触头装置和断路器
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104241056A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410257635.X

    申请日:2014-06-11

    Abstract: 一种包括固定触头(120)和可动触头(111)的触头装置(100)。所述触头装置包括包括可动触头(111)的可移动元件(101、110)。可动触头枢转到可动触头接触固定触头的位置和可动触头与固定触头分离的位置。触头擦拭机构(50、109)枢转地支撑可移动元件并且移动所述可移动元件以使得可动触头擦拭固定触头。

    电磁脱扣装置和断路器

    公开(公告)号:CN104241048A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410252142.7

    申请日:2014-06-09

    Abstract: 本发明公开了一种电磁脱扣装置和断路器,该电磁脱扣装置(90)包括线圈弹簧(98)、第一芯(93)和第二芯(97)。第一芯和第二芯被构造为使得第一芯和第二芯通过线圈弹簧产生的驱策力和通过第一芯产生的电磁力运动以彼此接触以及运动远离彼此。芯保持件(96)支承第二芯。芯保持件包括远端端部(96c)和包括枢转点(96b)的基本端部。当远端端部受到推力时芯保持件绕枢转点枢转。芯保持件枢转以使得当第一芯产生电磁力时第二芯接近第一芯。偏置元件(B)位于芯保持件和第二芯之间,以将第二芯朝着第一芯偏置。

    断路器
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104241041A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410252241.5

    申请日:2014-06-09

    Abstract: 一种断路器包括由壳体(10)内的轴(19)枢转地支撑的枢转元件(50)。推动元件(55)布置在枢转元件与壳体之间以便推动所述枢转元件。枢转元件(50)包括由轴(19)支撑的轴支撑部(51c)和接触推动元件(55)的一端的被推动部分(51a)。被推动部分(51a)和轴支撑部(51c)与位于轴(19)的轴线上的单个点对齐。

    电路断路器的外部解扣装置

    公开(公告)号:CN103367066A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310110225.8

    申请日:2013-04-01

    Abstract: 本发明提供一种电路断路器的外部解扣装置,能够在线圈的卷轴方向上较大地保留电磁铁装置的尺寸。该电路断路器的外部解扣装置包括:箱体,具有操作面,被安装为与电路断路器的器体连结;操作部,具有从操作面向外部露出的操作部位;联杆机构,配置于箱体的内部,并向电路断路器传递操作柄的运动;以及电磁铁装置,配置于箱体的内部,具有由与设置于箱体的连接端子连接的电源通电、并在电源电压异常时和正常时被切换是否被励磁的线圈,在电源电压异常时使联杆机构动作,从而使电路断路器进行断开动作。电磁铁装置按照线圈的卷轴方向与操作面平行的方式收容于箱体的内部。

    功率转换电路
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101675579B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN200880014850.X

    申请日:2008-12-11

    CPC classification number: H02M3/1582 H02M7/219

    Abstract: 本发明公开了一种包括双向开关(2)的功率转换电路。该双向开关(2)具有第一栅端子(G1)、第二栅端子(G2)、第一欧姆端子(S1)以及第二欧姆端子(S2)。该双向开关(2)具有四种工作状态。在第一状态下,作为第一欧姆端子(S1)一侧为阴极、第二欧姆端子(S2)一侧为阳极的二极管工作;在第二状态下,作为第一欧姆端子(S1)一侧为阳极、第二欧姆端子(S2)一侧为阴极的二极管工作;在第三状态下,第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间不经由二极管双向导通;在第四状态下,将第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间的双向电流切断。

    功率转换电路
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101675579A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200880014850.X

    申请日:2008-12-11

    CPC classification number: H02M3/1582 H02M7/219

    Abstract: 本发明公开了一种包括双向开关(2)的功率转换电路。该双向开关(2)具有第一栅端子(G1)、第二栅端子(G2)、第一欧姆端子(S1)以及第二欧姆端子(S2)。该双向开关(2)具有四种工作状态。在第一状态下,作为第一欧姆端子(S1)一侧为阴极、第二欧姆端子(S2)一侧为阳极的二极管工作;在第二状态下,作为第一欧姆端子(S1)一侧为阳极、第二欧姆端子(S2)一侧为阴极的二极管工作;在第三状态下,第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间不经由二极管双向导通;在第四状态下,将第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间的双向电流切断。

    半导体器件及其制造方法
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100539196C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200510080752.4

    申请日:2005-06-30

    CPC classification number: H01L29/7787 H01L29/2003 H01L29/402 H01L29/4175

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中,第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上,此外,还形成有第2源极电极(110)。由此,即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压,也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中,故耐压增高。此外,由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底,故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此,可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此,实现耐压优良、强度高的由III-V族氮化物半导体构成的半导体器件。

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