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公开(公告)号：CN102834872B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180017639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/003 , G11C29/50008 , G11C2213/15
Abstract: 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。
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公开(公告)号：CN102959636B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201280001450.1
申请日：2012-06-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1673 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C2013/0054 , G11C2213/77
Abstract: 本发明提供一种交叉点型的非易失性半导体存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。该非易失性半导体存储装置具有多个字线（2）、以与多个字线（2）立体交差的方式形成的多个位线（3）、以及由针对多个字线（2）与多个位线（3）的各个立体交差点设置的单元的集合体构成的交叉点单元阵列（1），单元的集合体包括：存储单元（4），该存储单元（4）包括存储元件，该存储元件进行根据电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化的存储动作；以及偏移检测单元（5），具有比存储元件进行存储动作时的高电阻状态下的存储元件的电阻值高的固定的电阻值。
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公开(公告)号：CN102119424B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080002012.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置(100)具备串联连接电阻变化元件(R11、R12、…)和存储单元(M11、M12、…)的存储单元(M11、M12、…)，电阻变化元件(R11、R12、…)由介于第1电极和上述第2电极之间并设置成与两电极相接的电阻变化层构成，存储单元(M11、M12、…)由介于第3电极和上述第4电极之间并设置成与两电极相接的电流控制层构成的电流控制元件(D11、D12、…)而构成，在将电阻变化元件低电阻化时经由电流限制电路(105b)由第1LR化驱动电路(105a1)驱动，在高电阻化时由第2HR化驱动电路(105a2)驱动，通过电流限制电路(105b)，将电阻变化元件低电阻化时的电流设为小于高电阻化时的电流。
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公开(公告)号：CN101952893B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980106187.0
申请日：2009-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种能够进行稳定的高速动作的电阻变化元件的驱动方法。该驱动方法是驱动具备对应于被施加的电气脉冲的极性而变迁为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化层(3)、和下部电极(2)及上部电极(4)的非易失性的电阻变化元件(10)的方法，具有：写入过程(S11及S15)，通过写入电压脉冲，使电阻变化层(3)从低电阻状态变迁为高电阻状态；擦除过程(S13)，使电阻变化层(3)从高电阻状态变迁为低电阻状态；在写入过程中，如果设制造电阻变化元件(10)后的第1次的写入(S11)时的写入电压脉冲的电压值为Vw1、设制造电阻变化元件(10)之后的第2次以后的写入时的写入电压脉冲的电压值为Vw，则对电极间施加写入电压脉冲，以满足|Vw1|＞|Vw|。
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公开(公告)号：CN103052991A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280001689.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，恢复电阻变化故障，确保动作窗口，使电阻变化动作能够稳定地持续。在电阻变化型非易失性存储元件中，发生了电阻变化故障的情况下，对所述电阻变化型非易失性存储元件至少施加1次由第1恢复电压脉冲（14）和第2恢复电压脉冲（15）这两个脉冲构成的恢复电压脉冲，所述第1恢复电压脉冲（14）是振幅比通常的高电阻化电压脉冲及低电阻化电压脉冲大的高电阻化电压脉冲，所述第2恢复电压脉冲（15）后续于第1恢复电压脉冲（14），是低电阻化电压脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102918600A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201280001064.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。
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公开(公告)号：CN102884584A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201280001056.8
申请日：2012-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/21 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/15 , G11C2213/71
Abstract: 一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，具备：在多个位线与多个字线的交点位置上形成的交叉点型的存储单元阵列（200）、从存储单元阵列（200）选择至少一个存储单元（51）的字线解码器电路（103）、从所选择的存储单元读取数据的读取电路（106）、供给第1定电流的非选择字线用电流源（199）、以及对来自所选择的存储单元的数据的读取进行控制的控制电路（109），控制电路（109）在读取电路（106）进行数据读取时，以向非选择字线供给第1定电流的方式，对字线解码器电路（103）、读取电路（106）及非选择字线用电流源（199）进行控制。
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公开(公告)号：CN102822901A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201280000807.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法是通过对包括电阻变化元件的存储器单元施加电压脉冲而使电阻变化元件根据所施加的电压脉冲的极性在第1电阻状态与第2电阻状态之间可逆地变化的写入方法，包括第1电阻状态化步骤，该第1电阻状态化步骤包括：在使电阻变化元件从第2电阻状态向第1电阻状态变化时，对电阻变化元件施加电压绝对值比第2电压脉冲(VL)小且极性不同于第1电压脉冲(VH)的第1电阻化预电压脉冲(VLpr)的第1步骤；以及之后施加第1电压脉冲(VH)的第2步骤。
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公开(公告)号：CN102804278A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180014829.1
申请日：2011-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种电阻变化型非易失性存储元件的塑造方法及电阻变化型非易失性存储装置，与以往相比能够降低塑造电压且能够回避塑造电压在每个电阻变化元件中的偏差。该塑造方法是电阻变化元件(100)初始化的塑造方法，包括：判断1T1R型存储器单元电流是否大于基准电流的步骤(S24)；在判断为并不大的情况下(S24中“否”)，施加脉冲宽度(Tp(n))上升的塑造用正电压脉冲的步骤(S22)；以及施加具有脉冲宽度(Tp(n))以下的脉冲宽度(Tn)的负电压脉冲的步骤(S23)，重复步骤(S24)、施加步骤(S22)及施加步骤(S23)，直到塑造完成为止。
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公开(公告)号：CN102790073A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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