公开(公告)号：CN111384163A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201811632458.3

申请日：2018-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  秦彦斌 ,  姜丽娟 ,  冯春 ,  王权 ,  肖红领

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局，该结构包括：衬底；外延结构，制作于该衬底之上；源极，制作于该外延结构之上；漏极，制作于该外延结构之上；以及栅极，制作于该外延结构之上；其中，源极的宽度大于所述漏极的宽度，所述宽度表示在栅长方向上的尺寸。该结构通过将源电极尺寸做大，使得源电极相较于漏电极沿着栅长方向的尺寸增大，以增大金属的面积，使得多指器件源电极两侧的栅指间距增大，有利于平衡多指器件内部有源区的温度，当器件的布局需要多个单胞进行组合时，通过设计版图，将单胞之间用pad连接，利用金属的良好导热性，帮助器件散热。

公开(公告)号：CN111370472A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010198618.9

申请日：2020-03-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  李巍 ,  牛迪 ,  王权 ,  肖红领 ,  姜丽娟 ,  冯春 ,  王茜 ,  刘宏新

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供了一种混合栅p-GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法，其混合栅p-GaN增强型氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极和漏极，分别制作在所述势垒层上面；栅绝缘介质层，制作在所述p型GaN帽层上面；栅极，制作在所述栅绝缘介质层和所述p型GaN帽层上面。本公开能够减小器件栅极漏电，改善器件栅极击穿特性，增加器件栅压摆幅，提高器件的阈值电压，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN110739207A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201911026117.6

申请日：2019-10-25

Applicant: 北京华进创威电子有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  李百泉 ,  冯春 ,  肖红领 ,  姜丽娟 ,  李天运 ,  邱爱芹 ,  介芳

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法，本发明在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法采用高温离子注入的方法，在导电SiC衬底的表面注入V杂质，注入深度在100-200μm范围内，接着采用金属有机物气相沉积法，在SiC衬底表面沉积高温AlN层和GaN层。采用此方法可以提高导电SiC衬底表面处的电阻率，降低器件的漏电，同时克服了半绝缘SiC衬底成本高昂的缺点。

公开(公告)号：CN109487239A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811412952.9

申请日：2018-11-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  姜丽娟 ,  王权 ,  徐健凯 ,  冯春 ,  肖红领 ,  李巍

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明公开了一种旋转托盘固定装置，包括：旋转轴；支撑爪，固定于旋转轴上，包含一轴心体和n个爪臂，n≥3；各个爪臂与轴心体相接，且末端设有一凸台，该凸台使得待放置的托盘置于该支撑爪内实现托盘平面方向上的限位，在各个爪臂末端的凸台上对应设有一压块，该压块使得待放置的托盘置于该支撑爪内实现垂直于托盘平面方向的限位，该压块与凸台固定实现托盘的稳定固定；以及沟槽，设置于支撑爪的各个爪臂内。该装置不仅实现了托盘在旋转过程中的稳固，而且还有助于减弱惯性对转动的影响，并能够提高能量利用率。

公开(公告)号：CN107326343A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710728514.2

申请日：2017-08-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  殷海波 ,  梅书哲 ,  王权 ,  徐健凯 ,  肖红领 ,  李巍 ,  姜丽娟

IPC: C23C16/46

Abstract: 本公开提供了一种用于薄膜材料生长的感应加热装置，包括：托盘；以及感应线圈，设置于托盘下方，用于对托盘进行加热；其中，感应线圈为平面螺旋形，且包括p匝线圈：第1匝线圈为感应线圈的最内匝线圈，第p匝线圈为最外匝线圈，第m匝线圈和第n匝线圈均位于第1匝线圈和第p匝线圈之间，1＜m＜n＜p；第1匝至第m匝线圈中任意相邻两匝线圈的间距和第n匝至第p匝线圈中任意相邻两匝线圈的间距均小于第m匝至第n匝线圈中任意相邻两匝线圈的匝间间距。本公开提供的感应加热装置，提高了托盘整体的温度均匀性和托盘中心区域的温度，且满足了大尺寸多片式的薄膜材料在高温下生长的需求，提高了生长薄膜材料的效率和质量。

公开(公告)号：CN102842613B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210348006.9

申请日：2012-09-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  王翠梅 ,  肖红领 ,  彭恩超 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。

公开(公告)号：CN104498905A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201510002676.9

申请日：2015-01-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  殷海波 ,  肖红领 ,  姜丽娟 ,  冯春

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45514

Abstract: 本发明提供了一种用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘。该进气顶盘包括：上层进气盘和下层匀气盘，下层匀气盘为三层台阶盘体，在上层进气盘和下层匀气盘之间形成三个独立的进气腔-第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔，该三个进气腔彼此隔离密封。其中，该第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔分别具有独立的进气通道和出气通道，由第三进气腔内通入的隔离气体将由第一进气腔通入的第一反应气体和第二进气腔通入的第二反应气体隔开。本发明可以降低两种或多种反应气体在到达衬底之前就相遇并进行反应的概率，大大提高外延材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN103123934A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201310048977.6

申请日：2013-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  彭恩超 ,  王翠梅 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面。本发明可以增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率，同时器件的栅电流得到降低。

公开(公告)号：CN103117304A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310054863.2

申请日：2013-02-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王翠梅 ,  王晓亮 ,  彭恩超 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层的上面；一复合空间层，该复合空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层的上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在复合空间层的上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层的上面。本发明可增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率。

公开(公告)号：CN102427084A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110401468.8

申请日：2011-12-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  毕杨 ,  王翠梅 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面；一非有意掺杂铟铝氮势垒层，该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。