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公开(公告)号：CN117393529A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311431709.2
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种整流模块的集成封装结构，包括第一整流二极管和第二整流二极管；第一整流二极管和第二整流二极管一端固定在连接板的一端面上，第一整流二极管和第二整流二极管的另一端及连接板的另一端分别通过引线连接，第一整流二极管、第二整流二极管、连接板被封装外壳包裹。本发明采用金属连接片及焊料将两颗玻钝整流二极管串联焊接，焊接后剪除多余电极引线，将剩余三只电极引线同方向弯折后，结合高压塑封工艺，将其进行塑封封装，引出三只引脚可实现整流模块的多功能使用，满足用户集成化、模块化需求。
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公开(公告)号：CN113960438A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111000558.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种PN结反向特性曲线合格判别测试系统及其测试方法，包括：计算机、本地数据库、显示操作装置、程控电压电流源、测试模块装置、测试夹具装置、待测件、测试控制系统、参数测试装置、数据采集系统、测试线缆等；计算机安装有控制系统程序模块、算法程序模块、设置与判别程序模块、数据采集程序模块；测试控制系统主要由测试控制系统程序模块、仪器控制、测试设置、数据读取、数据拟合、曲线显示、数据处理与存储等功能模块组成。解决了现有PN结反向特性曲线测试仅靠人工观察定性判别、重复性和一致性差、批量化差、易造成热击穿现象的问题。广泛应用于半导体器件PN结的反向特性曲线合格判别测试，特别是电压调整二极管领域。
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公开(公告)号：CN113707632A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110999757.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/367 , H01L25/07 , H01L21/60
Abstract: 一种三端整流电路模块，包括芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管、共电极金属基片、端电极1金属基片、端电极2金属基片、端电极3金属基片；芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管包括封装本体、二极管芯片端电极金属化层、可焊接金属层；共电极金属基片具有共电极金属基片镂空贴片区、镂空贴片区焊接层；端电极金属基片具有端电极金属基片镂空贴片区，镂空贴片区焊接层；玻钝二极管公共端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到共电极金属基片镂空贴片区；另一端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到相应电极的端电极金属基片镂空贴片区。解决了现有三端整流电路模块高密度集成化、高可靠性的问题。广泛应用于电路模块的高密度集成化封装结构或工艺中。
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公开(公告)号：CN113314414A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110731939.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供的一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，采用高电导P型单晶硅片和N型单晶硅片经过硼扩散后高温键合，再将形成PN结的硅片进行减薄，可间接减薄二极管芯片厚度，有效地降低二极管器件的正向压降，达到器件低功耗高频率的目的。
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公开(公告)号：CN105977309B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610584260.7
申请日：2016-07-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024624B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610584257.5
申请日：2016-07-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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公开(公告)号：CN107393822A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710581798.7
申请日：2017-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329 , H01L25/00 , H01L25/07
CPC classification number: H01L25/50 , H01L25/072 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种具有瞬态电压抑制和整流功能的玻璃钝化续流二极管的制造方法，步骤包括芯片制作、芯片焊接、表面钝化、封装成型，本发明的器件一端具有瞬态电压抑制功能，另一端具有整流二极管的高压保护功能，可以提升线圈反向电动势的吸收速率，大大简化了在线圈保护电路中的安装方式，在瞬态电压抑制二极管的芯片制造过程中，采用双面扩散工艺使芯片具有两个击穿电压相同的PN结，在后续的装模烧焊过程中不需要对芯片进行分极性处理，大大提升了器件的生产效率。芯片分离采用吹砂切割或激光切割，两种芯片裂片工艺均能使芯片台面具有较小的损伤层，提升了芯片台面在腐蚀清洗后的稳定性。
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公开(公告)号：CN107393821A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710581797.2
申请日：2017-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/56
CPC classification number: H01L29/6609 , H01L21/3046 , H01L21/30604 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供的一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，芯片分离采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中采用酸腐蚀去除芯片台面损伤层、腐蚀工艺去除粘附在芯片表面的重金属离子、热钝化方式中和碱金属离子并在芯片表面生长一层二氧化硅钝化保护层的工艺，最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的反向性能，提升产品的可靠性；采用主要成分为氧化锌、三氧化二硼、二氧化硅的钝化玻璃粉经过高温成型实现玻璃粉对芯片台面的钝化兼封装作用，产品组件中的电极与芯片和玻璃钝化层的热膨胀系数相当，提高了产品的抗温度冲击能力；产品采用专用焊料将电极片和轴向产品进行烧结，实现了表贴封装结构。
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公开(公告)号：CN105977309A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610584260.7
申请日：2016-07-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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公开(公告)号：CN216145608U
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202122050231.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 一种三端整流电路模块，包括芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管、共电极金属基片、端电极1金属基片、端电极2金属基片、端电极3金属基片；芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管包括封装本体、二极管芯片端电极金属化层、可焊接金属层；共电极金属基片具有共电极金属基片镂空贴片区、镂空贴片区焊接层；端电极金属基片具有端电极金属基片镂空贴片区，镂空贴片区焊接层；玻钝二极管公共端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到共电极金属基片镂空贴片区；另一端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到相应电极的端电极金属基片镂空贴片区。解决了现有三端整流电路模块高密度集成化、高可靠性的问题。广泛应用于电路模块的高密度集成化封装结构或工艺中。
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