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公开(公告)号：CN106486504A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610592321.4
申请日：2016-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈信宏 , 杨敦年 , 刘人诚 , 亚历克斯·卡尔尼茨基 , 王文德
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/76232 , H01L21/764 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14683
Abstract: 一种方法，该方法包括：在衬底上形成深沟槽隔离结构，该衬底具有与正面表面相对的背面表面，深沟槽隔离结构向着正面表面打开。氧化物层形成在衬底的正面表面上以及深沟槽隔离结构的侧壁和底部上。去除衬底的正面表面上的氧化物层。去除衬底的位于深沟槽隔离结构的开口处的部分并且在衬底上形成外延层。本发明实施例涉及在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件。
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公开(公告)号：CN103390624B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210513212.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。图像传感器实施例包括：设置在阵列区和外围区的半导体，该半导体支撑阵列区中的光电二极管；设置在半导体的表面上方的抗反射涂层；设置在抗反射涂层上方的蚀刻停止层，阵列区中的光电二极管上方的蚀刻停止层的厚度小于外围区中的蚀刻停止层的厚度；以及设置在外围区中的蚀刻停止层上方的缓冲氧化物层。本发明还提供了用于BSI图像传感器的背面结构。
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公开(公告)号：CN105702666A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610069848.9
申请日：2011-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/58
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，所述第一密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，形成在密封环区域上方并且邻近第一密封环结构的第二密封环结构，所述第二密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，和形成在第一密封环结构和第二密封环结构上的第一钝化层。也提供了一种通过这种方法制造的多重密封环结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104779243A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410253422.X
申请日：2014-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L23/585 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是3DIC密封环结构及其形成方法，本发明提供了一种半导体器件，包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底、多个第一介电层以及多条导线，并且多条导线形成在第一衬底上方的第一介电层中。半导体器件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片的表面接合至第一半导体芯片的第一表面，第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层以及多条第二导线，并且多条第二导线形成在第二衬底上方的第二介电层中。半导体器件还包括从第一半导体芯片延伸至多条第二导线中的一条的第一导电部件，以及从第一半导体芯片延伸至第二半导体芯片的第一密封环结构。本发明还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102376683B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110224828.1
申请日：2011-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/02697 , H01L21/30604 , H01L21/31 , H01L21/31111 , H01L21/32051 , H01L21/6835 , H01L21/76 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/488 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2224/02166 , H01L2224/03 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0361 , H01L2224/0362 , H01L2224/05025 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2924/01019 , H01L2924/01068 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 方法包括提供具有密封圈区域和电路区域的基板，在密封圈区域上形成密封圈结构，在密封圈结构上形成第一前部钝化层，在第一前部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的前部孔，在前部孔中形成前部金属焊盘以连接前部金属焊盘和密封圈结构的外部，在密封圈结构下形成第一背部钝化层，在第一背部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的背部孔，和在背部孔中形成背部金属焊盘以连接背部金属焊盘和密封圈结构的外部。也提供了通过所述方法制造的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681454A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210519773.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/761 , H01L21/76237 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/0649
Abstract: 半导体器件的隔离。本发明提供用于隔离半导体器件的系统和方法。实施例包括横向离开半导体器件的源极/漏极区域的隔离区域并且具有在源极/漏极区域之间的隔离区域上方延伸的介电材料。可以通过在衬底上方形成穿过层的开口；沿着开口的侧壁沉积介电材料；在沉积之后将离子注入到衬底内；以及用另一介电材料填充开口来形成隔离区域。
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公开(公告)号：CN103426890A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210309512.7
申请日：2012-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。
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公开(公告)号：CN103390625A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210519818.5
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了用于BSI图像传感器的背面结构和方法。在实施例中，提供衬底，该衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和背面；在背面上方形成底部抗反射涂层(BARC)至第一厚度，其位于传感器阵列区和外围区上方；在BARC上方形成第一介电层；形成金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除第一介电层，其中，在选择性去除第一介电层的过程中还去除一部分第一厚度的BARC并且保留第一厚度BARC的剩余物；在BARC的剩余物上方和金属覆盖物上方形成第二介电层；以及在第二介电层上方形成钝化层。
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公开(公告)号：CN102915991A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110353065.0
申请日：2011-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/11916 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/83359 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。本发明还提供了一种BSI图像传感器芯片中的焊盘结构。
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公开(公告)号：CN102790059A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210008175.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/40
CPC classification number: H01L31/02005 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L31/02327 , H01L2224/0345 , H01L2224/03831 , H01L2224/0391 , H01L2224/04042 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于半导体器件的正面和半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在器件衬底的正面上；接合焊盘，被设置在半导体器件的背面上，并且与金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在器件衬底的背面上，其中，屏蔽结构和接合焊盘具有彼此不同的厚度。本发明还提供了具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。
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