公开(公告)号：CN101365816A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200780001938.3

申请日：2007-08-30

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 松浦宜范 ,  附田龙马 ,  占部宏成 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C23C14/16 ,  G02F1/13439 ,  G02F2203/02 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12736

Abstract: 本发明涉及反射型显示器，提供具有优异的反射特性且能与ITO和IZO等透明电极层直接接合的反射膜用铝类合金材料。本发明的在铝中含有镍和硼的反射膜用Al－Ni－B合金材料的特征在于，镍含量为1.5at％～4at％，硼含量为0.1at％～0.5at％，其余为铝。此外，进一步优选镍含量为1.5at％～3at％，硼含量为0.1at％～0.4at％。

公开(公告)号：CN101356248A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200780001175.2

申请日：2007-02-19

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 瓜生博美 ,  山崎秀彦 ,  小林大作 ,  桑原滋

IPC: C09K3/14 ,  C01F17/00 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/61 ,  C03C19/00 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的目的是提供在研磨损伤的产生得到抑制的同时研磨速度得到大幅改善的铈系研磨材料。本发明的铈系研磨材料的特征在于，它是相对于全部稀土类氧化物(TREO)的氧化铈含量为95质量％以上的铈系研磨材料，利用激光衍射·散射法测得的从小粒径侧开始的累积体积50％的粒径(D50)值为1.3～4.0μm。此外，较好的是本发明的铈系研磨材料通过基于Cu－Kα1射线的X射线衍射分析测定的氧化铈的最大峰的半宽度以2θ计为0.1～0.5°。

公开(公告)号：CN101321841A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680040308.2

申请日：2006-10-27

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 瓜生博美 ,  内野义嗣

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C01F17/0043

Abstract: 本发明的目的是提供氧化铈含量高的高纯度铈系研磨材料，该研磨材料的研磨速度得到了改善。本发明的铈系研磨材料的特征在于，它是相对于全部稀土类氧化物(TREO)的氧化铈的含量为90质量％以上的铈系研磨材料，相对于研磨材料总量，含有0.01～2.0质量％的选自Ti及原子序号80以下的5族～12族的元素的至少1种特定元素。

公开(公告)号：CN101283443A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037806.1

申请日：2006-10-13

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜范

IPC: H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及具备刻蚀铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法，提供极度抑制对铝合金膜造成的破坏，可以实现可靠性高的元件的制造技术。具备在基板上形成铝合金膜，刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法中，形成铝合金膜后，使铝合金膜表面氧化。这时的氧化处理如下进行：以相对于将具备自然氧化被膜的规定厚度的铝合金膜通过铝合金用刻蚀液以总厚度刻蚀时所算出的厚度方向的刻蚀速度，可以确保80％以上的刻蚀速度的条件，形成氧化被膜。

公开(公告)号：CN1301046C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03800697.9

申请日：2003-05-12

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 冈田和之 ,  原保次 ,  内山朗 ,  高桥胜

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/38 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00

CPC classification number: C23C28/321 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  C23C28/3455 ,  C23C30/00 ,  C25D1/04 ,  C25D3/562 ,  C25D5/48 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/384 ,  H05K3/389 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/12514 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12792 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2804 ,  Y10T428/2843

Abstract: 本发明提供一种软性印刷线路板，它具有高透光率的绝缘层且具有优异的粘附强度及抗徒动性，并适合于膜上芯片(以下简称为COF)。它具有层压有电解铜箔导电层的绝缘层，蚀刻该导电层形成电路时的蚀刻区域的绝缘层的透光率在50%以上，上述电解铜箔粘附于绝缘层的粘附面上具有镍-锌合金制的防锈处理层；该粘附面的表面粗糙度(Rz)为0.05-1.5μm，同时入射角60°时的镜面光泽度在250以上。

公开(公告)号：CN1831203A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004607.2

申请日：2000-11-27

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 中野修 ,  片冈卓 ,  妙中咲子 ,  内田直仁 ,  半泽规子

IPC: C25D1/04

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D1/04 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0355 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/31 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31681

Abstract: 公开了电沉积铜箔，其20％或更多的光泽面的晶体具有孪晶结构；用电解工艺制造电沉积铜箔的方法，包括制出分离的铜箔，其特征是将晶粒尺寸号为6.0的钛材料用作旋转阴极鼓，将含0.2－20mg/l的胶和/或明胶的硫酸铜溶液用作电解液。该电沉积铜箔的使用可提供显示与抗蚀层粘合良好的铜箔，无需在铜箔线路蚀刻工艺的表面预处理中进行机械抛光(如磨光)。

公开(公告)号：CN1810911A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510137849.4

申请日：2005-12-28

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 内野义嗣 ,  望月直义 ,  牛山和哉 ,  中岛祐树 ,  大贯佳

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明涉及包含相对于总稀土类氧化物(TREO)的氧化铈的含有量在30质量％以上、相对于TREO的氟浓度在0.5质量％以下、且含碳酸根的稀土类化合物的铈系磨料用原料，将与纯水混合至TREO浓度为126g/L的原料淤浆静置10分钟时的沈降体积相对于100mL该原料淤浆在30mL以上。另外，该磨料用原料在120℃干燥12小时后的静置法表观比容较好为1.0～3.0mL/g，溶于盐酸时测定的己烷萃取物质的含有量以TREO基准表示较好为700质量ppm以下。

公开(公告)号：CN1250394C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN01802529.3

申请日：2001-08-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 山本拓也 ,  永谷诚治 ,  中野雅彦

IPC: B32B15/08 ,  H05K1/09

CPC classification number: B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31522

Abstract: 本发明目的在于减少两面贴有不同厚度铜箔的双面包铜层压板的翘曲问题，提高印刷线路板的生产效率。本发明的两面贴有不同厚度铜箔的双面包铜层压板的特征在于，在一面采用在包铜层压板的制造过程中不会因热压而重结晶的第1铜箔，在另一面采用在包铜层压板的制造过程中会因热压而重结晶的第2铜箔，且第2铜箔比第1铜箔厚。

公开(公告)号：CN1239666C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN02803633.6

申请日：2002-05-24

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 伊藤昭文 ,  渡边广幸 ,  牛山和哉 ,  桑原滋 ,  内野义嗣

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C01F17/0043 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1418

Abstract: 本发明的目的是提供粗大粒子浓度更低、且可确保更高的研磨力、并使被研磨面的洗净性优良的铈系研磨材料的制造方法。本发明的铈系研磨材料的制造方法包括将原料粉碎的工序，将粉碎后的原料焙烧的工序及将焙烧后的原料粉碎的工序，该方法具有作为铈系研磨材料的原料使用铈系稀土类碳酸盐、或铈系稀土类碳酸盐和铈系稀土类氧化物的混合原料，在将原料粉碎的工序中通过使原料浸渍于水溶液中的状态下加热进行粉碎的特征。

公开(公告)号：CN1701110A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480001221.5

申请日：2004-03-29

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 小林大作 ,  内野义嗣 ,  册崎秀彦

IPC: C09K3/14 ,  C01F17/00 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0012 ,  C01F17/0043 ,  C09K3/1409

Abstract: 本发明提供具有发生损伤更少等优良研磨特性、研磨速度更高的铈系研磨材料。该铈系研磨材料作为稀土类氧化物至少含有氧化铈(CeO2)、氧化镧(La2O3)及氧化钕(Nd2O3)，并含有氟元素(F)，其总稀土类氧化物换算重量(TREO)为90wt％以上，同时，TREO中氧化铈所占重量比(CeO2/TREO)为50wt％～65wt％，并且TREO中氧化钕所占重量比(Nd2O3/TREO)为10wt％～16wt％。使用这样的铈系研磨材料能迅速得到研磨损伤发生较少的研磨面。