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公开(公告)号：CN119753623A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410023492.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/52 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法。所述方法将S粉、MoO3粉末、洁净的SiO2/Si衬底分别放置于第一温区、第二温区和第三温区，调控两粉末的间距以及MoO3粉末与衬底之间的距离，将各温区升温至设定温度，通过第一温区依次流向第二温区和第三温区的Ar/O2混合载气气流将S粉和MoO3粉末输送到衬底上并发生化学反应，在SiO2/Si衬底生长得到大晶畴尺寸单层MoS2薄膜。本发明采用化学气相沉积方法，在SiO2/Si衬底上，制备了均匀性好、晶畴尺寸大、高质量结晶性的单层MoS2薄膜，其平均晶畴尺寸可达20μm~78μm，该方法操作简单、成本低、可重复性好。
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公开(公告)号：CN119753590A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411985288.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 湖南大学
IPC: C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/54 , C23C14/58 , C23C14/06 , C23C16/06 , C23C16/44 , C23C16/56 , C23C16/30 , C23C16/52 , H10D64/62
Abstract: 本发明涉及一种原子级非晶态金属硫族化合物薄膜，该薄膜的化学式为MCx，0＜x≤1.5；其中：M为金属铂、钯、铱、铑中的任意一种；C为硫族元素中的硫、硒、碲中的任意一种。同时，本发明还公开了该薄膜的制备方法和应用。本发明有效降低了金属电极与沟道材料之间的接触电阻，与传统的铬金金属作为接触电极相比，能够提供一种半金属的缓冲层，有效提高电荷注入效率，并在场效应晶体管中表现出优异的开关比。
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公开(公告)号：CN119736598A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411882842.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 苏州国微纳半导体设备有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体镀膜设备技术领域，且公开了一种具有防堵塞功能的排气管路半导体镀膜设备，包括半导体镀膜机，所述半导体镀膜机的内部设有若干个排气管，所述排气管用于半导体镀膜机气体进出，所述排气管的两侧分别设有连接壳和衔接座，所述连接壳的内部开设有空腔，所述连接壳的一侧设有设有辅助结构，所述辅助结构上设置有监测结构，本发明提供的具有防堵塞功能的排气管路半导体镀膜设备具有辅助结构和监测结构，二者可以相互配合对设备管道的结晶进行监测和处理，辅助结构主要用于当管道内结晶凝结较厚时，将管道的一段拆卸打开后可以通过移动环对管道内部凝结的结晶进行清理，清洁效率高速度快，提高维修效率。
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公开(公告)号：CN119725134A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411918882.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆温度检测装置及其薄膜沉积设备，晶圆温度检测装置包括：晶圆降温缓冲站和温度检测组件，所述晶圆降温缓冲站内设有用于缓存晶圆的降温腔，所述温度检测组件包括若干温度传感器，所述温度传感器用于检测存储于所述降温腔内的晶圆。本发明的晶圆温度检测装置及其薄膜沉积设备，其通过在晶圆降温缓冲站内增加多个温度传感器，用于分别独立对每一片晶圆进行温度检测，从而可以实时、准确获取各晶圆降温数据。采用该检测装置的薄膜沉积设备，能够快速获取准确的降温数据，并根据实时降温数据控制机械臂将对应的晶圆传片，不仅可以防止温度过高烫伤传送盒，而且能够快速将降温完成的晶圆传出，提高工艺效率。
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公开(公告)号：CN119710642A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411951683.9
申请日：2024-12-27
Applicant: 株洲瑞德尔智能装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及化学气相沉积技术，尤其涉及一种碳化硅化学气相沉积炉，包括有安装架，所述安装架的一端固接有混气筒，所述混气筒的底部转动连接有圆板，所述圆板顶面固接有转杆，所述转杆从上至下分别连接有搅拌组件和喷气组件，所述转杆通过安装在所述混气筒顶面的驱动件以实现旋转，所述混气筒的顶端连接有出气组件。本发明设置有安装盒、喷嘴和转杆等部件，启动驱动件，进而驱动件带动转杆旋转，转杆带动安装盒旋转，接着启动第一气泵和喷嘴，进而第一气泵从储气隔间内抽取气体，并通过管道、流量阀和连接管输送至套管内，并由喷嘴喷出，而喷嘴喷出气体的同时跟随安装盒一起旋转，进而可以使得气体均匀分布在混气筒内，提高混合效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119710623A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411943017.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请提供一种氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，包括以下步骤：将基底置于沉积装置内；进行至少一次沉积处理，每次所述沉积处理各自独立地包括进行至少一次氧化锡薄膜子沉积处理和至少一次氟化物子沉积处理。本申请通过改变沉积处理次数、氧化锡薄膜子沉积次数以及氟化物子沉积处理次数，可以精确地调控氟掺杂氧化锡薄膜的厚度，且薄膜的均匀性好、厚度差异小。
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公开(公告)号：CN119710619A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411898821.1
申请日：2024-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钝化二硫化钼薄膜中硫空位缺陷的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明中，将钼箔和二硫化钼一起放在氩/氧氛围中退火，利用钼箔比起二硫化钼更容易被氧化的特性，使得氧气和二硫化钼的反应倾向于缺陷钝化(弱反应)而不是氧化刻蚀(强反应)；在此基础上，通过调节氩/氧中的氧气的比例、气体流量、压强、钝化温度和钝化时间，控制氧气和二硫化钼的反应程度，从而钝化硫空位缺陷，最终获得高质量的二硫化钼薄膜，有望促进其在光电器件上的进一步应用。
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公开(公告)号：CN119710607A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411908529.3
申请日：2024-12-23
Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
Inventor： 杨晓楠
IPC: C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种对心安装设备，用于实现第一工件和第二工件的对心安装，第一工件位于第二工件内；包括第一对心件、第二对心件以及定位件，第一对心件设置在第一工件上，其具有位于中央的第一对心孔，第二对心件位于第一对心件上方，其具有位于中央的第二对心孔，第二对心件的端部延伸至第二工件上，定位件具有能够插入第一对心孔和第二对心孔的第一状态，以及仅能够插入第二对心孔的第二状态。当第一工件为静电吸盘，第二工件为基座时，本发明通过第一对心件、第二对心件以及定位件的相互配合实现了静电吸盘与基座的对心安装，解决了由于静电吸盘和基座无法对心安装而导致影响晶圆冷却效果以及静电吸盘的使用寿命的技术问题。
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公开(公告)号：CN119685809A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510206169.0
申请日：2025-02-25
Applicant: 合肥晶合集成电路股份有限公司
Abstract: 本发明提供半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法，控制系统包括反应炉，用以对其内部的晶圆进行化学气相沉积处理；以及控制装置，用以在反应炉内，对晶圆进行化学气相沉积处理的成膜速度、成膜时间进行设定；椭扁仪，用以对晶圆经过化学气相沉积处理后的成膜厚度进行量测；以及计算装置，用以在初始成膜速度、初始成膜时间下，反应炉对当前多批次晶圆进行化学气相沉积处理后，获取椭扁仪对当前多批次晶圆量测的成膜厚度，并对当前多批次晶圆的成膜厚度及其对应的芯片密度进行统计。本发明可准确了解晶圆在化学气相沉积处理后的负载效应，从而能够有效提升晶圆表面的成膜质量与可靠度。
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公开(公告)号：CN119685805A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411858007.7
申请日：2024-12-16
Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了用于半导体工艺设备的阻抗调节装置以及半导体工艺设备。该阻抗调节装置包括：阻抗调节模块，位于所述半导体工艺设备的反应腔室内，并设置在喷淋板上，所述阻抗调节模块包括多个阻抗调节单元，每个所述阻抗调节单元的输出作为一个射频电流馈入点将射频电流馈入至所述喷淋板，所述多个阻抗调节单元均匀分布在所述喷淋板上；控制装置，位于所述反应腔室外部，并与所述阻抗调节模块电性耦接，所述控制装置被配置成独立调节各阻抗调节单元的阻抗。
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