公开(公告)号：CN101144182A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710138204.1

申请日：2007-07-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  冈久拓司 ,  上松康二

IPC: C30B25/04 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/183

Abstract: 根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M)，其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜(M)的基底基板(U)上外延生长晶体，其中在外延生长晶体的步骤中，晶体是在第一生长条件下生长的，其中以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a1/T+b1)＜Vj＜(a2/T+b2)，其中使用系数a1＝－4.39×105，b1＝3.87×102，a2＝－7.36×105和b2＝7.37×102。这样，晶体中的位错密度减小。

公开(公告)号：CN101086963A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN101071794A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102802.3

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III－V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III－V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III－V族化合物缓冲膜的步骤；在III－V族化合物缓冲膜上生长III－V族晶体的步骤。

公开(公告)号：CN1965112A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018887.6

申请日：2005-04-15

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  中畑成二 ,  弘田龙

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  C30B11/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。

公开(公告)号：CN1275335C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN02142450.0

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1694272A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510066894.5

申请日：2005-04-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  上野昌纪 ,  弘田龙 ,  中幡英章 ,  奥井学

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n－类型包层(3)；安置在n－类型包层(3)上的p－类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n－类型包层(3)与p－类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n－类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p－类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。

公开(公告)号：CN110042471B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201910130397.9

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/04 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN106536794A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039559.8

申请日：2015-04-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/06

Abstract: 一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm-1且不大于2cm-1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm-1。

公开(公告)号：CN1992168B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101815816A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110221.7

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  吉田浩章 ,  弘田龙 ,  藤原伸介 ,  田中晴子

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而获得。