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公开(公告)号：CN100419816C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410003283.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02675 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1233 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3297 , H01L29/04 , H01L29/0684 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管(TFT)，其中，各个TFT的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关TFT的更高的开关性质，能够满足驱动TFT的更为均匀的亮度，并能够满足白色平衡而无须改变TFT有源层的尺寸。
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公开(公告)号：CN100403492C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410081921.1
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/395 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369 , Y10S977/773 , Y10T428/31504
Abstract: 提供了一种施主薄片，包括：底膜；以及转移层，所述转移层排列在所述底膜的一侧并且是可转移的，其中所述转移层包括多个被排列成大约彼此平行的P型或N型毫微粒子。其中所述转移层包括具有多根经纱和纬纱的机织织物，所述毫微粒子位于所述经纱和纬纱之一内。本发明还提供一种制造施主薄片的方法、一种制造薄膜晶体管的方法、以及一种制造具有发射区和选择驱动电路的平板显示器的方法。
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公开(公告)号：CN100388507C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410096228.1
申请日：2004-11-25
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/133 , G09F9/30 , G09G3/36 , G09G3/38
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：有源层，该有源层形成在绝缘衬底上，并且具有源极/漏极区域和沟道区域；形成在有源层上的栅极绝缘薄膜；和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极。该栅极电极可由导电金属薄膜图案和覆盖该导电金属薄膜图案的导电氧化物薄膜制成。源极/漏极区域可具有LDD区域，该LDD区域与所述栅极电极至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN100365674C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410047195.1
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/124
Abstract: 本发明公开的是一种平板显示器，包括一基板；沿预定方向形成在所述基板上的一栅极线；以及与所述栅极线电连接的栅极，该栅极具有与所述栅极线不同的薄层电阻。利用这种结构，只需对工艺做出最小限度的改变，就可以在不增加栅极线厚度的情况下降低所述栅极线的布线电阻。
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公开(公告)号：CN1324540C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410005025.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , G09G3/00 , H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1979910A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510121739.9
申请日：2005-12-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/0516
Abstract: 一种薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的方法以及一种包括薄膜晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极、与栅极连接的第一导电层、与源极和漏极中之一连接的第二导电层、接触源极和漏极的有机半导体层以及将源极和漏极以及有机半导体层与栅极绝缘的绝缘层，其中栅极、第一导电层、源极和漏极以及第二导电层中至少之一包括导电纳米颗粒和固化树脂。薄膜晶体管的导电层可具有精密图案。薄膜晶体管可以低成本、低温工艺来制造。
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公开(公告)号：CN1975542A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610121898.3
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其包括：开关薄膜晶体管，用于传输数据信号；以及驱动薄膜晶体管，用于驱动有机场致发光装置，使得一定量的电流根据数据信号流经有机场致发光装置，其中，对于单位面积的有源沟道，形成在驱动薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在开关薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数大至少一个或更多个。
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公开(公告)号：CN1855523A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610074003.5
申请日：2002-12-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/1104 , H01L27/3244 , H01L27/326 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5346
Abstract: 一种平板显示装置，包括：绝缘基体；多根信号线，这些信号线排布在绝缘基体上；多个像素区域，这些像素区域由所述的多根信号线所限定；多个发光区域，这些发光区域包括相应的电致发光层，并且成形在各自的像素区域上；多个薄膜晶体管，这些薄膜晶体管连接到相应的信号线上，以便分别排布在每个像素区域上；以及多个防反射层，这些防反射层成形在各自的发光区域的下方，其中，每个防反射层在相邻的像素区域之间被电隔离，并且被连接到相应的一个薄膜晶体管上。
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公开(公告)号：CN1834123A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610008944.9
申请日：2006-01-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08F112/04 , C08L25/02 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0038 , H01L51/0094 , H01L51/0541
Abstract: 一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物，其通过分子式1表示：其中R是被环己基或苯基取代的C11－C20甲硅烷基基团，m是从2到4的整数，n是从1到3,000的整数；一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物，其用来形成分子式1表示的化合物，并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂；一种薄膜晶体管，其包括使用PPV化合物制备的缓冲层；一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此，改进有机TFT的有机半导体层的定位，从而改进了有机TFT的特性。
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