-
公开(公告)号：CN216311756U
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202121953185.X
申请日：2021-08-19
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种封装结构，其包括：第一半导体圆片，其正面设置有磁传感器、第一金属焊盘和与第一金属焊盘连接的第一再布线层，其背面设置有第一腔体和第二腔体；第二半导体圆片，其正面设置有第二金属焊盘、加速度传感器和陀螺仪，第二半导体圆片与第一半导体圆片的背面相键合，其中，第二半导体圆片位于第一半导体圆片的上方，第二半导体圆片的正面与第一半导体圆片的背面相对，且第二半导体圆片正面的加速度传感器和陀螺仪分别与第一半导体圆片背面的第一腔体和第二腔体相对。与现有技术相比，本实用新型通过将磁传感器，加速度传感器和陀螺仪集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
-
公开(公告)号：CN208255388U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820437050.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种磁电阻传感器，其包括磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，以及形成于所述磁电阻条上的并与所述磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个短路条，所述短路条与所属的磁场传感单元的磁易轴之间的夹角称为短路条的取向角度α，所述短路条的取向角度α介于28～40度之间。本实用新型突破了传统对磁电阻传感器的短路条的取向角度认知，给出了短路条的最优取向角度，从而使得磁电阻传感器的灵敏度最优或更优。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207895057U
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201820303972.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本实用新型提供一种磁电阻传感器，其包括：设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡，斜坡包括底面、分布于底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面；若干磁场传感单元，磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有磁场传感单元，且磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致；自检线圈，其位于若干纵长条形的斜坡的底面的下方，自检线圈包括依次并行排布的若干导线，导线的延伸方向与斜坡的纵长延伸方向一致，若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。与现有技术相比，本实用新型中设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN201787980U
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201020550686.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种热式质量流量传感器封装件，其包括流量传感器芯片和与流量传感器芯片键合在一起的盖帽，所述流量传感器芯片上设有传感器敏感区，所述传感器敏感区设有微热源和温度传感器，所述盖帽上设置流体流道，所述传感器敏感区位于盖帽的流体流道内。本实用新型涉及的热式质量流量传感器封装件，有效提高流量传感器芯片性能的一致性、稳定性及可靠性，并且有效减低封装成本，同时有效提高产品的良率及生产效率。
-
公开(公告)号：CN218909865U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202223290702.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构，其包括：第一半导体圆片，其正面设置有磁传感器，其背面设置有第一空腔和贯穿第一半导体圆片的导电窗口；第二半导体圆片，其正面与第一半导体圆片的背面相对且相互键合，第二半导体圆片的正面与第一空腔的相对位置处设置有第三空腔和惯性传感器；第二半导体圆片的正面与导电窗口的相对位置处设置有金属焊盘。与现有技术相比，本实用新型通过WLP扇出型的封装方式，将惯性传感器和磁传感器传感器集成到一个封装体内部，一方面可以缩短产品的加工周期，降低了加工成本；另一方面，产品的集成度更高，减小了封装体积，应用前景更广泛。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216054656U
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202121955399.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种六轴集成传感器的封装结构，其包括：第一半导体圆片，其正面设置有加速度传感器和第一金属焊盘，其背面设置有陀螺仪和第二金属焊盘；第二半导体圆片，其与第一半导体圆片的正面相键合，第二半导体圆片的背面与第一半导体圆片的正面相对，且第二半导体圆片的背面与加速度传感器的相对位置处设置有第一空腔；第三半导体圆片，其与第一半导体圆片的背面相键合，第三半导体圆片的正面与第一半导体圆片的背面相对，且第三半导体圆片的正面与所述陀螺仪的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本实用新型通过将加速度传感器和陀螺仪集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
-
公开(公告)号：CN208125909U
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201820705620.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本实用新型提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置-重置导线组，所述设置-重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置-重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比，本实用新型的磁场传感器，其设置-重置线圈在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置-重置磁电阻条的磁矩。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN217062077U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220228621.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种封装结构，其包括：半导体圆片，其背面与其正面相对，且其背面位于其正面的上方；半导体圆片正面设置有传感器的控制单元和金属焊盘；半导体圆片内部设置有通孔，通孔自半导体圆片的背面向下延伸至传感器的控制单元；半导体圆片的背面设置有第一再布线层，第一再布线层由传感器的控制单元经通孔引出并再分布到半导体圆片的背面；多个传感器器件，其分布于第一再布线层上方，每个传感器器件与半导体圆片的背面相键合，且每个传感器器件的信号触点与第一再布线层连接。与现有技术相比，本实用新型将多个传感器与控制单元集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
-
公开(公告)号：CN202548308U
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201220174616.7
申请日：2012-04-23
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/02
Abstract: 本实用新型涉及一种三轴磁传感器，其包括有衬底层。其中衬底层沿X和Y轴方向上分别设置有第一、第二斜坡，第一、第二斜坡上沿斜坡倾斜的方向上分别设置有第一、第二传感器单元。第一传感器单元和第二传感器单元分别感应水平方向以及竖直方向上的磁信号并输出探测值，从而完成对X、Y及Z轴三个方向上的磁信号的探测。本实用新型涉及的三轴磁传感器结构简单，成本较低。
-
公开(公告)号：CN217062078U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220237412.7
申请日：2022-01-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种封装结构，所述封装结构包括：半导体圆片，其背面位于其正面的上方；半导体圆片正面设置有传感器的控制单元和金属焊盘；半导体圆片内部设置有通孔，通孔自半导体圆片的背面向下延伸至传感器的控制单元；半导体圆片的背面设置有第一再布线层，第一再布线层由传感器的控制单元经通孔引出并再分布到半导体圆片的背面；多个传感器器件，其分布于第一再布线层上，每个传感器器件与半导体圆片的背面相键合，且每个传感器器件的信号触点与第一再布线层连接；第二再布线层，其位于金属焊盘的下方，且与金属焊盘相连。与现有技术相比，本实用新型通过将多个传感器与控制单元集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.04 seconds)
