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公开(公告)号：CN103226954B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310032007.7
申请日：2013-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 本发明的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102208192B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110076895.3
申请日：2011-03-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，其包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MgO作为主成分，并且，含有在1000℃下的氧化自由能为每1摩尔氧、-120千卡/摩尔O2以下的元素。该热辅助磁记录介质具有磁性晶粒均匀、并且磁性粒子间的交换耦合充分弱的特性。
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公开(公告)号：CN112750471B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011164742.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 昭和电工株式会社 , 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G11B7/24047 , G11B7/253 , G11B7/254
Abstract: 本发明提供一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。磁性记录介质(100)具有在基板(1)上依序设置的第1底层(3)、第2底层(4)以及磁性层(5)，磁性层(5)包含具有L10型结晶结构的合金。磁性记录介质(1)还具有与磁性层(5)相接的钉扎层(6)。钉扎层(6)具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构。磁性粒子是包含Co的粒子。粒界部包含Y2O3及/或镧系元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN113053422B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011388537.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111798876B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010269127.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。
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公开(公告)号：CN113053423A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011381766.0
申请日：2020-12-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使磁性层的(001)取向性提高的磁记录介质，磁记录介质(100)依次具有基板(1)、基底层(2)以及磁性层(30)，基底层(2)具有第一基底层(21)，该第一基底层包括由通式MgO(1－X)表示的化合物，该通式中，X在0.07～0.25的范围内，磁性层(3)包括具有L10构造的合金，具有L10构造的合金具有包括B的第一磁性层(31)，第一基底层(21)与第一磁性层(31)相接。
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公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN110875063A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910681488.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。
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公开(公告)号：CN108346437B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810039987.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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