盘11之间设置有把来自半导体激光元件12的激光转变成平行光的准直透镜13、把通过了准直透镜13的平行光衰减的液晶遮光体14以及把来自光盘11的反射光分路的光束分离器15,还设置有把通过准直透镜13得到的平行光聚集到光盘11的数据保持面上的聚光透镜16。这样,即便使用短波长(短于400nm)的半导体激光元件进行光盘的记录及再生时,也可防止散焦现象。
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