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公开(公告)号：CN101359806B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810131165.7
申请日：2008-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。
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公开(公告)号：CN101490915B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780026061.3
申请日：2007-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/221 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
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公开(公告)号：CN101582564A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910139065.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32325 , H01S5/0224 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/2218 , H01S5/3202 , H01S5/32316 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种可进行红色和红外发光的半导体激光器装置，能够避免输出和特性的恶化，缩小元件幅度。半导体激光器装置(50)在基板(10)上具有红色激光器元件(1)和红外激光器元件(2)。红色激光器元件(1)具备双异质结构，InGaP类或AlGaInP类的活性层(13)被第(1)导电型包覆层(12)和有脊(14a)的第2导电型包覆层(14)夹持；红外激光器元件(2)具备双异质结构，GaAs类或AlGaAs类的活性层(23)被第1导电型包覆层(22)和有脊(24a)的第2导电型包覆层(24)夹持。当第1电极(31)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W1，第2电极(32)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W2时，满足W1＞W2以及80μm≥W2≥60μm的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047301A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710088516.6
申请日：2007-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/2206 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S2301/173
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN1976145A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610125744.1
申请日：2006-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件。该元件在衬底(101)上包括发光部，该部具有第一包覆层(103)，形成在其上的活性层(104)，形成在其上、具有将电流注入活性层(104)中的脊状条部(111)的第二包覆层(105)及形成在脊状条部(111)两侧、将电流约束到脊状条部(111)中的电流约束层(109)。从电流约束层(109)下表面到活性层(104)上表面的距离(d1)具有规定范围内的值。电流在流过脊状条部(111)后，到达活性层(104)前分散到宽度大于或等于脊状条部(111)宽度的范围。因此能提供纵模能在广泛的温度范围内稳定地维持多模式振荡特性及温度特性，并且温度特性很良好的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN1531156A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039739.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
CPC classification number: H01S5/2231 , G11B7/123 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0421 , H01S5/1014 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221
Abstract: 提供了远场图(FFP)的光轴稳定化的、在高输出下也可以进行基横模振荡的半导体激光器装置。另外，提供了FFP光轴稳定化的、在高输出下也可以通过基横模振荡进行工作的光学拾取装置。半导体激光器装置在由化合物半导体构成的倾斜衬底上形成，包含有源层和夹着该有源层的两个包覆层，所述包覆层中的一个形成台面状的脊，所述脊包含所述脊的底部的宽度基本固定的第一区域、及所述脊的底部的宽度连续变化的第二区域，所述第二区域位于所述第一区域和光路上的端面之间。
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公开(公告)号：CN1347582A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00806277.3
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯E·哈里斯,Jr
CPC classification number: H01L33/32 , H01L31/1035 , H01S5/32341
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括:激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率和可靠性。在举例性实施方案中,半导体结构包括:在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一GaAlNAs层,基本没有相分离的GaAlNAs活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三GaAlNAs层。
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公开(公告)号：CN1347581A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00805556.4
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场考明 , 詹姆斯S·哈里斯Jr.
IPC: H01S5/34 , H01L29/15 , H01L31/0352 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/1105 , H01L33/06 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构,该结构包括:包含许多组成层对的应变补偿的超晶格层,其中第一组成层包含处于张应力下的材料,而第二组成层包含处于压应力下的材料,以致使,相邻层的应力互相补偿,并使缺陷的产生减少。对材料适当的选择提供了增加的带隙和在至少某些装置中的光学限制。所述结构特别适合于激光二极管、光电二极管、光电晶体管、和异质结场效应晶体管和双极晶体管。
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