公开(公告)号：CN101436534A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810182659.8

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  金成国 ,  水野文二

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268

Abstract: 本发明公开了一种制作器件的方法以及采用该方法形成的已加工材料。一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。

公开(公告)号：CN100470727C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200480027712.7

申请日：2004-09-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。

公开(公告)号：CN101258786A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032251.1

申请日：2006-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  伊藤裕之 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  中山一郎 ,  置田尚吾 ,  永井久雄

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备(2，16)引入真空容器(1)时，该真空容器(1)通过排气孔(11)藉由作为排气装置的涡轮分子泵(3)被排气，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)供应到置为与样品电极(6)对立的介质窗口(7)附近的线圈(8)，由此在真空容器(1)内产生感应耦合等离子体。介质窗口(7)是由多个介质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介质板内的气体排出口(15，19)被允许连通介质窗口内的槽。从气体排出口(15，19)引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。

公开(公告)号：CN101151709A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010228.2

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  中山一郎 ,  金成国

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口11将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。

公开(公告)号：CN101151707A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010324.7

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中山一郎 ,  佐佐木雄一朗 ,  奥村智洋 ,  金成国 ,  伊藤裕之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。

公开(公告)号：CN100370588C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200480004146.8

申请日：2004-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  中山一郎 ,  金田久隆

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/6708

Abstract: 一种液相蚀刻方法和液相蚀刻装置，该方法中，在作为被处理物的固体或固体的集合体或者胶凝状的物体上以规定速度吹附化学反应性液体进行蚀刻；该装置具有保持被处理物的机构和在被保持的被处理物上吹附化学反应性液体用的喷嘴结构。根据本发明能够维持蚀刻的精度并且能够大幅度提高蚀刻速度。

公开(公告)号：CN101090070A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710111998.2

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，以1秒钟～5秒钟使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。

公开(公告)号：CN101090068A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710111995.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是通过一边将气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，将高频功率供给上述等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将高频功率供给上述真空容器内的用于放置试样的电极，在上述放置试样的电极上放置的试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，供给上述等离子体发生装置或者上述试样电极的上述高频功率的行进波功率为Pf，反射波功率为Pr时，以1msec～100msec的间隔采集功率差Pf－Pr的值，在功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。

公开(公告)号：CN101053066A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580037487.X

申请日：2005-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  金成国 ,  前嶋聪 ,  伊藤裕之 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。

公开(公告)号：CN100339967C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN02160457.6

申请日：2002-12-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/304 ,  G01R19/0061 ,  G21K5/04 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/3175

Abstract: 本发明提供一种离子照射装置。其所具有的特征是离子束线具有始端和终端，并且在始端和终端之间至少配置1个离子束无损型束电流测定装置，又，所具有的特征是始端是离子源，终端是设置了半导体晶圆的处理室，在半导体晶圆的前段上配置离子束无损型束电流测定装置。