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公开(公告)号：CN116981795A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280015910.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种辅助前体、薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含对薄膜前体化合物表现出反应稳定性的预定结构的化合物作为辅助前体的薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。
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公开(公告)号：CN116194457A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202080105400.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07D497/10
Abstract: 本发明涉及一种有机硫化合物的制备方法，具体涉及在包含水和有机溶剂的混合溶剂以及钌催化剂下，使特定的化合物与金属次卤酸盐进行反应，以合成有机硫化合物，其中，所述金属次卤酸盐以固态投入并在一部分未被溶解的状态下进行反应的有机硫化合物的制备方法。根据本发明，具有提供反应稳定性优秀且反应时间缩短，并且副反应少，因此，有机硫化合物的产量高的有机硫化合物的制备方法的效果。
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公开(公告)号：CN115735021A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180046637.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为键离解能为50～350KJ/mol的离去基团；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
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公开(公告)号：CN115715334A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202180046634.9
申请日：2021-07-06
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)以及碘(I)中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。根据本发明，能够提供一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂不仅不会降低蒙版的透射率，而且还能够防止腐蚀或劣化，从而大幅延长采用其的掩模的寿命。
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公开(公告)号：CN115702257A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180043888.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C07F9/00
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。
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公开(公告)号：CN111377936B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201911293769.6
申请日：2019-12-16
IPC: C07D491/107 , C07D495/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本公开提供了下式的延迟荧光化合物、以及包含所述有机发光化合物的有机发光二极管和有机发光显示装置，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极和在第一电极与第二电极之间的有机发光层，其中所述延迟荧光化合物包含在有机发光层中。
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公开(公告)号：CN112553599A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010111582.6
申请日：2020-02-24
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。
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公开(公告)号：CN109689838A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055665.4
申请日：2017-12-26
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/3213 , C09K13/04
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物，以及包括使用所述蚀刻用组合物的蚀刻工艺的制造半导体器件的方法，所述蚀刻用组合物包含第一无机酸、第一添加剂和溶剂。所述蚀刻用组合物可以使氧化物膜的蚀刻速率最小化同时选择性地去除氮化物膜，并且没有不利地影响器件特性的诸如产生粒子的问题，并且是高选择性的。
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公开(公告)号：CN115702257B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202180043888.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C07F9/00
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。
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