公开(公告)号：CN1992168A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1870223A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610087785.6

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN1790759A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120085.8

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1645567A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510003830.0

申请日：2005-01-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供一种制备GaN晶体衬底的方法，该方法抑制在GaN晶体生长中的凹坑尺寸的增大以便制备具有高的衬底获得率的GaN晶体衬底。该制备GaN晶体衬底的方法包括通过气相生长技术在生长衬底(1)上生长GaN晶体(4)的步骤，所述GaN晶体衬底的制备方法的特征在于：在所述生长GaN晶体的步骤中，在晶体生长表面形成限定刻面平面(5F)的凹坑(6)，且特征在于，凹坑的凹坑尺寸增大因子为20％或以下。

公开(公告)号：CN1097847C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN97104545.3

申请日：1997-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  嶋津充 ,  松岛政人 ,  三浦祥纪 ,  元木健作 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L33/0075

Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。

公开(公告)号：CN1332480A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN01122442.8

申请日：2001-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  笠井仁 ,  冈久拓司

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种贯通转位密度小,而且在基体表面中不存在转位束,不产生劈开面紊乱的GaN基体制造方法和GaN基体。对GaN单结晶锭,在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体,由于转位走向平行于表面,形成低转位密度。将其作为晶种生长GaN。

公开(公告)号：CN1240304A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108644.9

申请日：1999-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  西本达也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  C30B25/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  Y10T428/26

Abstract: 提供一种面积大、弯曲小的独立的GaN单晶衬底。在GaAs(111)衬底上形成具有交错式窗或条纹窗的掩模,用HVPE法或MOC法,在低温下形成GaN缓冲层,用HVPE法在高温下形成厚的GaN外延层,将GaAs衬底除去。将GaN独立膜作为种晶,用HVPE法使GaN加厚,制成GaN晶锭。利用切片机切断晶锭,并研磨,制成透明无色、弯曲小的GaN晶片。

公开(公告)号：CN1237795A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99106909.9

申请日：1999-05-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  松岛政人

IPC: H01L29/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种n型的GaN衬底。使原料气中含有氧，在GaAs衬底上使GaN外延生长，然后将GaAs衬底除去，获得具有与氧浓度成正比的n型载流子的n型GaN的独立膜。

公开(公告)号：CN102315103B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN103180935A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051185.3

申请日：2011-11-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松原秀树 ,  冈久拓司

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本复合GaN衬底（1）包括：导电GaN衬底（10），其具有小于1Ωcm的电阻率；和半绝缘GaN层（20），其设置在导电GaN衬底（10）上，具有1×104Ωcm或更大的电阻率，且具有5μm或更大的厚度。该III族氮化物半导体器件（2）包括：上述复合GaN衬底（1）；和至少一个III族氮化物半导体层（30），其设置在复合GaN衬底（1）的半绝缘GaN层（20）上。由此获得具有改进特性和合理成本的复合GaN衬底（1）和半导体器件（2）。