膜表面处理装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102812073A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201180015223.X

    申请日:2011-03-23

    CPC classification number: B29C59/14

    Abstract: 本发明提供膜表面处理装置,在使含有反应成分的反应气体活化而对被处理膜进行表面处理时能够使反应成分充分反应,并防止在电极上附着污垢。在主处理部(10)的第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。通过辊电极(11、12)的旋转使被处理膜(9)从电极(11)向电极(12)输送。从喷嘴(23)向比电极(11、12)间的主放电空间(19)靠输送方向的上游侧的位置或放电空间(19)内的膜(19)上喷出反应气体。在比主处理部(10)靠输送方向的下游的位置设置再活化部(30)。优选,使再活化部(30)的后段电极(31)与第二辊电极(12)对置,将第二辊电极(12)兼用作再活化部(30)的另一方的后段电极。从气体供给部(33)向电极(31、12)之间供给不含有反应成分的放电生成气体。

    等离子体表面加工设备
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1811012A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200610005949.6

    申请日:2003-10-07

    Abstract: 一种包含加工头3的等离子体表面加工设备。加工头3包括其上设置有第一种流道50a的电场施加电极51和其上设置有第二种流道50b的接地电极52,通过在电极51、52之间施加电场产生等离子体放电。加工头3的下表面与基材W平行相对。在加工头3的下表面中,设置有与所述第一种流道50a连通的第一种喷气口25a和与所述第二种流道50b连通的第二种喷气口25b。喷气口25a、25b在将基材W相对于加工头3转移的方向上彼此分离。第一种气体通过第一种流道50a并通过第一种喷气口25a喷出。第二种气体通过第二种流道50b时被激发并通过第二种喷气口25b喷出。第一种气体与激发的第二种气体接触使得第一种气体被激发并与基材W接触,从而加工基材W。

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