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公开(公告)号：CN100543937C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710111998.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，以1秒钟～5秒钟使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN100514563C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710127001.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/263 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。
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公开(公告)号：CN100511593C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710112000.0
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将含有氦气以外的惰性气体的气体作为掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将含有氦气的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力。
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公开(公告)号：CN100479101C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710111993.X
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1毫秒～100毫秒的间隔采集功率差Pf-Pr的值的取样器，在上述功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。
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公开(公告)号：CN100364054C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN03127235.5
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，一边由供气装置将规定的气体输入真空容器内，一边用泵排气，将真空容器内保持在规定的压力的同时由高频电源向线圈施加高频功率。在真空容器内产生等离子体后，降低真空容器内的压力，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，慢慢减小真空容器内的压力的同时慢慢增大高频功率，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，高速采集向试样电极供给的高频功率的行进波功率Pf及反射波功率Pr，在功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101093801A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710111993.X
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1msec～100msec的间隔采集功率差Pf－Pr的值的取样器，在上述功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。
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公开(公告)号：CN1577746A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03159751.3
申请日：2003-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
Abstract: 根据一种用于注入杂质的方法，基片被定位在安装于腔体中的工作台上，所述腔体将被抽成真空且被输入所要注入的杂质。第一高频电源被加载到等离子体产生元件上，从而产生等离子体，以使腔体中的杂质被注入到基片中。另外，第二高频电源被加载到工作台上。对腔体中等离子体的状态和工作台中的电压和电流进行检测。控制器根据检测到的等离子体的状态和/或检测到的电压或电流，对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制，从而控制所要注入杂质的注入浓度。
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公开(公告)号：CN1497678A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03127235.5
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，一边由供气装置将规定的气体输入真空容器内，一边用泵排气，将真空容器内保持在规定的压力的同时由高频电源向线圈施加高频功率。在真空容器内产生等离子体后，降低真空容器内的压力，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，慢慢减小真空容器内的压力的同时慢慢增大高频功率，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，高速采集向试样电极供给的高频功率的行进波功率Pf及反射波功率Pr，在功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。
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公开(公告)号：CN1088911C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN95106027.9
申请日：1995-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/318 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/02238 , C23C16/48 , C23C16/482 , C23C16/484 , C23C16/485 , C23C16/486 , C23C16/487 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02227 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02277 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/28512 , H01L21/28525 , H01L21/28556 , H01L21/31608
Abstract: 通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片1照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成P型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于250℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的棚电极B和栅极绝缘膜。之后以栅电极为掩模进行刻蚀，形成由P型杂质层构成的沟道区域。通过在低于250℃的温度下边照射电离射线或光线边导入适当的气体，在栅极侧面上形成源、漏电极。
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公开(公告)号：CN1199242A
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：CN98109290.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 等离子体处理方法包括:通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室,控制真空室内部至规定压力;在真空室内部压力控制下,高频功率供给第一导体的一端,第一导体的另一端断开,成涡流型,第二导体的一端接地,另一端断开,成涡流型,从第一导体和第二导体辐射电磁波至真空室,在真空室产生等离子体,并处理位于真空室内电极上的基底。
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