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公开(公告)号：CN107430328A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013518.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si-Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。
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公开(公告)号：CN102516453B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110316698.4
申请日：2011-07-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/36 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F232/08 , C08F212/14 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0382 , C07D239/10 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F12/26 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F220/36 , C09D125/18 , G03F1/50 , G03F7/0045 , C08F212/12
Abstract: 提供了包含侧链上具有N，N’-双(烷氧基甲基)四氢嘧啶酮或N，N’-双(羟甲基)四氢嘧啶酮结构的重复单元的聚合物。当使用该聚合物配制化学增幅负抗蚀剂组合物并通过光刻加工时，可以形成具有改善的LER和高分辨率优点的精细抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN102096321B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010568163.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其至少含有：(A)为碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础聚合物；(B)产酸剂；及(C)碱性成分；其特征在于：所述基础聚合物至少含有一高分子化合物，该高分子化合物含有由下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000。根据本发明，可提供一种在形成微细图案时不易产生桥接，且能够赋予高解像性的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN104330955A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410505727.5
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102253600B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110141668.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F1/14 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/11 , Y10S430/111
Abstract: 提供了一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)可溶于碱的基础聚合物，(B)酸产生剂和(C)含氮化合物，所述基础聚合物(A)在酸催化作用下变为碱不溶性。包括在侧链上具有氟化羧酸鎓盐的聚合物作为基础聚合物。用平版印刷法加工该负性抗蚀剂组合物可以形成抗蚀图案，其具有均匀的低酸扩散，LER改善和基材毒化降低的优点。
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公开(公告)号：CN103176353A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310054677.9
申请日：2008-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/20
Abstract: 一种含有聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物，所述聚合物包含重复的羟基苯乙烯单元和其上具有吸电子取代基的重复苯乙烯单元。在形成一种具有小于0.1μm微细特征尺寸的图案中，组合物表现出高的分辨率，由组合物形成的抗蚀涂层可以处理成这种微细尺寸图案而将图案特征之间桥连接的形成最小化。
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公开(公告)号：CN101923288B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201010289418.0
申请日：2010-06-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045
Abstract: 一种聚合物，包含高比例的含芳环结构单元，且侧链上含芳香磺酸锍盐，该聚合物用于形成化学放大正性光致抗蚀剂组合物，该组合物对于形成具有高抗蚀性的抗蚀图案是有效的。所述聚合物克服了在用于聚合和纯化的溶剂中以及抗蚀剂溶剂中的溶解问题。
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公开(公告)号：CN102081304B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010559623.4
申请日：2010-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其特征在于：基础树脂至少含有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000，作为碱性成分的含氮化合物包含一种以上的具有羧基且不具有以共价键与作为碱性中心的氮原子键合的氢的胺化合物。根据本发明，可提供一种不易于产生桥接，并且基板依存性较小，可形成解像性优异的图案的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法，
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公开(公告)号：CN101625523A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
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