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公开(公告)号：CN102081304A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010559623.4
申请日：2010-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其特征在于：基础树脂至少含有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000，作为碱性成分的含氮化合物包含一种以上的具有羧基且不具有以共价键与作为碱性中心的氮原子键合的氢的胺化合物。根据本发明，可提供一种不易于产生桥接，并且基板依存性较小，可形成解像性优异的图案的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN102040700A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010505496.X
申请日：2010-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F8/12 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F8/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08F2220/1833 , C08F2220/185 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , C08F220/30 , C08F230/08
Abstract: 提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，在包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构的聚合物的去保护反应中，该方法能够在短时间段内使该聚合物脱去酰基同时保持其它结构，并且能够取出已脱去酰基的聚合物同时高度抑制已脱去酰基的聚合物被除了参与反应的聚合物之外的物质污染。更具体地，提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，至少包括在有机溶剂中溶解所述受保护的聚合物和去保护试剂的步骤，所述受保护的聚合物至少包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构，所述去保护试剂选自由各自具有1.00以下的ClogP值的伯胺化合物或仲胺化合物，条件是在所述仲胺化合物中，耦合至氨基氮原子的两个碳原子的任一个都不是三代的。所述伯胺化合物或仲胺化合物各自优选由式HNR12-nR2n(1)表示。
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公开(公告)号：CN101846876A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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公开(公告)号：CN101762981A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910262157.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有被叔烷基保护的酚性羟基的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1825206A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610059991.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , C08L25/18 , C08L2666/04
Abstract: 本发明提供了一种负型抗蚀剂组合物，其包含一种包含具有式(1)的重复单元的聚合物、一种光致酸生成剂和一种交联剂。在式(1)中，X是烷基或烷氧基，R1和R2是H、OH、烷基、可取代的烷氧基或卤素，R3和R4是H或CH3，n是1至4的整数，m和k是1至5的整数，p、q和r是正数。该组合物具有高的曝光前后的碱溶解率对比、高灵敏度、高分辨率和良好的蚀刻性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119264100A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410876419.7
申请日：2024-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D327/06 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07D333/76 , C07C25/18 , C07C43/225 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/42
Abstract: 本发明涉及鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供能够产生扩散小的酸的鎓盐、含有此鎓盐的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。一种鎓盐，以下式(1)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118938598A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410567506.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供：可改善图案形成时的矩形性，且可获得LER、分辨性、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂；及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元，且会因为酸的作用而分解，在碱显影液中的溶解度会增大的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118732395A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410367375.5
申请日：2024-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供能够改善图案形成时的分辨性，且得到LER及图案忠实性良好的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)光酸产生剂，由下式(A)表示的鎓盐构成；及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114924463B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210127488.9
申请日：2022-02-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#式中，M为硫原子或硒原子。#imgabs1#
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公开(公告)号：CN118666653A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410293726.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C43/15 , C08F8/00 , G03F7/039 , C08F12/24 , C07C43/162 , C07C43/166 , C07C43/176 , C07C43/168 , C07C43/225 , C07C205/34 , C07D493/08 , C07C43/188 , C07C43/172 , C07C43/17 , G03F7/32 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明课题：提供具有极高孤立间距分辨性，LER小，矩形性优异，抑制显影负载及残渣缺陷的影响，同时蚀刻耐性、图案崩塌受抑制的化学增幅正型抗蚀剂组成物；用以制造用于该抗蚀剂组成物中的基础聚合物的缩醛修饰剂；经该缩醛修饰剂修饰的聚合物；及抗蚀剂图案形成方法。本发明解决手段：提供具有会成为脂肪族性或芳香族性羟基保护基的三键的基团的缩醛修饰剂；含有在侧链具有芳香族性羟基被下式(AL‑1)或(AL‑2)表示的酸不稳定基保护而成的结构的重复单元A1，且会因酸的作用而脱保护并成为碱可溶性聚合物；及包含该聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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