公开(公告)号：CN105702718B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510918997.3

申请日：2015-12-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  细川博司 ,  安田佳史 ,  添野明高 ,  妹尾贤 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。

公开(公告)号：CN106206699B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201610362078.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种在不使半导体装置的特性降低的条件下使栅极输入电量减小的技术。在半导体装置中，发射区与第一沟槽部分(611)内的栅绝缘膜(62)接触。体区(23)与第二沟槽部分(612)内的栅绝缘膜(62)接触。第二沟槽部分(612)内的栅电极(63)的端面(63b)位于与第一沟槽部分(611)内的栅电极(63)的端面(63a)相比靠半导体基板的背面(10b)侧处。

公开(公告)号：CN104380471B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201380031045.9

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  添野明高 ,  森本淳 ,  竹内有一 ,  铃木巨裕 ,  副岛成雅 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/157 ,  H01L29/158 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: SiC半导体装置具备以埋入沟槽(5a)内的方式具有低浓度区域(5b)和高浓度区域(5c)的p型区域(5)，该沟槽(5a)形成在单元区域中，由低浓度区域(5b)构成p型柱，并且由高浓度区域(5c)构成p+型深层。由此，能够由基于低浓度区域(5b)的p型柱和基于n型漂移层(2)的n型柱构成SJ构造，所以实现了导通电阻的降低。此外，通过基于高浓度区域(5c)的p+型深层在截止时阻断漏极电位，所以能够缓和对栅极绝缘膜(8)施加的电场，能够防止栅极绝缘膜(8)被破坏。因此，SiC半导体装置能够实现降低导通电阻和防止栅极绝缘膜(8)破坏这双方。

公开(公告)号：CN106165103A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018706.3

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。

公开(公告)号：CN103765582B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180073082.7

申请日：2011-08-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明提供一种二极管区（11）和IGBT区（13）被形成在同一半导体基板上的半导体装置。二极管区具备多个第一导电型的阳极层（115、116），所述多个第一导电型的阳极层（115、116）露出于半导体基板（100）的表面且被相互隔离。IGBT区具备多个第一导电型的体接触层（135），所述多个第一导电型的体接触层（135）露出于半导体基板的表面且被相互隔离。阳极层具备至少一个以上的第一阳极层（116）。第一阳极层（116）至少被形成在接近IGBT区的位置处，第一阳极层（116）各自的半导体基板平面方向上的面积，大于最接近二极管区的体接触层（135）的半导体基板平面方向上的面积。由此，由于从第一阳极层（116）注入有较多的空穴，因此能够降低第一二极管区（11a）的正向电压。能够抑制因从体接触层（135）注入的空穴减少而使二极管区的正向电压上升的情况，以及，热损耗增大的情况。

公开(公告)号：CN104969348A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201380071969.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 森野友生 ,  水野祥司 ,  竹内有一 ,  添野明高 ,  渡边行彦

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/761 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815

Abstract: 碳化硅半导体装置具备元件分离层(14)和电场缓和层(15)。元件分离层在主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间，从基极区域(3)的表面形成至比所述基极区域更深，分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧。电场缓和层从所述基极区域的底部形成至比所述元件分离层更深的位置。所述电场缓和层被分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧，在所述电场缓和层的分离部分的内侧配置有所述元件分离层的至少一部分。

公开(公告)号：CN102884625B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201080066640.2

申请日：2010-05-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在二极管和IGBT被形成在同一半导体基板的主区域内的半导体装置中，为了得到稳定且足够大的检测IGBT电流，检测区域具有第一区域，所述第一区域在俯视观察半导体基板时距主阴极区的检测区域侧的端部的距离在615μm以上。此外，为了得到稳定且足够大的检测二极管电流，检测区域具有第二区域，所述第二区域在俯视观察半导体基板时距主阴极区的距离在298μm以下。检测区域可以同时具有第一区域和第二区域。

公开(公告)号：CN103975440A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060472.5

申请日：2012-12-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 添野明高 ,  山本敏雅 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513

Abstract: 一种垂直MOSFET，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括漏极层、漂移层、主体层和源极层；以及沟槽栅极，其从所述半导体衬底的上表面穿透所述源极层和所述主体层并且到达所述漂移层。所述沟槽栅极包括栅电极；第一绝缘膜，其布置于形成在所述半导体衬底中的沟槽的底表面上；第二绝缘膜，其至少布置在所述沟槽的侧表面上，并且与所述主体层接触；以及第三绝缘膜，其布置在所述栅电极和所述第二绝缘膜之间，并且由介电常数比所述第二绝缘膜的介电常数高的材料形成。

公开(公告)号：CN102804359B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980159805.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其在同一半导体基板内形成有IGBT元件区、二极管元件区、被设置于IGBT元件区与二极管元件区之间的边界区，在IGBT元件区中的第一导电型的第一体区内设置有第二导电型的载流子累积区。在边界区中，于第一导电型的第二扩散区内，设置有延伸至与载流子累积区相接为止的第二导电型的第三扩散区。由此，能够在IGBT工作时，对载流子穿过边界区而向二极管元件区移动的情况进行抑制，从而降低通态电压。而且，能够在二极管反向恢复时，对载流子在边界区的漂移区中累积的情况进行抑制，从而降低反向恢复电流。

公开(公告)号：CN102422416B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980159246.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 永冈达司 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种具备半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管区和IGBT区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区。在二极管漂移区内，形成有二极管寿命控制区。二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命。二极管寿命控制区的IGBT区侧的端部位于分离区的下方。