公开(公告)号：CN1316123A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN99810355.1

申请日：1999-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  石桥明彦 ,  粂雅博 ,  伴雄三郎 ,  上山智

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 首先,将衬底温度升高到1020℃,在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着,停止Ⅲ族原料气体供给,将衬底温度降低到780℃,与此同时将运载气体由氢气更换为氮气,然后选择性导入Ⅴ族源NH3、Ⅲ族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。

公开(公告)号：CN101483318B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910001611.7

申请日：2009-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  中谷东吾 ,  高山彻 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。

公开(公告)号：CN101047301B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1610138B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200410086095.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勋 ,  塚本和芳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/02 ,  Y10S438/94 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。

公开(公告)号：CN101490915A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026061.3

申请日：2007-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤智也 ,  高山彻 ,  早川功一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/221 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。

公开(公告)号：CN101483318A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910001611.7

申请日：2009-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  中谷东吾 ,  高山彻 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。

公开(公告)号：CN100452583C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480027878.9

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  岛本敏孝 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。

公开(公告)号：CN101141050A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710148293.8

申请日：2007-09-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  佐藤智也 ,  早川功一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/30 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/162 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1－W1)/2L1＜(W1－W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。

公开(公告)号：CN1992454A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610110844.7

申请日：2006-08-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  村泽智 ,  藤本康弘 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S3/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了半导体激光装置及其制造方法。目的在于：能够在形成在同一衬底上的多波长半导体激光装置中，再现性良好地获得可高温动作且具有低噪音特性的自振动型激光。在红外激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层12、活性层13、第一上侧覆盖层14、蚀刻停止层15、以及成为脊部的第二上侧覆盖层16。在红色激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层22、活性层23、第一上侧覆盖层24、蚀刻停止层25、以及成为脊部的第二上侧覆盖层26。红外激光的蚀刻停止层15的厚度与红色激光的蚀刻停止层25的厚度不同。

公开(公告)号：CN1765036A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480007918.3

申请日：2004-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。