公开(公告)号：CN107675233A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710905749.4

申请日：2017-09-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  赵志鹏 ,  王峰 ,  乐玉平

IPC: C25D15/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C25D15/00 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明公开了一种TSV盲孔填充的新方法，包括以下步骤：步骤一、将带有TSV盲孔的硅片放入去离子水中，进行抽真空预处理，排尽TSV盲孔内气体；步骤二、将预处理后的硅片与电镀阴极连为一体；步骤三、向电镀液中加入添加剂、抑制剂和加速剂，充分混合形成悬浮电镀液；步骤四、将悬浮电镀液加入电镀槽内，将电镀电源的电镀阳极和电镀阴极均置入悬浮电镀液中，使硅片在悬浮电镀液中静置，使电镀液在TSV盲孔内达到初步吸附平衡；步骤五、将循环泵的入口和出口接通至悬浮电镀液中，入口连通至电镀阳极处、出口连通至电镀阴极处；步骤六、启动循环泵同时启动电镀电源，开始电镀，循环泵向电镀槽内的悬浮电镀液提供流速。能够有效的提高填充效率、降低成本。

公开(公告)号：CN107546139A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710735809.2

申请日：2017-08-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  王峰 ,  赵志鹏 ,  聂南天 ,  任鑫宇 ,  曾鹏 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明公开了一种微铜柱的制造方法，包括：步骤一、在绝缘衬底上完成多层RDL金属互连结构，在最后一层金属互连结构外对应导电通道位置处设置焊盘；步骤二、制作微阳极，微阳极的直径与微铜柱的直径相匹配；步骤三、制作微阳极夹具盘，将制作好的微阳极安装于微阳极夹具盘上对应焊盘的区域，并将各微阳极连通；步骤四、将装有微阳极的微阳极夹具盘放置在芯片上方，使微阳极与焊盘一一对应，将微阳极夹具盘连接至电镀电源的正极，芯片连接至电镀电源的负极；步骤五、采用局部电化学沉积方法，在焊盘上电镀沉积出需要的微铜柱。对设备的要求较低，制备过程简单，降低了制作成本；并且可通过多焊盘和多微阳极同时制备多个微铜柱，生产效率较高。

公开(公告)号：CN106206339A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610546341.8

申请日：2016-07-12

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  陈卓 ,  何虎 ,  李军辉 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/485 ,  H01L24/17 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/16175 ,  H01L2224/16502

Abstract: 本发明公开了一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置，将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准，将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃～220℃；将上芯片压在下芯片上，当施加在芯片上的压力达到预期的压力10MPa～30MPa时，开启超声电源并输出大功率1W～6W，并持续时间10ms～200ms；之后再将压力增大到20MPa～80MPa，超声输出功率降低到1W～3W，并保持时间100ms～2000ms，完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合。本发明是一种能保证键合界面微结构的形成以及键合后的强度和可靠性的微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置。

公开(公告)号：CN105428347A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510995885.8

申请日：2015-12-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  王峰 ,  朱文辉 ,  李军辉 ,  韩雷

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L25/162 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385

Abstract: 本发明公开了一种微系统三维芯片叠层封装的改进方法，将ASIC芯片和应用处理器通过硅基转接板固定在传统基板上，可以从根本上解决传统基板集成所面临的热难以散出、应力破坏、集成密度低等难题。本发明所述的方法简单巧妙的将硅基转接板应用在微系统封装中，大幅消除封装应力对微系统性能的影响，实现超高密度的互连以及高性能的计算、存储能力。

公开(公告)号：CN103500714B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310461505.3

申请日：2013-09-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  陈云 ,  韩雷 ,  李军辉

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种利用激光制造折点的引线成弧方法，包括以下步骤：步骤1：在芯片焊盘（6）的中心点位置O点形成第一焊点；步骤2：劈刀垂直上升至E点，同时释放引线；步骤3：在引线的O点与E点之间，至少选择一个点A；引入激光能量对所选点制造局部热塑性变形点形成折点；步骤4：O点与F点之间的距离|OF|作为椭圆短轴，椭圆长轴为4000-8000微米，劈刀从E点沿着椭圆轨迹运动至F点，通过热及施加在劈刀上的超声的共同作用，在框架焊盘（5）的中点位置F点形成第二焊点，形成所需的大跨度低弧引线。运用本发明方法大大简化劈刀的运动轨迹，并形成大跨度低弧引线。

公开(公告)号：CN102832316B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210277437.0

申请日：2012-08-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  邓圭玲 ,  李涵雄

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种提高白光LED照明器件色温一致性的方法和装置，所述的方法包括以下步骤：步骤1：对固定在基板上的LED芯片，先盖上透光镜并在透光镜上喷涂一层厚度为10-1000微米的硅胶；LED芯片为蓝光芯片；步骤2：在硅胶上再喷涂和固定一层黄色荧光粉；步骤3：对LED芯片供电，使其发光，并通过用于色温检测设备的探头对透过透光镜、硅胶和荧光粉的光的色温进行检测，如果达到了预设的光波波长范围或色温范围，则停止荧光粉喷涂过程，进入下一步；否则返回继续步骤2。该提高白光LED照明器件色温一致性的方法和装置能在线调节LED照明器件的色温，且精度高。

公开(公告)号：CN103077905B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201310033085.9

申请日：2013-01-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  陈云 ,  唐伟东 ,  李军辉 ,  韩雷

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种引线成弧方法及装置，该方法在引线成弧的过程中，通过对挡块驱动模块的控制，使得挡块与劈刀孔中释放出的引线接触，形成接近90°的第二折点，不再需要通过劈刀的复杂轨迹运动，相比M弧线可以节约40-50%以上的时间，大大提高了成弧速度；劈刀运动轨迹简单，不需要对引线进行多次弯折，从而避免了多次弯折对引线及第一焊点造成损伤；只需要形成两个折点就能够形成低弧超大跨度的弧线，弧线形状简单，相比多个折点的M弧线，所需要的引线长度减少了20%以上，节约了成本；成弧参数少，只需要简单的控制挡块与劈刀的距离及劈刀横向运动的距离就可以控制第二焊点的角度，从而达到控制弧线高度的目的，适用于各种封装场合。基于该方法的装置设置了一个挡块，结构简单，易于控制。

公开(公告)号：CN103077905A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310033085.9

申请日：2013-01-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  陈云 ,  唐伟东 ,  李军辉 ,  韩雷

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种引线成弧方法及装置，该方法在引线成弧的过程中，通过对挡块驱动模块的控制，使得挡块与劈刀孔中释放出的引线接触，形成接近90°的第二折点，不再需要通过劈刀的复杂轨迹运动，相比M弧线可以节约40-50%以上的时间，大大提高了成弧速度；劈刀运动轨迹简单，不需要对引线进行多次弯折，从而避免了多次弯折对引线及第一焊点造成损伤；只需要形成两个折点就能够形成低弧超大跨度的弧线，弧线形状简单，相比多个折点的M弧线，所需要的引线长度减少了20%以上，节约了成本；成弧参数少，只需要简单的控制挡块与劈刀的距离及劈刀横向运动的距离就可以控制第二焊点的角度，从而达到控制弧线高度的目的，适用于各种封装场合。基于该方法的装置设置了一个挡块，结构简单，易于控制。

公开(公告)号：CN102032872B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010530416.6

申请日：2010-11-03

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  覃经文 ,  田晶晶 ,  陈云

IPC: G01B11/02

Abstract: 本发明公开了一种基于阴影法的高密度BGA焊料球高度测量系统及方法，该方法为：步骤1：开启SIP模块正上方的环形光源，从SIP模块上的正上方获取SIP模块上的BGA焊料球的无阴影图像，从所述的无阴影图像中获得BGA焊料球的半径R和焊料球中心点；步骤2：关闭环形电源，开启SIP模块侧上方的点光源，从SIP模块上的正上方获取SIP模块上的BGA焊料球的带阴影图像，从所述的带阴影图像中获得BGA焊料球中心点到阴影顶点的距离L；步骤3：通过几何关系计算焊料球高度H。该测量方法和系统易于实施，检测精度高，检测速度快。

公开(公告)号：CN102437111A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110393452.7

申请日：2011-12-01

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  陈云 ,  韩雷 ,  李军辉

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种利用线夹制造折点的快速引线成弧方法及装置，所述的方法包括：步骤1：在芯片焊盘上形成第一焊点后，劈刀固定引线的自由端，通过线夹夹持并弯折在劈刀与第一焊点之间的引线，形成系列折点；步骤2：在弯折引线的操作过程中，2个固定臂上下错位，2个固定臂分设在线夹两侧以夹持引线；2个活动臂上下错位，2个活动臂分设在线夹两侧；步骤3：松开线夹，劈刀带动引线运动将引线的自由端焊接在第二焊盘上，完成引线成弧过程。本发明的利用线夹制造折点的快速引线成弧方法及装置能解决传统引线成形方法中劈刀轨迹复杂、工作效率低的问题。