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公开(公告)号：CN110459472B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201910718621.6
申请日：2019-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型GaN场效应晶体管及其制造方法，增强型GaN场效应晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、复合盖帽层以及源电极、漏电极和栅电极，源电极与栅电极之间以及漏电极与栅电极之间设有钝化层；其中，复合盖帽层包括多层盖帽层，且多层盖帽层中至少一层盖帽层是p型盖帽层；源电极和漏电极分列于沟道层上，栅电极位于p型盖帽层上。本发明无需对源栅间以及栅漏间的区域盖帽层刻蚀，一方面能够避免刻蚀损伤对势垒层的影响，提高器件性能；另一方面能够大大缩小刻蚀面积，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN113628953A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110672724.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，所述方法包括以下步骤：在衬底上低温生长含In的氮化物形核层；高温退火刻蚀，含In的氮化物形核层中In脱附，形成均匀分布的氮化物形核层岛；在氮化物形核层岛上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN基材料；在GaN基材料上生长功能层。本发明提供的氮化物材料的制备方法，可以获得均匀分布的氮化物形核层，有利于提高材料晶体质量，此外制备的均匀性更好的氮化物材料，可以提高器件成品率及均一性，该发明尤其适用于4英寸及更大尺寸外延材料制备。
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公开(公告)号：CN108447788B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201810356312.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种增强型高电子迁移率晶体管的制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层；其中，所述缓冲层、所述沟道层和所述势垒层的材料均为III族氮化物，且所述势垒层的材料的极化强度大于所述沟道层的材料的极化强度；在所述势垒层的栅电极区上表面生长p型掺杂的III族氮化物p型层；在氮氧化物气氛中激活所述p型层中的掺杂元素；在所述p型层的上表面形成栅电极；在所述势垒层的源电极区上表面形成源电极，在所述势垒层的漏电极区上表面形成漏电极。本发明能够提高受主杂质的离化率，进而提高p型层的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN108538714B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810356314.3
申请日：2018-04-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法。该方法包括：在衬底上生长非掺杂Ⅲ族氮化物外延层；在所述非掺杂Ⅲ族氮化物外延层的上表面生长p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层；在氮氧化物气氛中激活所述p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层中的掺杂元素。本发明能够提高p型Ⅲ族氮化物材料载流子浓度和导电性。
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公开(公告)号：CN109119333B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810935192.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层，该方法包括：将衬底放置于反应室中，并将所述反应室的温度升高至预设温度；在所述衬底的上表面生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层的上表面制备金属镓；在制备所述金属镓后的衬底的上表面生长第二氮化镓层；进行降温处理。本发明中的制备方法工艺难度小，能够生长大尺寸的自剥离氮化镓外延层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107644813B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201710826751.2
申请日：2017-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓外延片的钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓外延层；在所述氮化镓外延层上生长势垒层；在所述势垒层上沉积铝原子；将所述氮化镓外延片暴露在空气中，以使得所述氮化镓外延片在空气中氧化形成氧化层作为钝化层。本发明能够改善材料的表面态，有效地抑制电流崩塌现象，并且钝化保护层通过在空气中自然氧化生成，不需要额外的设备，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN110600548A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910891750.5
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型异质结场效应晶体管，增强型异质结场效应晶体管自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层和帽层；所述帽层自下而上依次包括介质层、P型掺杂帽层和N型掺杂帽层；所述缓冲层上分列有源电极和漏电极，所述N型掺杂帽层上设有栅电极。本发明提供的增强型异质结场效应晶体管，通过在势垒层与P型掺杂帽层之间引入介质层，在P型掺杂帽层与栅电极之间引入N型掺杂帽层，能够提高器件的阈值电压，增大器件的电流密度。
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公开(公告)号：CN107578988B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710822537.X
申请日：2017-09-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅外延层钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在反应室通入碳源和硅源，在衬底上生长碳化硅外延层；关闭所述碳源，在所述反应室通入氮源和硅源，在所述碳化硅外延层的上表面生长氮化硅薄膜。本发明生长的氮化硅薄膜缺陷少、质量高，可以作为场效应晶体管的栅下介质层，不需要再进行氧化工艺形成SiO2介质层，从而减少器件制作工序。
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公开(公告)号：CN110459472A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910718621.6
申请日：2019-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型GaN场效应晶体管及其制造方法，增强型GaN场效应晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、复合盖帽层以及源电极、漏电极和栅电极，源电极与栅电极之间以及漏电极与栅电极之间设有钝化层；其中，复合盖帽层包括多层盖帽层，且多层盖帽层中至少一层盖帽层是p型盖帽层；源电极和漏电极分列于沟道层上，栅电极位于p型盖帽层上。本发明无需对源栅间以及栅漏间的区域盖帽层刻蚀，一方面能够避免刻蚀损伤对势垒层的影响，提高器件性能；另一方面能够大大缩小刻蚀面积，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN105957881A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610325160.2
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0692 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有背势垒的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法，属于半导体器件制备技术领域。该晶体管自下至上依次包括衬底、成核层、AlxGa1‑xN缓冲层、未掺杂的GaN沟道层、组分渐变的AlyGa1‑yN层、组分固定的AlzGa1‑zN层，其中，z≥y，在组分固定的AlzGa1‑zN层上沉积欧姆接触金属并进行高温合金形成源电极和漏电极，在组分固定的AlzGa1‑zN层上沉积肖特基接触金属并进行高温合金形成栅电极，在源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间沉积钝化层。在AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管中的载流子呈准三维分布，器件线性度高，且由于背势垒的存在增强了电子局域性，提高了器件的栅控能力，改善了器件的关断特性。
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