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公开(公告)号：CN1993806A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026453.0
申请日：2005-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412
Abstract: 本发明提供了一种能够有效地实现浅杂质引入的引入方法。该杂质引入方法包括：第一步骤，通过使由在半导体层内是电学非活性的粒子组成的等离子体与包括所述半导体层的固态基体的表面反应，由此使所述半导体层表面成为非晶；以及第二步骤，将杂质引入到所述固态基体的表面。在执行所述第一步骤之后，通过执行所述第二步骤，在包括所述半导体层的固态基体表面上形成具有精细孔隙的非晶层，且在所述非晶层内引入杂质以形成杂质引入层。
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公开(公告)号：CN1969365A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019295.6
申请日：2005-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/317 , H01L21/265 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/3171 , G21K1/14 , H01J37/026 , H01J2237/0044 , H01L21/26513 , H05H1/46
Abstract: 提供了一种电荷中和装置，其能够提供5eV水平或者更低优选地为2eV水平的低能量电子，从而消除甚至是前线装置中的离子植入的充电和电子导致的损害，并且适用于大尺寸的基片(113)。电荷中和装置包括微波发生装置(104)；等离子发生装置(101)，其利用微波发生装置产生的微波产生电子等离子；和接触装置(107)，其使等离子发生装置产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触。
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公开(公告)号：CN1965392A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018635.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/0276
Abstract: 一种方法包括通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体的步骤、从该固态基体形成起着降低光反射率的功能的抗光反射膜的步骤、以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。
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公开(公告)号：CN1965391A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018450.2
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/28035 , H01L29/7833
Abstract: 提供了一种具有均匀特征的并且能够以高成品率制造的半导体器件。为了消除由干法蚀刻引起的衬底表面内的差异，调整由作为后处理的掺杂和退火步骤引起的差异，最后提供在衬底表面内实现极佳均匀性的步骤。
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公开(公告)号：CN1934681A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009622.X
申请日：2005-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01L21/26513
Abstract: 本发明形成具有盒形杂质分布的杂质区。本发明提供一种杂质引入方法，包括引入所需杂质到固态基体的表面的步骤，及在该杂质引入步骤之后辐照等离子体到该固态基体的表面从而形成具有接近盒形的杂质分布的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1842896A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024667.X
申请日：2004-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基板等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。
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公开(公告)号：CN1751383A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004146.8
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/6708
Abstract: 一种液相蚀刻方法和液相蚀刻装置，该方法中，在作为被处理物的固体或固体的集合体或者胶凝状的物体上以规定速度吹附化学反应性液体进行蚀刻；该装置具有保持被处理物的机构和在被保持的被处理物上吹附化学反应性液体用的喷嘴结构。根据本发明能够维持蚀刻的精度并且能够大幅度提高蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN102723366A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210249289.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r’大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN101436534B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810182659.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种制作器件的方法以及采用该方法形成的己加工材料。一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。
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公开(公告)号：CN101601138A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880002383.9
申请日：2008-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66803 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a－13d)。在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
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