公开(公告)号：CN1320652C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410064104.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1-xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1-y-zN(其中，0≤y≤1、0＜z≤1)构成的第二化合物层(103)、和在第二化合物层(103)上形成的栅电极(105)。栅电极(105)通过在覆盖第一层间绝缘膜(106)的第二层间绝缘膜(107)上形成的金属布线(109)，与在覆盖该栅电极(105)的第一层间绝缘膜(106)上形成的电阻元件(108)电连接。这样，可以同时实现导通电阻的减小和截止电容的减小，并且获得栅宽的最优设计值。

公开(公告)号：CN1918459A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200480041703.3

申请日：2004-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  上田大助

IPC: G01J1/02 ,  H01C7/04 ,  H01L27/14 ,  H01L37/00

CPC classification number: H01C7/045 ,  G01J5/20 ,  H01C7/06 ,  H01L27/16 ,  H01L31/09 ,  H01L37/00 ,  H01L41/094 ,  H04N5/33

Abstract: 本发明的红外线摄像元件的特征在于，具备一维或二维排列的多个像素单元(1a－1d)，各像素单元包含热敏电阻，该热敏电阻由强相关电子类材料构成。由此，能够提供温度分辨率比以往高的红外线摄像元件。

公开(公告)号：CN1551373A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III－V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1－xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1－yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。

公开(公告)号：CN1538528A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410043100.9

申请日：2004-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  上田大助 ,  片山琢磨 ,  胜野元成 ,  吉田真治

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H04N9/045

Abstract: 在光电二极管上方形成光屏蔽膜，所述光电二极管将所接收到的光转换为电信号，在所述光电二极管和所述光屏蔽膜之间夹有绝缘膜。在截止膜中形成窗孔，以致截止所述光电二极管敏感的光线的波长范围内的至少预定波长的光线，允许低于所述预定波长的光线穿过。

公开(公告)号：CN1082248C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96102294.9

申请日：1996-06-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野间淳史 ,  上田大助

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 在形成于半导体基板上边的基底绝缘膜的上边形成由下部电极、由强电介质构成的陶瓷电容器膜和上部电极构成的强电介质电容器。在半导体基板的上边形成层间绝缘膜，使得把强电介质电容器覆盖起来，并在层间绝缘膜的上边形成电极布线。在存在于上部电极的侧面和陶瓷电容器膜的上表面的交点与陶瓷电容器膜的侧面和下部电极的上表面的交点之间的陶瓷电容器膜的表面的长度L，和陶瓷电容器膜的厚度D之间，L≥2D的关系成立。

公开(公告)号：CN103392225A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180068394.9

申请日：2011-07-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 氮化物半导体装置具有：半导体基板(101)和在半导体基板上形成的氮化物半导体层(102)。半导体基板(101)具有通常区域(101A)、载流子供给区域(101C)以及界面电流阻挡区域(101B)。界面电流阻挡区域包围通常区域以及载流子供给区域；界面电流阻挡区域与载流子供给区域分别含有杂质。载流子供给区域具有成为向在氮化物半导体层与半导体基板的界面形成的载流子层进行供给的载流子供给源且成为载流子的排出目的地的导电类型。界面电流阻挡区域具有针对载流子形成势垒的导电类型。

公开(公告)号：CN103339857A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006602.7

申请日：2012-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井秀一 ,  上田大助 ,  大塚信之

IPC: H03K17/687 ,  H02M1/08

CPC classification number: H03K17/04 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H02M1/08 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/691 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够对半导体开关元件输出不仅是上升时间、下降时间也较短的驱动信号的具有信号绝缘功能的栅极驱动电路，具备：输入端子，被输入控制信号；输出端子；电容器，连接在输出端子上；调制部（170），生成表示控制信号中的第一逻辑值的定时的第一调制信号和表示控制信号中的至少第二逻辑值的定时的第二调制信号；第一电磁谐振耦合器（107），将第一调制信号非接触地传送；第二电磁谐振耦合器（108），将第二调制信号非接触地传送；第一整流电路（171），通过将第一调制信号解调而生成第一解调信号，向输出端子输出；第二整流电路（172），通过将第二调制信号解调而生成第二解调信号，向输出端子输出。

公开(公告)号：CN102781845A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011522.6

申请日：2011-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 美浓规央 ,  上田大助

IPC: C02F1/04 ,  B01D1/00

CPC classification number: C02F1/043 ,  C02F1/14 ,  C02F2103/08 ,  Y02A20/128 ,  Y02A20/129 ,  Y02A20/142

Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用淡水化装置淡化盐水的方法。淡水化装置在容器的内部具备通气性片、拨水颗粒层、槽层，槽层位于容器的下部，通气性片夹持在拨水颗粒层和槽层之间。通气性片具备贯通孔，拨水颗粒层由密集的多个拨水性颗粒构成，拨水性颗粒的表面具备拨水膜。通过如下工序来淡化盐水：向容器中注入盐水，使盐水配置在拨水颗粒层的表面上的工序；加热盐水，使得上述盐水蒸发形成水蒸气的工序；和将水蒸气液化，在槽层得到淡水的工序。

公开(公告)号：CN100490200C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200710103902.8

申请日：2003-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田大助

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发光装置，包括：载体基片；半导体发光元件，其安装在所述载体基片上；透明薄膜，其固定在所述载体基片上，以覆盖所述半导体发光元件；以及图形电极，其形成在所述透明薄膜的上表面上，其中所述图形电极电连接着所述半导体发光元件的终端电极，所述透明薄膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉，荧光膜形成在所述透明薄膜的至少一个表面上，所述荧光膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。

公开(公告)号：CN100472818C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN03155757.0

申请日：2003-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田大助

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发例如蓝光的InGaN基发光二极管，其作为半导体发光元件而被固定在载体基片上，并且透明薄膜固定在载体基片上，以覆盖半导体发光元件。图形电极形成在透明薄膜的上表面上，并且图形电极穿过例如通孔而电连接着半导体发光元件的终端电极。透明薄膜中可以含有可被半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。在将半导体发光元件与图形电极连接时不必再进行引线焊接和利用密封层密封。