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公开(公告)号：CN103367121A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210085270.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: C30B25/183 , C30B19/00 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/186 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L51/0048
Abstract: 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述基底的第一外延生长面生长一缓冲层；在所述缓冲层远离基底的表面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的缓冲层表面生长一第一外延层；去除所述基底及所述缓冲层，暴露出所述碳纳米管层，形成一包括所述第一外延层及所述碳纳米管层的外延衬底；以及将所述外延衬底暴露有碳纳米管层的表面作为一第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。
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公开(公告)号：CN103140612A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180039205.5
申请日：2011-06-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大石隆一
IPC: C30B29/06 , C01B33/02 , C30B19/00 , H01L31/04 , H01L21/208
CPC classification number: H01L31/182 , C01B33/02 , C01B33/021 , C30B15/007 , C30B19/00 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02625 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/0512 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅带(11)、球状硅(53)、它们的制造方法、以及使用了它们的太阳能电池单元和太阳能电池组件，所述硅带(11)、球状硅(53)是由熔液(12)直接制作的硅带(11)、球状硅(53)，该硅带(11)、球状硅(53)的氮浓度为5×1015原子数/cm3以上且5×1017原子数/cm3以下。
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公开(公告)号：CN101981677A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110483.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/7786
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板具有良好的二维电子气特性且由应变产生的内部应力减小。采用的解决手段为，以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成是在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的五条直线所围成的范围内。
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公开(公告)号：CN101932757A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103467.6
申请日：2009-01-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 在使p型SiC半导体单晶在SiC单晶基底上生长的方法中，使用其中C溶解在Si熔体中的第一溶液，将Al和N添加到所述第一溶液中，使得添加的Al的量大于添加的N的量，由此制备第二溶液，并由所述第二溶液在SiC单晶基底上生长所述p型SiC半导体单晶。提供了通过上述方法生长的p型SiC半导体单晶，其含有1×1020cm-3的Al和2×1018至7×1018cm-3的N作为杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101910476A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102150.0
申请日：2009-01-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且X的比例为1至25原子％，以及由所述溶液生长碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN100369196C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN02818719.9
申请日：2002-09-24
Applicant: 克里公司
Inventor： 约瑟夫·J·舒马克拉斯 , 兰博·辛格 , 迈克·詹姆斯·佩斯雷 , 斯蒂芬·乔治·穆勒 , 哈德森·M·霍布古德 , 小卡尔文·H·卡特 , 小阿尔博特·奥古斯塔斯·伯克
IPC: H01L21/04 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L29/73 , H01L29/74
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B19/00 , C30B23/002 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/732 , H01L29/744 , H01L29/861
Abstract: 一种双极器件(30)，具有至少一层单晶碳化硅p型层(34)和至少一层单晶碳化硅n型层(33)，其中在正向工作下生长的那些堆垛层错(40)的那些部分至少与有源区和器件剩余部分之间的界面之一分隔开。
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公开(公告)号：CN1324657C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN03815345.9
申请日：2003-06-24
IPC: H01L21/302 , C30B28/04
Abstract: 为了得到能够通过扩大生产规模极大地增加制造效率和显著地降低每单位面积的生产成本的薄板制造方法和制造这种薄板的装置，提供了本发明的方法和装置，当通过将基片的表层部分浸渍到在主室(1)中设置的坩埚(2)中的硅熔融液(7)中使得硅(5)附着于基片的表面时，通过使用至少一个与主室相邻(1)的副室(3、4)将基片装入到主室中和将基片从主室取出。
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公开(公告)号：CN1296527C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN01815940.0
申请日：2001-08-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C30B19/12 , C01B33/02 , H01L21/208 , H01L31/04
CPC classification number: C30B19/00 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/06 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 通常，晶体薄膜生长时，为控制生长面温度通常需要改变冷却能力，在水冷却的情况下难以大幅度地变化冷却水的流量。而在气冷的情况下大幅变化冷却气的流量，系统需要更大规模，制造成本高。根据本发明，彻底解决了上述问题，并且可以容易地进行生长晶体薄板的表面的温度控制，从而可以低成本生产晶体薄板。具体地，将由至少两层构成、其中一层由热导率与另一层的热导率不同的材料制成的多层结构基体与可以形成含有金属材料或半导体材料的至少一种的晶体的物质的熔融液接触，并控制基体温度，从而在基体上生长可以形成晶体的物质的晶体，由此得到晶体薄板。
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公开(公告)号：CN1665968A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815345.9
申请日：2003-06-24
Abstract: 为了得到能够通过扩大生产规模极大地增加制造效率和显著地降低每单位面积的生产成本的薄板制造方法和制造这种薄板的装置，提供了本发明的方法和装置，当通过将基片的表层部分浸渍到在主室(1)中设置的坩埚(2)中的硅熔融液(7)中使得硅(5)附着于基片的表面时，通过使用至少一个与主室相邻(1)的副室(3、4)将基片装入到主室中和将基片从主室取出。
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