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公开(公告)号：CN115921895A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211666768.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SLM高致密度金刚石金属基复合材料的打印方法，涉及一种3D打印金刚石/金属基复合材料的方法。本发明是要解决目前3D打印金刚石/金属基复合材料的致密度较低的技术问题。本发明步骤三中通过激光第一次打印金刚石/金属基复合材料粉末层形成一个骨架，再利用二次打印其上方的金属层融化对其下层的骨架进行二次致密，从而获得高致密度的打印件。本发明通过原位的金属层二次致密化，获得高致密度的打印件，保证金刚石/金属基复合材料致密度的同时，充分发挥3D打印在复杂结构件成形上的优势。
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公开(公告)号：CN113005518B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110200678.4
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底，本发明采用氮化铝作为衬底，降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配，因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN113005518A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110200678.4
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底，本发明采用氮化铝作为衬底，降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配，因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN108511721A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810297516.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/054 , C01B32/158
Abstract: 钠离子电池负极用VC0.75@NPC复合材料、制备及应用，本发明属于钠离子电池负极材料制备领域，具体是钠离子电池负极用VC0.75@NPC材料、制备及应用。本发明是要解决现有钠离子电池用负极材料不能在保证良好比容量的前提下，又能有效提高材料的循环稳定性的问题。方法：一、制备三聚氰胺分散液；二、将络合酸加入分散液中，得到沉淀；三、沉淀清洗干燥得前驱体A；四、制备含有钒源、磷源的凝胶；五、将前驱体A和凝胶混合，干燥得前驱体B；六、将前驱体B在氩气或氮气的条件下升温并保温，得黑色粉末；七、将黑色粉末清洗干燥后，即得VC0.75@NPC复合材料。复合材料作为钠离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN106467402A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610815108.5
申请日：2016-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C04B38/02 , C04B41/009 , C04B41/5057 , C04B41/51 , C04B41/85 , C04B41/88 , C04B41/4523
Abstract: 矿山掘进机用双连续相金属/陶瓷复合截齿的制造方法，涉及采矿设备制造领域，尤其涉及一种矿山掘进机用截齿的制造方法。本发明为了解决现有掘进机截齿的截齿头和截齿柄之间存在焊接应力集中的问题，且掘进机截齿头难以同时兼顾韧性和耐磨性的问题。本发明首先将陶瓷粉体、烧结助剂与丙烯酰胺单体以及表面活性剂在水介质中均匀混合，加入粘结剂水后进行发泡处理，然后烧结得到三维连续网络开孔结构的陶瓷骨架材料；采用水基介质或乙醇基介质为溶剂，利用表面改性剂对所述三维连续网络开孔结构的陶瓷骨架进行表面处理，利用有机粘合剂进行旋涂处理；最后涂覆或涂层材料到双连续相金属/陶瓷复合截齿。本发明截齿的设计制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103496692B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310424537.6
申请日：2013-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用液氨/碱金属溶液制备二维纳米材料的方法，它涉及二维纳米材料的制备方法。本发明要解决现有二维纳米材料制备方法得到的产品产率低和插层过程难于控制的问题，制备方法：一、称取的碱金属和层状化合物放入石英管中；二、石英管抽真空后充入高纯氨气，冷却至管中的氨气液化；三、振荡石英管至液氨溶液的蓝色褪去，然后抽出汽化的液氨；四、将插层后的层状化合物放入去离子水中超声处理；五、把步骤四的纳米材料水溶液放入离心机中离心，在上层液体中收集得到二维纳米材料。通过本发明的制备方法得到二维纳米材料的产率可达80%，并通过观察液氨溶液颜色由蓝色逐渐变为无色的过程，有效地控制碱金属离子对层状化合物的插层过程。
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公开(公告)号：CN105136361A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510563598.X
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/25
Abstract: 一种用X射线衍射测定立方单晶体材料应力的方法，涉及一种测定立方单晶体材料应力的方法。本发明为了解决现有的单晶体材料应力的测量方法测定结果的可靠性不高的问题。本发明首先利用极图技术，准确确定晶体的方向；对处理后的试样利用X射线衍射技术得到极图，通过极图分析进一步得到方位角和ψ；然后建立关系坐标系并且进行单晶定向；根据关系坐标系以及弹性力学应力应变的关系，得到2θ-2θ0＝A1σ11+A2σ12+A3σ22，然后通过改变方位角ψ和分别求得A1，A2，A3代入公式2θ-2θ0＝A1σ11+A2σ12+A3σ22，进而求得σ11、σ12、σ22。本发明适用于测定立方单晶体材料的应力。
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公开(公告)号：CN104944418A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510337459.5
申请日：2015-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法，它涉及一种制备氮含量和种类可调控的掺杂石墨烯的方法。本发明的目的是要解决目前氮掺杂石墨烯制备工艺复杂，制备成本较高，难以工业化以及制备的氮掺杂石墨烯中氮元素含量和种类可控的问题，本发明方法为：将氮化碳放入一端密封的石英管中，在石英管开口端放置圆柱形石英堵头，将石英管转移至管式炉中，在惰性气氛保护下进行升温，保温，继续升温，并保温来调控氮掺杂石墨烯种氮元素含量和种类，即完成。本发明方法简单，环境友好，氮掺杂石墨烯种氮元素的含量和种类可控，可用于替代商业Pt/C作为氧还原催化剂，本发明应用于电池、光催化、催化氧化、气体传感器和药物输运领域。
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公开(公告)号：CN102424596B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110261934.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/80 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: SiC纳米颗粒及SiC晶须混杂增韧ZrC基超高温陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及超高温陶瓷复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的ZrC基超高温陶瓷致密度低、成本高的技术问题。SiC纳米颗粒及SiC晶须混杂增韧ZrC基超高温陶瓷复合材料由SiC纳米颗粒、SiC晶须和ZrC基体组成；SiC纳米颗粒和SiC晶须作为增强相存在于ZrC基体中。制备方法：将SiC晶须经超声波分散后与SiC纳米颗粒和ZrC粉末混合，再球磨、烘干，再将混合粉装入石墨模具中热压烧结，得到SiC纳米颗粒及SiC晶须混杂增韧ZrC基超高温陶瓷复合材料，其致密度为96％～100％，成本低，可用于固体火箭发动机或超高速飞行器。
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公开(公告)号：CN102618930A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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