公开(公告)号：CN1761112A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510084872.1

申请日：2005-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/34 ,  H01S5/30 ,  H01S3/0941

CPC classification number: H01S5/18327 ,  H01S3/109 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/18

Abstract: 提供了一种激光泵浦单元以及具有该单元的高功率垂直外腔面发射激光(VECSEL)器件。通过利用隧道结，激光泵浦单元在横向容易地扩散电流。该激光泵浦单元包括：衬底、在衬底上形成的下分布式布拉格反射器(DBR)层、在下DBR层上形成的能够产生具有预定波长的光且具有量子阱结构的有源层、在有源层上形成以增加垂直方向中的电阻的隧道结层，以及在隧道结层上形成的上DBR层。

公开(公告)号：CN1244973C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN03120052.4

申请日：2003-02-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 八木哲哉 ,  吉田保明

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2227 ,  H01S2301/18

Abstract: 半导体激光器件，具有：第一电极；设置在所述第一电极上的第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一包覆层；位于所述第一包覆层上的有源层；位于所述有源层上的与第一导电类型不同的第二导电类型的第二包覆层；绝缘体层；部分设置于所述绝缘体层上的与所述第二包覆层的第一部分电气连接的第二电极，其特征在于，第一和第二包覆层由AlGaInP制成，其中绝缘体层覆盖第二包覆层的第二部分但不覆盖第二包覆层的第一部分，第二包覆层的第一部分比第二部分厚，且位于两个所述第二包覆层的第二部分之间，所述绝缘体层具有导热率和厚度，所述绝缘体层的层厚倒数与导热率之积小于4×108W/(m2·K)。

公开(公告)号：CN1233077C

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN02810758.6

申请日：2002-05-31

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 杉本康宜 ,  落合真尚 ,  米田章法

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1665085A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510052988.7

申请日：2005-03-04

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 松村拓明 ,  小谷靖长

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/16 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/024 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光元件，在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、所述第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)、和在与该波导通路区域大体垂直的端面上设置的共振面(20)形成的半导体激光元件。在与所述共振面(20)接近的区域中，从所述波导通路区域(10)隔间隔，在所述第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。

公开(公告)号：CN1592011A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410085503.X

申请日：2004-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  成井启修 ,  黑水勇一 ,  山内义则 ,  田中嘉幸

IPC: H01S5/183

CPC classification number: G02B6/4296 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/32308 ,  H01S2301/18 ,  H01S2301/203

Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。

公开(公告)号：CN1490909A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03145145.4

申请日：2003-06-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥贯雄一郎

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/16 ,  H01S5/168 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供可以出射角度无偏移地输出激光的、具有窗口结构的半导体激光器。在激活层上发生的光经窗口部分出射的这种半导体激光器中，在衬底上形成的窗口部分中设有：以第一载流子浓度形成的第一半导体层，以及以比第一载流子浓度低的第二载流子浓度形成的包含激活层延长面的第二半导体层。在窗口部分中的第二半导体层的上方还设有以第三载流子浓度形成的第三半导体层，窗口部分的光的折射率分布，以激活层的延长面为中心在层叠方向上成对称。从而产生的激光均等地传播，因此，能使激光在垂直方向(层叠方向)上无偏移地出射。

公开(公告)号：CN1472853A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03119737.X

申请日：2003-03-10

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 植木伸明

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18394 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18369 ,  H01S2301/163 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种表面发射半导体激光器包括：衬底，其上形成有谐振器，谐振器包括下反射镜，有源区，和上反射镜；金属层，设置在上反射镜上并具有用于限定在有源区产生的激光的输出区的第一孔；和光限制区，设置在金属层和下反射镜之间并具有限定激光发光区的第二孔，第二孔具有等于或大于12μm的直径，第一孔具有比第二孔直径小1到5μm的直径。由发光区发射的激光具有多模，包括选自预定波长范围内的多个次数。

公开(公告)号：CN1118910C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98801487.4

申请日：1998-10-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金子丈夫

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/18308 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/4081 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/18

Abstract: 一边控制横向模一边从多个光射出部分射出相位同步的激光光束，得到从表面上看为一束激光光束的面发光激光器及其制造方法。具备：构成光射出侧的反射镜的一部分的柱状部分(20)；包围该柱状部分(20)周围的埋入层(22)；被形成在柱状部分(20)以及埋入层(22)上的上部电极(23)；被形成在柱状部分(20)以及埋入层(22)下的绝缘层(18)。在上述电极(23)上，在柱状部分(20)上形成多个开口部分(23a)，在绝缘层(18)上，在和开口部分(23a)对应的位置上形成开口部分(18a)，因为埋入层(22)的绝对折射率比柱状部分(20)稍小，所以可以控制横向模。

公开(公告)号：CN1290055A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00130582.4

申请日：2000-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  野村康彦 ,  古沢浩太郎 ,  竹内邦生 ,  冈本重之

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2227 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明揭示一种半导体激光器件及其制造方法,其特征是脊部侧面与该脊部下部形成的倾斜角度θ为70°以上、117°以下,p型包层由Alx1Ga1－x1As构成,第1电流阻档层由Alx2Ga1－x2As构成,发光层与第1电流阻挡层间的距离t满足关系式t≤0.275/(1－(X2－X1))μm,脊部下部宽度W为2μm以上、5μm以下。具有在提高激光输出的同时可抑制激光水平散布角减小且水平散布角调整容易的优点。

公开(公告)号：CN103855604B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201310636851.0

申请日：2013-12-02

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 三好隆

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，能够在使用了由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中良好地限制光来降低FFP的脉动。半导体激光元件在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于基板的发光层，在基板与发光层之间从基板的一侧起依次具有：由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；由InGaN构成的第三氮化物半导体层；和由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。